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標(biāo)簽 > unitedsic
UnitedSiC便成為一家無(wú)晶圓廠公司,將資源集中在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)和客戶支持上,在行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)的帶領(lǐng)下,公司快速、有效地穩(wěn)步發(fā)展。
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UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器成為更好的器件選擇工具
UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓為功率設(shè)計(jì)選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計(jì)工程師只需:
Qorvo 收購(gòu) UnitedSiC,擴(kuò)大電力電子業(yè)務(wù)范圍
通過(guò)收購(gòu) SiC 功率半導(dǎo)體公司 UnitedSiC,Qorvo 已將其影響力擴(kuò)展到快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車 (EV)、工業(yè)電源控制、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源...
UnitedSiC提供七個(gè)采用七引腳設(shè)計(jì)的新750V SiC FET
許多人選擇“七”這個(gè)數(shù)字是因?yàn)樗摹靶疫\(yùn)”屬性,而UnitedSiC選擇它則當(dāng)然是因?yàn)槠邆€(gè)引腳非常適合D2PAK半導(dǎo)體封裝。
2022-08-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝引腳UnitedSiC 1.8k 0
UnitedSiC(現(xiàn)為Qorvo)擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過(guò)采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC F...
UnitedSiC第四代技術(shù)提供TO247-4L封裝
UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
2022-06-06 標(biāo)簽:充電器軟開(kāi)關(guān)SiC 6.4k 0
UnitedSiC宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
中國(guó)北京 -?2022 年 5 月 17 日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QR...
2022-05-17 標(biāo)簽:移動(dòng)應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管UnitedSiC 3.1k 0
這個(gè)電動(dòng)機(jī)/發(fā)電機(jī)已經(jīng)過(guò)優(yōu)化,在電動(dòng)機(jī)模式和發(fā)電機(jī)模式下都能高效工作。
2021-11-30 標(biāo)簽:整流器電動(dòng)機(jī)逆變器 1.4k 0
Qorvo?收購(gòu)領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司
Qorvo今天宣布,已收購(gòu)位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。
2021-11-04 標(biāo)簽:電動(dòng)車充電器功率半導(dǎo)體碳化硅 1.3k 0
UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET
UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。
UnitedSiC的FET-Jet計(jì)算器讓SiC FET選擇過(guò)程不再充滿猜測(cè)
為電源設(shè)計(jì)選擇初始半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)可能是一件繁雜的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以簡(jiǎn)化這項(xiàng)工作并準(zhǔn)確預(yù)測(cè)系統(tǒng)性能。
UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議 加速業(yè)界采用碳化硅技術(shù)
UnitedSiC宣布與益登科技(TWSE: 3048)簽署代理協(xié)議,將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng),為包括電動(dòng)汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等...
UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET
新發(fā)布的產(chǎn)品應(yīng)用范圍包括無(wú)線和電信系統(tǒng)中50~500KHz頻率范圍的LLC和相移全橋(PSFB)功率轉(zhuǎn)換,以及功率因數(shù)校正(PFC)中的標(biāo)準(zhǔn)硬開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。
UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動(dòng)汽車(EV)逆變器、高功率D...
UnitedSiC在UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)
美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開(kāi)關(guān)UF...
UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個(gè)SiC FET
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布,已經(jīng)為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開(kāi)關(guān)型)系列650V SiC...
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC于3月21日宣布達(dá)成與ADI公司(Analog Devices)的戰(zhàn)略投資和長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,具體條款尚未公布。
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