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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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開關(guān)機(jī)按鍵電路設(shè)計(jì)圖解
原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是通過控制PMOS Q2的通斷來實(shí)現(xiàn)的,當(dāng)按鍵KEY1按下的時(shí)候,PMOS Q2導(dǎo)通,之后控制Q1導(dǎo)通,就可以實(shí)現(xiàn)PMOS一直導(dǎo)通,實(shí)...
PMOS防反接保護(hù)電路和MOS管防電源反接電路設(shè)計(jì)解析
隔離作用:也就是防反接,相當(dāng)于一個(gè)二極管。使用二極管,導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降,會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r(shí),在G極加合適的電壓,可以讓MO...
2023-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS管 5.4k 0
當(dāng)控制信號(hào)PWR_EN為高時(shí),三極管Q1導(dǎo)通,R2下端等于接GND。由于R1和R2的分壓作用,MOS管M1的Vgs會(huì)有壓差Vgs=-Vin*R1/(R ...
2024-04-07 標(biāo)簽:開關(guān)電路濾波電容波形 5.4k 0
詳解IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/特性/工作原理
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱,是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件,可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。 IGBT 主要用于放大器,用于通過脈沖寬度調(diào)制 (...
采用驅(qū)動(dòng)IC和NMOS的防反電路設(shè)計(jì)
引言:無論是常規(guī)的低側(cè)NMOS防反接電路還是高側(cè)的PMOS防反接電路均有其局限性。本節(jié)簡(jiǎn)述采用驅(qū)動(dòng)IC加NMOS的方案做防反電路的設(shè)計(jì)及其優(yōu)點(diǎn)。
2023-06-28 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOS驅(qū)動(dòng)IC 5.3k 0
合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402
PMOS是指N型襯底、P溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管,因?yàn)镻MOS是N型硅襯底,多數(shù)載流子是電子,少數(shù)載流子是空穴,源漏區(qū)的摻雜類型是P型,所以...
逆變器是反轉(zhuǎn)所施加信號(hào)的邏輯元件。在數(shù)字電路中,開關(guān)或邏輯功能的二進(jìn)制算術(shù)和數(shù)學(xué)操作最好使用符號(hào)0(零)和1(一)執(zhí)行。如果邏輯電平為0(接地)或0 V...
引言:在開始講解MOS的減速加速電路之前,我們還是先來回顧MOS開啟與關(guān)閉的根本機(jī)制。以NMOS為例,開啟NMOS本質(zhì)是對(duì)G極進(jìn)行充電,至Cgs電荷充滿...
2023-07-23 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOSMOS 5k 0
“晶體管開關(guān)”,是使用晶體管控制電路通斷的開關(guān)。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景,也稱“模擬開關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開關(guān)(Logic Switch)...
2023-06-12 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOS管NMOS 4.8k 0
為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)
高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的,開關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位,如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換,就是低側(cè)開關(guān)。
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