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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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NMOS場效應(yīng)管/PMOS場效應(yīng)管防反保護解析
NMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)管NMOS控制電路 3k 0
Vt roll-off核心是(同一個工藝節(jié)點下面)閾值電壓與柵長之間的關(guān)系。當(dāng)溝道長度比較長的時候,Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長度的減小,閾值電壓會下...
低功耗架構(gòu)設(shè)計需要前后端拉通規(guī)劃,前端設(shè)計有PMU功耗管理單元,比如A模塊電壓常開,B模塊電壓可關(guān)斷,那么請思考,當(dāng)B模塊關(guān)斷電壓后,B模塊輸出到A模塊...
在之前圍繞STM32的GPIO的基本結(jié)構(gòu)進行了介紹,圖1為STM32的5V容忍的GPIO口內(nèi)部基本結(jié)構(gòu)圖,圖2為GPIO的基本結(jié)構(gòu)中各個模塊部分的概述。
運放的datasheet參數(shù)表格中往往給出的是DC-PSRR,而AC-PSRR往往以圖表的形式給出。
2023-11-02 標(biāo)簽:開關(guān)電源放大電路電源抑制比 2.5k 0
三極管最典型的應(yīng)用——MOSFET驅(qū)動電路
說實話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一些大家對三極管的理解。但真正在實際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。說到這里,也給在學(xué)校的大學(xué)生們...
2023-05-14 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 2.4k 0
模擬開關(guān),是利用JFET或MOS的特性實現(xiàn)控制信號通路的開關(guān),主要用來完成信號鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無機械觸點、體積小和使...
2023-02-09 標(biāo)簽:CMOS模擬開關(guān)MOS 2.3k 0
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