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標(biāo)簽 > pmos

pmos

+關(guān)注4人關(guān)注

PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。

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pmos技術(shù)

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2023-08-14 標(biāo)簽:三極管MOS管PMOS 5.5k 0

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隔離作用:也就是防反接,相當(dāng)于一個(gè)二極管。使用二極管,導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降,會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r(shí),在G極加合適的電壓,可以讓MO...

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Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。

2025-03-27 標(biāo)簽:二極管MOS管NMOS 5.4k 0

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2023-08-10 標(biāo)簽:二極管電路圖雙電源 5.3k 0

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2023-11-17 標(biāo)簽:MOS管IGBT晶體管 5.3k 0

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采用驅(qū)動(dòng)IC和NMOS的防反電路設(shè)計(jì)

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PMOS是指N型襯底、P溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管,因?yàn)镻MOS是N型硅襯底,多數(shù)載流子是電子,少數(shù)載流子是空穴,源漏區(qū)的摻雜類型是P型,所以...

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2025-03-12 標(biāo)簽:放大器ldoNMOS 5k 0

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從上篇文章,我們可以很明顯的看出STA的兩大因素,一個(gè)是延遲計(jì)算,一個(gè)是約束檢查。

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通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺?shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1所示。

2023-05-17 標(biāo)簽:二極管保護(hù)電路MOS管 4.8k 0

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2024-10-08 標(biāo)簽:開關(guān)負(fù)載MOS管 4.8k 0

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