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集電極電流Ic的形成原因電子三極管的電流放大原理

放大狀態(tài)下集電極電流Ic為什么會(huì)只受控于電流Ib而與電壓無關(guān)；即：Ic與Ib之間為什么存在著一個(gè)固定的放大倍數(shù)關(guān)系。雖然基區(qū)較薄，但只要Ib為零，則Ic即為零。...

3484次閱讀 · 0評(píng)論三極管二極管電流光敏二極管NPN
功率半導(dǎo)體器件：IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。...

9447次閱讀 · 0評(píng)論 IGBT功率器件功率模塊IPM半導(dǎo)體器件
幾種常見的低通濾波電路

RC低通濾波電路是一種簡(jiǎn)單的低通濾波電路，由一個(gè)電阻和一個(gè)電容組成。它的原理是利用電容器的充放電特性，將高頻信號(hào)通過電容器的電容分布電阻濾除，只保留低頻信號(hào)。...

5090次閱讀 · 0評(píng)論電容器電容濾波電路音頻放大器低通濾波電路
車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法...

2827次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET封裝技術(shù)SiC功率模塊
芯?？萍级嗤ǖ?2位SAR ADCCS1795x特性及應(yīng)用框圖

CS1795x的優(yōu)異性能和多特性，配合8/4通道，使其十分適合BMS安全檢測(cè)類應(yīng)用。同時(shí)，CS1795x的微功耗和抗強(qiáng)ESD能力，能夠?qū)τ诠I(yè)自動(dòng)化和醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用提供有力支持，有效幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)可靠的多路診斷和數(shù)據(jù)采集的需求。...

733次閱讀 · 0評(píng)論電流adc芯?？萍?/a>電源系統(tǒng)
半導(dǎo)體二極管

將PN結(jié)用外殼封裝起來，并加上電極引線就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管，簡(jiǎn)稱二極管。由P區(qū)引出的電極為陽極，由N區(qū)引出的電極為陰極。...

1837次閱讀 · 0評(píng)論穩(wěn)壓二極管發(fā)光二極管PN結(jié)限幅電路半導(dǎo)體二極管
各種半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì)的原因

固體中電子的能量是不可以連續(xù)取值的，而是一些不連續(xù)的能帶，要導(dǎo)電就要有自由電子或者空穴存在，自由電子存在的能帶稱為導(dǎo)帶（能導(dǎo)電）。被束縛的電子要成為自由電子，就必須獲得足夠能量從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，這個(gè)能量的最小值就是禁帶寬度。...

2194次閱讀 · 0評(píng)論三極管二極管半導(dǎo)體材料NMOS管
二極管的主要參數(shù) 常用二極管的類型

二極管通常是由PN結(jié)加上電極引線和外殼制成的， **基本特性是單向?qū)щ娦?* 。...

10832次閱讀 · 0評(píng)論二極管SBD整流管齊納二極管瞬態(tài)抑制二極管
一個(gè)簡(jiǎn)短的ADC不精確性指南

ADC的不精確性無論何種信號(hào)鏈，轉(zhuǎn)換器都是系統(tǒng)的基本要素。為設(shè)計(jì)選擇的任何ADC都會(huì)決定系統(tǒng)的總精度。換言之，系統(tǒng)精度不可能高于轉(zhuǎn)換器的最低有效位(LSB)大小。為了表明這一點(diǎn)，讓我們來看一個(gè)簡(jiǎn)短的ADC不精確性指南。...

1059次閱讀 · 0評(píng)論傳感器adc測(cè)量系統(tǒng)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)分享

和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。...

1366次閱讀 · 0評(píng)論三極管MOSFETVDSGTR電流控制器
談?wù)勲p三極管驅(qū)動(dòng)LED的多諧振蕩器

雙三極管多諧振蕩器是一款應(yīng)用較廣的常見電路形式，但對(duì)其原理描述卻不多見，應(yīng)網(wǎng)友之邀現(xiàn)以一款驅(qū)動(dòng)LED的雙三極管多諧振蕩器為例解答職校同學(xué)的相關(guān)提問。...

