完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
電子發(fā)燒友網(wǎng)技術(shù)文庫為您提供最新技術(shù)文章，最實(shí)用的電子技術(shù)文章，是您了解電子技術(shù)動(dòng)態(tài)的最佳平臺(tái)。
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破，成功地生長(zhǎng)出了GaN 多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。...
大概就是利用了電容兩端電壓不能突變的原理，MT3608是一個(gè)升壓芯片，VBUS是USB處取的5V，然后通過MT3608升壓到15V，并且額外通過二極管和電容，產(chǎn)生一個(gè)負(fù)壓，然后過79L12（負(fù)壓LDO芯片，注意不是78L12），穩(wěn)壓到-12V給運(yùn)算放大器使用。...
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件，可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。 IGBT 主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復(fù)雜的波形。 你可以看到輸入側(cè)代表具有柵極端子的 MOS管，輸出側(cè)代表具有集電極和發(fā)射極的 BJT。...
對(duì)于一些面板上的撥碼開關(guān)等電路，為了增加抗ESD能力，通常需要串入TVS管。但要注意由于TVS管的漏電流過大，以致上拉電阻上的壓降過大，從而造成高電平過低，不能達(dá)到CMOS的高電平閾值。...
歐姆(Georg Simon 0hm，1787~1854年)是德國(guó)物理學(xué)家。生于巴伐利亞埃爾蘭根城。歐姆定律及其公式的發(fā)現(xiàn)，給電學(xué)的計(jì)算，帶來了很大的方便。 人們?yōu)榱思o(jì)念他，將電阻的單位定為歐姆，簡(jiǎn)稱“歐” 。...
功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運(yùn)行，且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后，隨著氮化鎵器件成本的下降和可靠性的提高，氮化鎵器件具有的高頻開關(guān)性能和低導(dǎo)通阻抗成為下一代電源適配器的關(guān)鍵技術(shù)。...
下面以一體成型電感CSAB系列（工業(yè)品）、車規(guī)級(jí)一體成型電感VSHB系列（車規(guī)品）為例做對(duì)比，讓大家對(duì)科達(dá)嘉車規(guī)品和工業(yè)品有更加直觀的了解。...
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料。...
光電二極管陣列 型號(hào):ZPDN-Z1208C-S005 ZPDN-Z1208C-S005 是一個(gè)由6個(gè)高靈敏度硅光電二極管安裝在PCB上組成 的陣列,該裝置與紅外發(fā)射二極管相匹配。...
電阻的種類有很多，從材料上劃分，線繞型、非線繞型，非線繞型又分為合成型、薄膜型；從用途上劃分，通用型、精密型、高阻型、功率型、高壓型、高頻型；還有一類特殊用途劃分，熱敏電阻、光敏電阻、力敏電阻、濕敏電阻、壓敏電阻、氣敏電阻、熔斷電阻等。...
對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)； 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適； 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；...
晶閘管（SCR）自問世以來，其功率容量提高了近3000倍?，F(xiàn)在許多國(guó)家已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV / 4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV / 4kA和6kV / 6kA的光觸發(fā)晶閘管(LTT)。美國(guó)和歐洲主要生產(chǎn)電觸發(fā)晶閘管。...
隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對(duì)系統(tǒng)效率的不斷追求，SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來前所未有的增速。...
三極管還是使用前面分析過的MMBT3904L，直流電源給15V，輸入信號(hào)VG1為Vpp=2V，f=100MHz的正弦波，基極給100k/22k分壓得到2.7V偏置電壓，集電極給10k上拉電阻，發(fā)射極給2k下拉電阻。...
在實(shí)際電路怎么判定之前，先把結(jié)論拿出來： 無論是輸入端還是輸出端，串聯(lián)拓?fù)涮岣呦鄳?yīng)端口的阻抗，并聯(lián)拓?fù)浣档拖鄳?yīng)端口的阻抗；...
一般情況下，放大電路的輸出阻抗如無特別說明。都是指交流信號(hào)而言的。其次，我們可將三極管看成一個(gè)受基極電流控制的電流源，故上圖可等效為下圖...
100 MHz 時(shí)鐘產(chǎn)生后，從信號(hào)驅(qū)動(dòng)器芯片輸出的兩種波形：沒有外加引出連線（平滑曲線）的情況和輸出端連接一段2 in長(zhǎng)的PCB線條（振鈴曲線）的情況。...
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級(jí)的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。...
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
機(jī)器人發(fā)燒友
