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隨著電子行業(yè)的飛速發(fā)展， 電子器件的集成度 越來(lái)越高， 人們對(duì)集成電路的需求逐漸地向高集成 度、 低功耗和小體積的方向發(fā)展。倒裝芯片球柵格 陣列 （FCBGA：Flip Chip Ball Grid Array） 封裝器件以其高密度、多I/O 端口封裝和散熱好等優(yōu)點(diǎn)成 為多種集成電路的封裝首選， 尤...
摩爾定律已面臨物理、技術(shù)與成本極限的多重挑戰(zhàn)，集成電路在沿著摩爾定律預(yù)測(cè)的尺寸縮小路徑艱難發(fā)展的同時(shí)，亟需開(kāi)辟新的方向。...
Fab 6 是臺(tái)積電首個(gè)一體式先進(jìn)封裝測(cè)試工廠，是臺(tái)積電不斷增加的封裝投資的一部分。該晶圓廠已準(zhǔn)備好量產(chǎn)臺(tái)積電 SoIC 封裝技術(shù)。請(qǐng)記住，當(dāng)臺(tái)積電說(shuō)量產(chǎn)時(shí)，他們指的是 Apple iPhone 尺寸的量產(chǎn)，而不是工程樣品或內(nèi)部產(chǎn)品。...
環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式，環(huán)氧塑封器件開(kāi)封方法有化學(xué)方法、機(jī)械方法和等離子體刻蝕法，化學(xué)方法是最廣泛使用的方法，又分手動(dòng)開(kāi)封和機(jī)械開(kāi)封兩種。...
隨著摩爾定律的放緩以及前沿節(jié)點(diǎn)復(fù)雜性和成本的增加，先進(jìn)封裝正在成為將多個(gè)裸片集成到單個(gè)封裝中的關(guān)鍵解決方案，并有可能結(jié)合成熟和先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。...
3D 堆棧存儲(chǔ)器——HBM、3DS 和 3D NAND——是最大的貢獻(xiàn)者，到 2028 年占總市場(chǎng)份額的 70% 以上。增長(zhǎng)最快的四大 =平臺(tái)是 3D SoC、有源硅中介層、嵌入式硅橋和 3D NAND堆。...
如下圖所示，CPA model是Pkg Layout（封裝基板設(shè)計(jì)）通過(guò)工具提取出來(lái)的一個(gè)模型，主要包括封裝基板中的RLC參數(shù)。...
大部分從事后端設(shè)計(jì)的同行應(yīng)該沒(méi)有接觸過(guò)帶封裝的IR Drop分析（模塊級(jí)別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項(xiàng)目經(jīng)理、封裝同事等才會(huì)接觸這一部分內(nèi)容。...
光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試，實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對(duì)較小。...
封裝可靠性設(shè)計(jì)是指針對(duì)集成電路使用中可能出現(xiàn)的封裝失效模式，采取相應(yīng)的設(shè)計(jì)技術(shù)，消除或控制失效模式，使集成電路滿足規(guī)定的可靠性要求所采取的技術(shù)活動(dòng)。...
AMD XDNA XDNA帶有本地存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)移動(dòng)器的高度可擴(kuò)展引擎陣列，是AMD利用深厚的FPGA和自適應(yīng)SOC編譯算法專業(yè)知識(shí)推出的一種算法工具。...
也稱CPAC(globe top pad array carrier)。球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹(shù)脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陳列載體(PAC)。引腳可超過(guò)200，是多引腳LSI用的一種封...
該路線圖概述了標(biāo)準(zhǔn) FinFET 晶體管將持續(xù)到 3nm，然后過(guò)渡到新的全柵 (GAA) 納米片設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)將在 2024 年進(jìn)入大批量生產(chǎn)。Imec繪制了 2nm和A7（0.7nm）Forksheet設(shè)計(jì)的路線圖，隨后分別是A5和A2的CFET 和原子通道等突破性設(shè)計(jì)。...
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個(gè) MOSFET的耗電量就越少，還可以制造出更多的晶體管，讓其發(fā)揮作用，可謂是一舉多得。...
先進(jìn)封裝是對(duì)應(yīng)于先進(jìn)圓晶制程而衍生出來(lái)的概念，一般指將不同系統(tǒng)集成到同一封裝內(nèi)以實(shí)現(xiàn)更高效系統(tǒng)效率的封裝技術(shù)。...
目前，微電子產(chǎn)業(yè)已經(jīng)逐步演變?yōu)樵O(shè)計(jì)、制造和封裝三個(gè)相對(duì)獨(dú)立的產(chǎn)業(yè)。微電子封裝技術(shù)即半導(dǎo)體封裝技術(shù)，又稱先進(jìn)集成電路封裝。半導(dǎo)體封裝包括組裝（Assembly）和封裝（Packing）兩個(gè)方面，它是將數(shù)萬(wàn)計(jì)的半導(dǎo)體元器件組裝成一個(gè)緊湊的封裝體，與外界進(jìn)行信息交流，它的基本功能包括電源供給、信息交流、散...
電子封裝是集成電路芯片生產(chǎn)完成后不可缺少的一道工序，是器件到系統(tǒng)的橋梁。封裝這一生產(chǎn)環(huán)節(jié)對(duì)微電子產(chǎn)品的質(zhì)量和競(jìng)爭(zhēng)力都有極大的影響。按目前國(guó)際上流行的看法認(rèn)為，在微電子器件的總體成本中，設(shè)計(jì)占了三分之一，芯片生產(chǎn)占了三分之一，而封裝和測(cè)試也占了三分之一，真可謂三分天下有其一。...
凸塊制造過(guò)程一般是基于定制的光掩模，通過(guò)真空濺鍍、黃光、電鍍、蝕刻等環(huán)節(jié)而成，該技術(shù)是晶圓制造環(huán)節(jié)的延伸，也是實(shí)施倒裝（FC）封裝工藝的基礎(chǔ)及前提。...
太陽(yáng)能電池需要硅晶片來(lái)提高效率并吸收更多的陽(yáng)光。經(jīng)常使用非晶硅、單晶硅和碲化鎘等材料。Floating Zone 方法等制造工藝可將太陽(yáng)能電池效率提高近 25%。...
MOSFET結(jié)構(gòu)的核心就是柵極（Gate）。MOSFET與BJT晶體管不同，柵極不與電流溝道（S與D的中間部分）直接接觸，只是“間接”發(fā)揮作用。...
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