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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 技術(shù)文庫

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  • 先進(jìn)節(jié)點芯片性能的主要因素——線邊緣粗糙度(LER)

    由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進(jìn)節(jié)點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸(CD)和線間隔,這會導(dǎo)致更高的金屬線電阻和線間電容。...

    1978次閱讀 · 0評論 電容寄生電阻
  • 芯片制造之光刻工藝詳細(xì)流程圖

    光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝,也可以用在后道工藝,前道光刻機用于芯片的制造,曝光工藝極其復(fù)雜,后道光刻機主要用于封裝測試,實現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝,技術(shù)難度相對較小。...

    12789次閱讀 · 0評論 芯片制造光刻機EUV
  • SMT生產(chǎn)過程中錫膏檢查(SPI)的作用是什么

    超過50%的PCB元器件焊點缺陷可追溯到不正確或次優(yōu)的焊膏印刷。雖然良好的錫膏印刷習(xí)慣通常在小批量時就已足夠,但對于大批量印刷,應(yīng)仔細(xì)考慮錫膏檢查(SPI)。...

    2426次閱讀 · 0評論 pcbSPI芯片封裝SMT封裝
  • BGA封裝及晶圓切割工藝解析

    將從晶圓廠出來的Wafer進(jìn)行背面研磨,來減薄晶圓達(dá)到 封裝需要的厚度(5mils~10mils); 磨片時,需要在正面(Active Area)貼膠帶保護(hù)電路區(qū)域 同時研磨背面。研磨之后,去除膠帶,測量厚度;...

    5240次閱讀 · 0評論 晶圓BGA
  • 極紫外光刻隨機效應(yīng)的表現(xiàn)及產(chǎn)生原因

      極紫外光刻的制約因素   耗電量高極紫外線波長更短,但易被吸收,可利用率極低,需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機,250W的功率,每天耗電達(dá)到三萬度。   生產(chǎn)效率仍不夠高同樣以3400B來說,該EUV光刻機的生產(chǎn)效率是每小時125片晶圓,還不到DUV光刻機生產(chǎn)效率的一半...

    1411次閱讀 · 0評論 光刻機EUV
  • 金屬封裝中陶瓷基板的熱匹配設(shè)計優(yōu)化方案

    隨著微電路單元的組裝密度越來越高,發(fā)熱量越來越大,對封裝外殼的要求也日益提高。...

    1903次閱讀 · 0評論 封裝技術(shù)陶瓷基板
  • 一文解析EUV掩模版缺陷分類、檢測、補償

    光刻機需要采用全反射光學(xué)元件,掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。 這些需求帶來的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn),包括掩?;椎牡蜔崤蛎洸牧系拈_發(fā)、零缺陷襯底拋光、多層膜缺陷檢查、多層膜缺陷修復(fù)等。...

    4155次閱讀 · 0評論 光刻機光刻技術(shù)EUV
  • 一文看懂EUV光刻

    極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項重要但復(fù)雜的技術(shù)。...

    2202次閱讀 · 0評論 半導(dǎo)體晶圓光刻EUV
  • ***工藝流程圖及成像過程詳解

    IGBT相比MOSFET,可在更高電壓下持續(xù)工作,同時需要兼顧高功率密度、低損耗、高可靠性、散熱好、低成本等因素。一顆高性能、高可靠性與低成本的IGBT芯片,不僅僅需要在設(shè)計端不斷優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),對晶圓制造和封裝也提高了更高的要求。...

    7295次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBT芯片制造光刻機EUV
  • 半導(dǎo)體制造之離子注入工藝

    旋轉(zhuǎn)圓盤與旋轉(zhuǎn)輪類似,不同之處在于旋轉(zhuǎn)圓盤不是擺動整個圓盤,而是用掃描離子束的方式在整個晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉(zhuǎn)圓盤系統(tǒng)。...

  • mes系統(tǒng)是用來解決什么問題的

    如有沒有建立一個與MES系統(tǒng)相適應(yīng)的管理組織,問題暴露的越多、越快、越廣,企業(yè)內(nèi)耗越多、時間效率越低、運營成本越高。...

