2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)兩極分化 DRAM無(wú)新增產(chǎn)能 NAND需求極增

2017年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)大動(dòng)亂，2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)向也會(huì)有所變化，據(jù)悉，DRAM熱度可望延續(xù)依然存在，但是2018年DRAM并無(wú)新增產(chǎn)能，同時(shí)服務(wù)...

2018-01-25 標(biāo)簽：dramnand內(nèi)存 1.8k 0

淺析國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)面臨的挑戰(zhàn)

當(dāng)你與一位半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的老投資者交談時(shí)，你會(huì)看到，他面對(duì)這個(gè)模棱兩可行業(yè)所表現(xiàn)出的冷靜態(tài)度。因?yàn)槠茐睦麧?rùn)的因素總是存在，而一些因素可能會(huì)壓倒你在投...

2018-06-06 標(biāo)簽：NAND 834 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)

NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目...

2018-05-16 標(biāo)簽：nand紫光長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4.3k 0

DRAM迎來(lái)最后紅利期 韓、臺(tái)廠商正在瘋狂搶食

以全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)前兩位的三星和SK海力士為例。數(shù)據(jù)顯示，三星的全球內(nèi)存市場(chǎng)占有率為46%，閃存市場(chǎng)占有率為39%。SK海力士的全球內(nèi)存市場(chǎng)占有率為29...

2018-05-16 標(biāo)簽：dramnand三星電子 944 0

東芝內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)或走單獨(dú)IPO渠道

1月22日消息，據(jù)英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》周一報(bào)道，如果東芝向貝恩資本出售價(jià)值180億美元的芯片業(yè)務(wù)不能在3月底前獲得反壟斷批準(zhǔn)，那么東芝就考慮將其存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)...

2018-01-22 標(biāo)簽：東芝nand 6.6k 0

存儲(chǔ)芯片的價(jià)格急速下滑，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠面臨大考驗(yàn)

在經(jīng)過(guò)為期一年半的價(jià)格暴漲之后，部分存儲(chǔ)芯片的價(jià)格突然急速下滑，之后三星電子發(fā)布了一份并不樂(lè)觀的2017年業(yè)績(jī)預(yù)期，這兩件事情讓那些押注芯片行業(yè)的投資人...

2018-01-16 標(biāo)簽：dramnand存儲(chǔ)芯片 5.6k 0

傳英特爾和美光合作關(guān)系終結(jié) 將攜手清華紫光將共同開(kāi)發(fā)3D NAND

近日傳聞美光科技和英特爾的合作關(guān)系即將終止，主要是因?yàn)?D NAND技術(shù)還不適合目前的市場(chǎng)，后續(xù)有傳說(shuō)英特爾要和紫光一起開(kāi)發(fā)3D NAND芯片，具體情況...

2018-01-16 標(biāo)簽：英特爾nand美光 1.7k 0

英特爾和鎂光專注于NAND市場(chǎng)上的不同領(lǐng)域并宣布停止合作開(kāi)發(fā)NAND內(nèi)存

據(jù)外媒報(bào)道，英特爾和鎂光宣布，它們不再合作開(kāi)發(fā)下一代3D NAND內(nèi)存。

2018-01-11 標(biāo)簽：英特爾nand鎂光 5k 0

SSD價(jià)格開(kāi)始走跌 2019年后NAND Flash供大于求過(guò)

根據(jù)2017年的存儲(chǔ)器行業(yè)需求顯露出的價(jià)格上漲，供不應(yīng)求局面，韓系存儲(chǔ)器廠紛紛計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)。但由于存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升，NAND Flash將在2...

2018-01-06 標(biāo)簽：東芝nand三星電子 2.7k 0

三星投資60%部署NAND閃存業(yè)務(wù) 預(yù)測(cè)將出現(xiàn)供大于求

根據(jù)2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)來(lái)看，價(jià)格的大幅度上漲，內(nèi)存市場(chǎng)面臨著激烈的競(jìng)爭(zhēng)，市場(chǎng)供不應(yīng)求的局面，致使三星計(jì)劃將加大投入擴(kuò)大芯片產(chǎn)能，但是外界人士認(rèn)為內(nèi)存...

2018-01-03 標(biāo)簽：dramnand三星電子 1k 0

西部數(shù)據(jù)推出嵌入式閃存盤以及NAND的發(fā)展過(guò)程及當(dāng)下存儲(chǔ)市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求

西部數(shù)據(jù)近日宣布推出全新先進(jìn)的iNAND嵌入式閃存盤（EFD）。據(jù)介紹，該產(chǎn)品用于智能手機(jī)和輕薄型計(jì)算設(shè)備時(shí)，可以為數(shù)據(jù)中心的大量應(yīng)用加速，包括增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)...

2018-01-02 標(biāo)簽：nandAI閃存盤 5.6k 0

內(nèi)存市場(chǎng)狀況分析：2018年DRAM持續(xù)吃緊 NAND將供過(guò)于求

近一年來(lái)了內(nèi)存價(jià)格的起伏不定，準(zhǔn)確的說(shuō)是水漲船高，明年的市場(chǎng)狀況又將迎來(lái)如何的轉(zhuǎn)變。據(jù)悉明年上半年DRAM將持續(xù)吃緊、NAND恐供大于求。

2017-12-25 標(biāo)簽：dramnand 1.7k 0

NAND供貨持續(xù)吃緊 價(jià)格難以回歸平衡

NAND的價(jià)格在近幾年來(lái)都是水漲船高的局勢(shì)，隨著三星和SK海力士宣布繼續(xù)投產(chǎn)，預(yù)估明年DRAM仍舊是供貨吃緊，因此DRAM價(jià)格下修的可能性也會(huì)很低。

2017-12-18 標(biāo)簽：dramnand三星電子 957 0

京東方或稱為中版LG三星,中韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)明年爆發(fā)

中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的很快，韓國(guó)憂心大陸發(fā)展半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)，他們認(rèn)為京東方就是中國(guó)版LG、三星。中韓半導(dǎo)體將在明年打響全面戰(zhàn)爭(zhēng)。

2017-12-08 標(biāo)簽：nand三星電子京東方 1.4k 0

DRAM、NAND閃存芯片供不應(yīng)求,三星Q4營(yíng)利980億元

內(nèi)存/SSD齊漲價(jià)模式還沒(méi)有叫停，供求還在不斷地增加，三星計(jì)劃增產(chǎn)內(nèi)存來(lái)解決明年內(nèi)存市場(chǎng)短缺的問(wèn)題。據(jù)報(bào)道，受內(nèi)存/SSD齊漲價(jià)影響，三星Q4利潤(rùn)預(yù)計(jì)暴...

2017-12-08 標(biāo)簽：dramnand三星電子 1.1k 0