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基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)替代傳統(tǒng)光耦，并具有豐富的開關(guān)選項，高度集成的開關(guān)IC集成了功率開關(guān)、保護、反饋和同步整流，可以穩(wěn)定輸出電壓和電流，提升整體電源效率。...
在無源晶振應(yīng)用方案中，兩個外接電容能夠微調(diào)晶振產(chǎn)生的時鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此，當(dāng)發(fā)生程序啟動慢或不運行時，建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。...
基于D1A32 GaN器件設(shè)計的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS,占空比為10|%。...
一個電子設(shè)備是由許多電子元件和電子器件按-定的連接關(guān)系組裝而成。 電子元件通常指一些象電阻器、電容器、電位器、電感器、變壓器等元件。 電子器件通常指半導(dǎo)體二極管、三極管、各類集成電路、各類電子管等有源器件。...
MCT 是一種新型MOS 與雙極復(fù)合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅(qū)動圖 MCT 的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在一起，形成大功率、高壓、快速全控型器件。...
SiC MOSFET和散熱器之間的適當(dāng)爬電距離至關(guān)重要。在太陽能應(yīng)用中，散熱器很大，并且通過機械固定在機箱上，因此水平安裝往往很常見，在這種情況下，隔離墊的延伸通常略微超過端子的彎曲度會增加爬電距離。由于機箱形狀不同，有時端子必須彎曲成一定角度。...
啟動時間是指振蕩器啟動并達到穩(wěn)定所需的時間。石英晶體振蕩器的啟動時間要比陶瓷晶體振蕩器的時間要長。 啟動時間受外部CL1和CL2電容影響，同時它隨著晶振頻率的增加而減少。不同種類的晶振對啟動時間影響也很大，石英晶振的啟動時間比陶瓷晶振的啟動時間長得多。...
這是很多人的疑問，經(jīng)常被問到。放大器有兩個供電管腳+V和-V,分別為正電源管腳和負電源管腳。單電源供電時，+V為正電源，-V為地。所有的放大器都可以單電源或是雙電源供電，最主要的區(qū)別是單/雙電源供電時的輸入信號和輸出信號范圍不同。...
電流互感器也是一種較為常見的電流檢測方法， 使用時使流過負載電流的導(dǎo)線或走線穿過電流互感器， 進而在電流互感器輸出端輸出與負載電流成一定比例的感應(yīng)電流。...
在電子設(shè)備設(shè)計中，除了性能提高和可靠性增加必須要求電子設(shè)備具有良好散熱性能以外，消除噪聲、減少能量消耗、降低設(shè)備造價也需要有良好的散熱。如果設(shè)備通過某種途徑合理散熱風(fēng)扇的噪聲、能量消耗和費用將會降低。...
運算放大器，通常簡稱為運放，是一種重要的電子元件，它在各種模擬電路應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。運放具有高放大倍數(shù)、高輸入阻抗和低輸出阻抗等特點，使其適用于信號放大、濾波、比較和其他眾多應(yīng)用。然而，關(guān)于運放的電源配置中是否需要負電壓的問題，一直以來都讓工程師們產(chǎn)生疑慮。本文將解釋在什么情況下運放需要負電壓，...
單相交流電動機內(nèi)部接線 Y00輸出控制單相電動機的開關(guān)，Y01輸出控制單相電動機的正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)。 當(dāng)Y00閉合時，火線通過Y00的公共端以及常開觸點與單相交流電動機的公共端相連。 當(dāng)Y00斷開時，火線則從單相交流電動機的公共端斷開。...
大家都知道電壓跟隨器具有高輸入阻抗，低輸出阻抗的優(yōu)點。輸入阻抗很大時，跟隨器相當(dāng)于和前級電路斷路，和自恢復(fù)保險絲原理一樣，通過高阻抗斷開電源電路。電壓跟隨器輸出阻抗很低，相當(dāng)于和后級電路短路。后級電路的輸入電壓值，等于電壓跟隨器輸出端的電壓值。...
目前全球運算放大器廠商包括，德州儀器、亞德諾、凌力爾特、美信、意法半導(dǎo)體、圣邦微電子、思瑞浦、潤石等等，看起來品牌眾多，每家的型號也都成千上百，今天我們主要以高精度這個維度，來看看這個地球上最強的運算放大器。...
本成果針對高頻電感中的分布電容問題提出了建模及優(yōu)化設(shè)計方案。探究了磁芯內(nèi)部電場分布規(guī)律及建模方法；揭示了浮空磁芯電位的求解方法，推導(dǎo)了磁芯與繞組之間、繞組內(nèi)部分布電容的解析公式；以此為基礎(chǔ)提出了高頻電感的分布電容及高頻電阻聯(lián)合優(yōu)化設(shè)計流程。...
電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。可以分為半控型器件、全控型器件和不可控型器件，其中晶閘管為半控型器件，承受電壓和電流容量在所有器件中最高;電力二極管為不可...
差分傳輸是一種信號傳輸?shù)募夹g(shù)，區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號線一根地線的做法，差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號，這兩個信號的振幅相等，相位相反。在這兩根線上傳輸?shù)男盘柧褪遣罘中盘枴?..
中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進行特殊開發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現(xiàn)。...
開啟過程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計算或預(yù)計得到開啟時刻前之 VDS(off_end) 、開啟完成后的 IDS(on_beginning) 即圖示之 Ip1 ，以及 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 重疊...
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