    723次閱讀 · 0評論 MESMES系統(tǒng)
  • 芯片封裝建模工具-Simcenter Flotherm Package Creator介紹

    利用Simcenter Flotherm Package Creator芯片封裝工具可以幫助你在幾分鐘內(nèi)創(chuàng)建出一個常用的IC封裝詳細(xì)模型...

    3963次閱讀 · 0評論 CADPBGAIC封裝QFN封裝TQFP
  • 焊接裂紋的產(chǎn)生原因及防治措施

    在焊縫或近縫區(qū),由于焊接的影響,材料的原子結(jié)合遭到破壞,形成新的界面而產(chǎn)生的縫隙稱為焊接裂縫,它具有缺口尖銳和長寬比大的特征。按產(chǎn)生時的溫度和時間的不同,裂紋可分為:熱裂紋、冷裂紋、應(yīng)力腐蝕裂紋和層狀撕裂。...

    8503次閱讀 · 0評論 焊接裂紋
  • DPC陶瓷基板及其關(guān)鍵技術(shù)

    良好的器件散熱依賴于優(yōu)化的散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計、封裝材料選擇(熱界面材料與散熱基板)及封裝制造工藝等。...

    2237次閱讀 · 0評論 太陽能電池IGBTLED封裝SiC
  • 晶圓鍵合是否可以超越摩爾定律?

    晶圓鍵合是半導(dǎo)體行業(yè)的“嫁接”技術(shù),通過化學(xué)和物理作用將兩塊已鏡面拋光的晶片緊密地結(jié)合起來,進(jìn)而提升器件性能和功能,降低系統(tǒng)功耗、尺寸與制造成本。...

  • 基于Arm的SoC設(shè)計實現(xiàn)

    由于接觸電阻增加和IR下降,導(dǎo)致能量損失、性能降低和高溫,向更薄的節(jié)點供電已經(jīng)成為一種挑戰(zhàn)。背面PDN(PowerVia)將電源線從數(shù)據(jù)I/O線路移開,簡化了連接性并使PDN更加成熟。...

    807次閱讀 · 0評論 soc晶體管
  • EUV光源四種產(chǎn)生方式及對比分析

    隨著光刻技術(shù)的進(jìn)步,光刻光源的曝光波長已經(jīng)減小很多。早期投影式光刻技術(shù)的曝光波長為436nm、365nm (分別來自于汞弧燈可見光g線和紫外光i線),所制造的集成電路特征尺寸為600nm或更大。...

    3539次閱讀 · 0評論 集成電路光刻EUV
  • 半導(dǎo)體封裝工藝的四個等級和作用解析

    電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這些硬件結(jié)構(gòu)包括有源元件1(如半導(dǎo)體)和無源元件2(如電阻器和電容器3)。因此,電子封裝技術(shù)涵蓋的范圍較廣,可分為0級封裝到3級封裝等四個不同等級。...

  • 一文了解DPC陶瓷基板工藝流程

    直接鍍銅陶瓷基板(Direct Plating Copper, DPC)是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板,采用濺鍍工藝于基板表面復(fù)合金屬層,并以電鍍和光刻工藝形成電路。...

    5236次閱讀 · 0評論 陶瓷基板光刻工藝
  • 汽車芯片封裝技術(shù)工藝流程科普

    車規(guī)級半導(dǎo)體也稱“汽車芯片”,用于車體控制裝置,車載監(jiān)控裝置及車載電子控制裝置等領(lǐng)域,主要分布在車體控制模塊上、車載信息娛樂系統(tǒng)等方面,包括動力傳動綜合控制系統(tǒng),主動安全系統(tǒng)和高級輔助駕駛系統(tǒng)等,半導(dǎo)體比傳統(tǒng)燃油車更多用于新能源汽車,增加電動機控制系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)的應(yīng)用場景。...

    1203次閱讀 · 0評論 pcb封裝技術(shù)汽車芯片
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