2241次閱讀 · 0評(píng)論三極管電容器LED驅(qū)動(dòng)多諧振蕩器回路電流
詳解模擬芯片內(nèi)部的電路結(jié)構(gòu)

當(dāng)IC穩(wěn)定工作后，復(fù)位電容E1已充滿電荷，其兩端電壓=VCC。當(dāng)電源掉電時(shí)，因復(fù)位電容僅通過復(fù)位電阻R1放電，其電壓下降較慢，若當(dāng)RESET端電壓較高時(shí)VCC恢復(fù)而再次上電，則可能導(dǎo)致復(fù)位不良。...

1313次閱讀 · 0評(píng)論芯片場(chǎng)效應(yīng)管緩沖器MOSCMOS反相器
解析三極管開關(guān)中的基極串聯(lián)電阻作用

在電子領(lǐng)域中，三極管作為一種常用的電子元件，被廣泛應(yīng)用于各種電路中，尤其是在開關(guān)電路中。...

6218次閱讀 · 0評(píng)論三極管串聯(lián)電阻開關(guān)電路led燈
汽車電子系統(tǒng)功率MOSFET的解決方案

汽車電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測(cè)、控制和保護(hù)功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級(jí)別，MOSFET可以與功率器件上的感測(cè)元件一起使用。...

761次閱讀 · 0評(píng)論集成電路MOSFET汽車電子功率器件
"超越 MOSFET "的晶體管是否真的存在？

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（Complementary Metal–Oxide–Semiconductor,CMOS）技術(shù)的核心元件，是工業(yè)革命以來最重要的發(fā)明...

756次閱讀 · 0評(píng)論集成電路CMOSMOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管
IGBT的并聯(lián)使用方法介紹

驅(qū)動(dòng)電路對(duì)動(dòng)態(tài)均流的影響：驅(qū)動(dòng)電路對(duì)并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的，如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動(dòng)電路不同步，則先驅(qū)動(dòng)的IGBT要承擔(dān)大得多的動(dòng)態(tài)電流。...

4731次閱讀 · 0評(píng)論驅(qū)動(dòng)器IGBT驅(qū)動(dòng)電路開關(guān)器件額定電流
耿氏二極管波導(dǎo)振蕩器

微波振蕩器用于上至移動(dòng)電話及GPS導(dǎo)航系統(tǒng)，下至無線電和測(cè)試設(shè)備的各種領(lǐng)域。振蕩器的目的在于通過各種方式生成具有特定頻率的連續(xù)諧波輸出。...

1955次閱讀 · 0評(píng)論二極管VCO諧振器射頻振蕩器微波振蕩器
半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程簡(jiǎn)介 MOSFET及相關(guān)器件介紹

當(dāng)PN正向偏置時(shí)，電流隨電壓的增大而迅速增大。當(dāng)反向偏置時(shí)，電流很小且隨電壓增大變化不大，但是當(dāng)電壓達(dá)到臨界點(diǎn)時(shí)電流突然增大。這兩種現(xiàn)象稱為正向?qū)ㄅc反向?qū)舸?..

2096次閱讀 · 0評(píng)論二極管MOSFET電容晶體管柵極電壓
PN結(jié)如何形成 PN結(jié)伏安特性的解釋 MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)

當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí)，電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散，稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域，空穴進(jìn)入n型區(qū)域后，即與對(duì)方多子復(fù)合，留下了固定不動(dòng)的原子核。這些原子核形成了一個(gè)內(nèi)建電場(chǎng)，使電子與空穴向反方向漂移。這兩種運(yùn)動(dòng)達(dá)到平衡時(shí)的結(jié)果就是形成一段沒有載流子的區(qū)域，稱為空間電荷區(qū)，也叫耗...

3269次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET半導(dǎo)體晶體管PN結(jié)
IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì)

當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個(gè)模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視，那就是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分，則是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣...

4875次閱讀 · 0評(píng)論芯片MOS管IGBT晶體管功率電子