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      標簽　>　sk海力士

      sk海力士

      sk海力士

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      SK海力士（Hynix）是一家源自韓國的半導體芯片制造商，主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導體公司之一，也是全球DRAM市場的領(lǐng)導者之一。

      文章：1000個 瀏覽：41990次 帖子：1個

      sk海力士資訊

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      內(nèi)存價格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多，業(yè)內(nèi)普遍預測到今年第四季度將逐步回歸正常，但還沒來得及興奮，壞消息就來了。據(jù)臺媒援引業(yè)內(nèi)消息稱，三星電子、SK海力士都計劃推...

      2018-09-09 標簽：DRAM三星電子SK海力士 4.7k 0

      三星向美國提供芯片供應鏈數(shù)據(jù)

      根據(jù)海外媒體的報道稱，日前三星公司已經(jīng)向美國提供芯片供應鏈數(shù)據(jù)，截至目前，已經(jīng)有23家企業(yè)機構(gòu)先后向美國提供了相關(guān)信息，其中英特爾公司還尚未回應。

      2021-11-09 標簽：芯片SK海力士三星公司 4.7k 0

      SK海力士的M16工廠將用上最先進的EUV光刻工藝

      今年10月份SK Hynix才剛剛建成最新的M15晶圓廠，這是2015年全球最大的存儲芯片工廠M14落成時SK Hynix宣布的46萬億韓元投資計劃中的...

      2018-12-22 標簽：光刻SK海力士 4.7k 0

      DRAM內(nèi)存芯片價格不斷下跌 海力士推遲無錫新廠投產(chǎn)計劃

      據(jù)外媒報道，由于DRAM內(nèi)存芯片價格不斷下跌，近期又有華為事件的影響，SK海力士正在計劃推遲位于中國無錫的全球最先進內(nèi)存芯片工廠的投產(chǎn)計劃。

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      內(nèi)存價格壞消息又來 三星/SK海力士搶先下手

      據(jù)快科技訊，內(nèi)存價格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多，業(yè)內(nèi)普遍預測到今年第四季度逐步回歸正常，但還沒來得及興奮，壞消息就來。

      2018-09-08 標簽：三星電子SK海力士 4.6k 0

      DRAM降產(chǎn)，NAND投入減少逾15% SK海力士Q2同比下跌88％

      盡管智能手機/服務器市場正在惡化，但對PC市場的需求正在復蘇。 存儲器制造商韓國SK海力士于26日（北京時間）報告了2019年第二季度的財務摘要。 第二...

      2019-07-29 標簽：DRAMNANDSK海力士 4.6k 0

      SK海力士新款PCIe NVMe固態(tài)硬盤將于CES 2020展會上亮相

      根據(jù)消息報道，韓國全球半導體制造商SK海力士將在2020年國際消費電子展（CES）上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe...

      2019-12-30 標簽：半導體固態(tài)硬盤sk海力士 4.6k 0

      SK海力士詳細介紹16Gb DDR5 新一代DRAM將重振內(nèi)存市場

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      芯片量價齊跌 SK海力士一季度利潤大跌69%

      一季度，全球第二大記憶芯片制造商利潤創(chuàng)下2012年來的最大跌幅。公司預計DRAM芯片需求將從二季度起復蘇。 芯片銷售仍然疲弱， SK海力士一季度營業(yè)利潤...

      2019-04-25 標簽：SK海力士 4.6k 0

      SK海力士宣布推出全球首款4D閃存，已經(jīng)推進到了128層堆疊

      首先是3D NAND的技術(shù)路線選擇，SK海力士稱，CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲單元...

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      SK海力士宣布業(yè)內(nèi)首款4D閃存：512Gb TLC、年末出樣

      SK海力士宣布推出了全球首款4D閃存。從現(xiàn)場給出的技術(shù)演示來看，4D閃存和此前長江存儲的Xtacking十分相似，只不過外圍電路（PUC，Peri.Ci...

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      芯片價格醞釀反彈 三星、SK海力士獲利有看頭

      半導體產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)過去一年多低迷期后，近日芯片價格終于出現(xiàn)反彈跡象，令券商看好三星電子及SK海力士（SK Hynix）兩大韓國芯片業(yè)者今年獲利好轉(zhuǎn)。 券商分...

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      SK 海力士 M16 新廠已竣工：首次使用極紫外輻射（EUV）光刻機在生產(chǎn)存儲芯片

      存儲芯片廠商 SK 海力士 2 月 1 日宣布，其公司位于韓國首爾南部利川市的 M16 新廠已經(jīng)竣工，SK 海力士將首次使用極紫外輻射（EUV）光刻機在...

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      SK Hynix將在2020年削減資本支出 加速過渡1z nm DRAM和128L 4D NAND

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      據(jù)海外媒體報道，韓國SK集團（SK Group）為了提升股東價值，針對五大新事業(yè)領(lǐng)域加強對外購并。但身為集團金牛的SK海力士（SK Hynix）卻位在疊...

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      存儲器產(chǎn)能供過于求 價格走低是目前市場趨勢

      由于各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車”，NAND Flash快閃存儲器和DRAM價格已經(jīng)持續(xù)走低，終結(jié)了持續(xù)兩年的市場供應緊俏狀況。

      2018-10-27 標簽：DRAMNand存儲器 4.5k 0

      海力士：引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革

      柵極由絕緣膜(柵氧化層, gate oxide)和電極(柵電極, gate electrode)組成，在晶體管開關(guān)功能中發(fā)揮主要作用。柵氧化層由SiON...

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