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• 模電基礎(chǔ)知識總結(jié)

  基爾霍夫電流定律：在電路任一節(jié)點，流入、流出該節(jié)點電流的代數(shù)和為零。...

  4402次閱讀 · 1評論 三極管濾波器放大電路模電負反饋
  

• MOSFET場效應(yīng)晶體管設(shè)計基礎(chǔ)

  MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。...

  5984次閱讀 · 0評論 MOSFET場效應(yīng)晶體管TTL電平電容充放電PMOS管
  

• 晶閘管(可控硅)極性的判斷方法

  在講晶閘管怎么測好壞之前，先給大家講一下晶閘管（可控硅）極性的判斷方法。...

  13424次閱讀 · 0評論 可控硅晶閘管極性柵極
  

• 電工基礎(chǔ)知識入門詳解

  直流電路是指電流方向不變的電路，電源可以是電池或直流發(fā)電機。直流電路中的電器元件包括電阻、電容、電感等。 交流電路是指電流方向不斷變化的電路，電源可以是交流發(fā)電機。...

  4431次閱讀 · 0評論 電路圖電容電感晶體管電器元件
  

• 研究一個被工程師忽視的二極管鉗位保護電路

  二極管，作為一個基本的電子元器件，在許多電子電路系統(tǒng)項目中均有所應(yīng)用；...

  831次閱讀 · 0評論 二極管單片機保護電路連接器GND
  

• 三極管的三區(qū)含義介紹

  引言：BJT內(nèi)部含有兩個背靠背，互相影響的PN結(jié)，當(dāng)這兩個PN結(jié)的偏置條件（正偏還是反偏）不同時，BJT將呈現(xiàn)出不同的特性和功能，對應(yīng)四種工作狀態(tài)：放大、飽和、截止、倒置。...

  3034次閱讀 · 0評論 三極管二極管NPN晶體管偏置電壓BJT管
  

• 如何計算IGBT的損耗和結(jié)溫呢？

  IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計，還會影響IGBT可靠性和壽命。...

  14500次閱讀 · 0評論 電感器IGBT三相逆變器SPWM控制直流母線電壓
  

• IGBT通態(tài)漂移區(qū)少子分布仿真分析

  對于對稱IGBT結(jié)構(gòu)，N基區(qū)寬度為200μm，通態(tài)集電極電流密度為100Acm-2，P+集電區(qū)/N基區(qū)結(jié)處空穴濃度(P0)，計算得到空穴載流子密度。...

  1149次閱讀 · 0評論 仿真器IGBT集電極電流
  

• 真雙極性輸入、全差分輸出ADC驅(qū)動器電路設(shè)計方案

  數(shù)據(jù)采集和通用測試測量設(shè)備中使用的精密信號鏈必須適應(yīng)寬廣的輸入電平范圍。信號鏈可能需要提供高輸入阻抗，同時支持增益和衰減，并調(diào)整共模電平以確保信號落在ADC的適當(dāng)輸入范圍內(nèi)。...

  1692次閱讀 · 0評論 放大器濾波器驅(qū)動放大器ADC驅(qū)動器
  

• 碳化硅介紹：三種SiC襯底制作方法對比

  碳化硅的禁帶寬度是硅的2-3倍，在高溫下電子不易發(fā)生躍遷，可耐受更高的工作溫度，且碳化硅的熱導(dǎo)率是硅的4-5倍，使得器件散熱更容易，極限工作溫度更高。耐高溫特性可以顯著提升功率密度，同時降低對散熱系統(tǒng)的要求，使終端更加輕量和小型化。...

  21063次閱讀 · 0評論 MOSFETSiC碳化硅射頻器件碳化硅二極管
  

• 低成本，低功耗儀表放大器AD623電路設(shè)計案例

  AD623是一款具有軌至軌功能的儀表放大器。它還以 550nA 的極低電流運行，使其適合電池供電的應(yīng)用。 儀表放大器：儀表放大器是一種差分放大器，其輸入引腳連接有緩沖放大器。這消除了阻抗匹配的需要，從而使其實際上適用于測量和測試設(shè)備。...

  5170次閱讀 · 0評論 放大器運算放大器晶體管儀表放大器ad623
  

• Littelfuse的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件介紹

  在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。...

  1163次閱讀 · 0評論 MOSFET開關(guān)電源逆變器電機驅(qū)動DCB
  

• 一文解析IGBT結(jié)構(gòu)、原理、電氣特性

  IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。 編輯：黃飛...

  2474次閱讀 · 0評論 MOS管IGBT晶體管電驅(qū)系統(tǒng)
  

• igbt和mos管的區(qū)別

  MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件，且都屬于電壓控制器件。...

  5906次閱讀 · 0評論 MOSFET驅(qū)動器逆變器IGBT電壓控制器
  

• 列舉一些常見的PMOS管應(yīng)用

  MOSFET作為OBC，電調(diào)，BMS和Charger，各類數(shù)字電源的核心功率器件，想必大家是耳熟能詳了。...

  8002次閱讀 · 0評論 MOSFET正激電源鉗位電路PMOS管電池保護器
  

• 氮化硅陶瓷基板生產(chǎn)工藝 氮化鋁和氮化硅的性能差異

  氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。...

  3018次閱讀 · 0評論 陶瓷基板氮化鋁基板氮化硅

• IGBT模塊中NTC的應(yīng)用指南

  熱設(shè)計是電力電子系統(tǒng)設(shè)計中重要的一環(huán)，其中電力電子器件結(jié)溫是一個最重要的參數(shù)。...

  9219次閱讀 · 0評論 熱敏電阻散熱器IGBT模塊DCB直流電壓源
  

• 高k柵介質(zhì)NMOSFET遠程聲子散射對溝道遷移率的影響

  器件溝道長度為1μm，HFO2柵介質(zhì)厚度為4.88nm；SiO2柵介質(zhì)厚度為2nm；P襯底摻雜濃度4E15cm^-3；柵電極為鋁金屬。...

  1657次閱讀 · 0評論 晶體管TDD漏電流MOSFET管
  

• 氧化鋁和電解鋁有什么區(qū)別 電解鋁和氧化鋁的用途

  氧化鋁是一種化學(xué)化合物，由鋁和氧元素組成，化學(xué)式為Al2O3。它是一種非導(dǎo)電的陶瓷材料，具有高熔點、高硬度和優(yōu)異的耐腐蝕性。氧化鋁廣泛應(yīng)用于陶瓷制品、磨料、催化劑、絕緣材料等領(lǐng)域。在工業(yè)上，氧化鋁常用于制備金屬鋁的原料。...

  20766次閱讀 · 0評論 功率器件電解鋁氧化鋁

• 非對稱晶閘管陰極短路點設(shè)計

  該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強等特點。...

  1184次閱讀 · 0評論 三極管晶閘管NPN晶體管漏電流PNP管
  
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