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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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長江存儲喜迎第一臺EUV極紫外光刻機:國產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤將迎來重大突破
? 前些天,新聞曝光的中芯國際花了1.2億美元從荷蘭ASML買來一臺EUV極紫外光刻機,未來可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片,而根據(jù)最新消息稱,長江存儲也迎來了...
群聯(lián)欲大幅征才200名工程師,進一步擴產(chǎn)3D NAND
NAND Flash(儲存型快閃存儲器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善,量產(chǎn)能力大為提升,盡管價格已經(jīng)松動,但包括存儲器、控制IC、封測等供應體系業(yè)者紛紛...
NAND Flash報價暫時回跌,SSD控制器將進入產(chǎn)業(yè)整合期
連續(xù)多季走強的NAND Flash報價,在2018年第一季可望暫時回跌,然由于3D NAND Flash制程工序繁復,會使晶圓廠的實際產(chǎn)能下滑,故NA...
目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過于求,價格緩跌。外界預期DRAM市場第3季將可喜迎旺季,而...
DRAM和NAND Flash市場需求量不斷增加,南亞科和旺宏業(yè)績往高處走
隨物聯(lián)網(wǎng)時代來臨,數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視,研調(diào)單位指出,協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫,南亞科(240...
空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣
位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一,也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAN...
DRAM和NAND Flash優(yōu)缺勢對比,到底誰的市場應用量會更大?
隨著移動設備、物聯(lián)網(wǎng)應用的興起,對于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流,但DRAM的讀寫速度快無法長...
美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨
美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師...
三星電子速轉(zhuǎn)向3D NAND 正在向半導體和系統(tǒng)公司靠攏
三星電子內(nèi)存解決方案的需求,隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND,尤其是TLC 3D NAND,于三星半導體是拉動三星營收和利潤的關(guān)鍵...
“從芯到云”,紫光集團正意圖在存儲產(chǎn)業(yè)構(gòu)建一個千億美元帝國
半導體行業(yè)觀察:“從芯到云”,趙偉國治下的紫光集團正意圖在存儲產(chǎn)業(yè)構(gòu)建一個千億美元帝國。
據(jù)報道,經(jīng)過長達一年半時間的猛漲后,部分內(nèi)存芯片的價格突然下跌,之后韓國三星電子發(fā)布令人失望的2017年盈利預估,讓那些押注芯片繁榮還會至少持續(xù)一年的...
存儲器廠積極擴增產(chǎn)能,NAND Flash或?qū)⒊蔀榘雽w行業(yè)2018年的主戰(zhàn)場
國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)3日提出,繼移動裝置后,物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動通訊(5G )擴增實境(AR)/虛擬實境(VR)及人工智慧(AI)將為半...
紫光與光寶聯(lián)手,計劃2018實現(xiàn)國產(chǎn)3D閃存SSD量產(chǎn)
據(jù)報道,本月12日,光寶科技與中國紫光集團共同宣布成立存儲合資公司,項目在蘇州簽約,總資本額1億美元,其中紫光占比55%,光寶45%。
NAND閃存將達到穩(wěn)態(tài)局面,供給產(chǎn)能將提升42.9%
今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài),主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,低于預期。
2018年三星將其生產(chǎn)比重提升至90%以上,三星全面進入3D NAND時代
三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重,傳已在2017年第4季突破80%,三星計劃除了部分車用產(chǎn)品外,2018年將進...
NAND閃存和DRAM市況不同調(diào),內(nèi)存事業(yè)可望在第2季維持強勢表現(xiàn)
內(nèi)存指標大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析,儲存型閃存(NAND Flash)和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價格持續(xù)下探,但DRA...
關(guān)于ClearNAND閃存的系統(tǒng)詳解
過去,ECC一直被用于提高NAND閃存子系統(tǒng)的整體數(shù)據(jù)可靠性。但是,隨著NAND單元不斷縮小,每個浮柵內(nèi)貯存的電子數(shù)量越來越少。因此,為彌補更小的存儲...
SK Hynix的72L NAND快閃存儲器與各家64L的對比分析詳解
在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND快閃存儲器中,所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
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