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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
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Microchip模擬嵌入式SuperFlash?技術助力存算一體創(chuàng)新企業(yè)成功解決邊緣語音處理難題
SuperFlash memBrain?存儲器解決方案使知存科技片上系統(tǒng)(SoC)能夠滿足最苛刻的神經處理成本、功耗和性能要求。
直播預約 |開源芯片系列講座第24期:SRAM存算一體:賦能高能效RISC-V計算
鷺島論壇開源芯片系列講座第24期「SRAM存算一體:賦能高能效RISC-V計算」11月27日(周三)20:00精彩開播期待與您云相聚,共襄學術盛宴!|直...
MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器,使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...
在處理器性能持續(xù)攀升的今天,存儲系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲單元,SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)承擔著高速緩存...
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近年來,對精密半導體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車,通信和數字消費,工業(yè)及醫(yī)療市場。這些產品需要增加內存容量,以幫助處理大量數據。ISSI為...
SoC有基于應用程序的內存。這些存儲器是用于計算的半導體存儲器塊。半導體存儲器通常是指在單個硅片上制造的金屬氧化物半導體存儲器單元。內存類型包括: 易失...
基于DBL結構的嵌入式64kb SRAM的低功耗設計 針對嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求,采用位線分割結構和存儲陣列分塊譯碼結構,完成了64 kb低功耗SRA...
2010-01-12 標簽:SRAM 1.3k 0
NV-SRAM與BBSRAM的對比,誰的優(yōu)勢更加明顯
隨著無鉛技術在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)技術相比較。 BBS...
EEPROM和FLASH在大多數應用場合中均無法替代SRAM
隨著半導體技術的飛速發(fā)展,各種存儲器相繼推出,性能不斷提高。 眾所周知,普通SRAM在電源掉電后,其中的數據隨即消失,再次加電后,存儲器中的數據為隨機數...
65納米144-Mbit SRAM(賽普拉斯) 賽普拉斯半導體公司推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM,該產品成為其65納米SRAM產...
2009-11-02 標簽:SRAM 1.2k 0
256Kb串行靜態(tài)隨機存取存儲器EMI7256概述及特征
國產SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機存取存儲器,內部組織為32K字,每個字8位。最大時鐘20MHz,采用最先進的CMO...
臺積電與英特爾、三星的先進製程競賽依舊打得火熱,10 奈米以下製程成為半導體三雄間的競逐場,三星雖于 11 月中搶先發(fā)表 10 奈米 FinFET 製程...
作為一種磁性技術,MRAM本質上是抗輻射的。這使得獨立版本在航空航天應用中很受歡迎,而且這些應用對價格的敏感度也較低。它相對較大,在內存領域,尺寸意味著成本。
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