完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
電子發(fā)燒友網(wǎng)技術(shù)文庫為您提供最新技術(shù)文章,最實用的電子技術(shù)文章,是您了解電子技術(shù)動態(tài)的最佳平臺。
FET 的全名是“場效電晶體(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)”,先從大家較耳熟能詳?shù)摹癕OS”來說明。...
圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)...
泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出,在28nm的High-K Metal Gate Stack中,leakage power仍然在總功耗中占據(jù)主導地位。...
根據(jù)實際電參數(shù)指標要求,在25℃室溫情況下,當測試電流IR=5μA時,器件反向重復峰值電壓(VRRM)需高于1200V。...
電機控制器的功率模塊,即IGBT器件和續(xù)流二極管,在開關(guān)和導通電流會產(chǎn)生損耗,損失的能量會轉(zhuǎn)化成熱能,表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。...
65W副邊外驅(qū)MOS充電器芯片U2281是一個高度集成的PWM控制集成電路的反轉(zhuǎn)換器,專門為需六級能效的開關(guān)電源而設(shè)計的。...
根據(jù)實際電參數(shù)指標要求,在25℃室溫情況下,當測試電流IR=5μA時,器件反向重復峰值電壓(VRRM)需高于1200V。...
首先利用TCAD半導體器件仿真軟件建立高反壓整流二極管結(jié)構(gòu),如圖1所示。...
導通角:導通角是指在一個周期內(nèi),由電力電子器件控制其導通的角度。交流電一般為正弦波形,它的一個周期為360度,正半周占180度,負半周占180度。...
首先利用TCAD半導體器件仿真軟件建立高反壓整流二極管結(jié)構(gòu),如圖1所示。...
導通角:導通角是指在一個周期內(nèi),由電力電子器件控制其導通的角度。交流電一般為正弦波形,它的一個周期為360度,正半周占180度,負半周占180度。...
階段6(t6—t7):在t6時刻,VCE下降到使IGBT進入飽和狀態(tài),柵極反射極電壓增加以維持IL,當VCE衰減穩(wěn)定后,穩(wěn)定值即為飽和導通壓降VCE(sat),到此開通過程完全結(jié)束。...
在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時間tr和下降時間tf來進行描述。圖5是IGBT整個開關(guān)過程的波形。...
階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開始對柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開啟。...
階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開始對柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開啟。...
EVM 提供以下功能: 通過絲印原理圖進行直觀評估 通過表面貼裝測試點輕松訪問節(jié)點 兩個原型區(qū)域的高級評估 參考電壓源靈活性 方便的輸入輸出過濾。...
提到FET,學電子的人都比較熟悉,F(xiàn)ET就是Field-Effect Transistor,場效應管。...
當晶閘管的門極接收到足夠的正向觸發(fā)脈沖時,晶閘管會從堵塞狀態(tài)變?yōu)閷顟B(tài)。此時,晶閘管的陽極和陰極之間會形成一個低阻抗通路,允許電流流經(jīng)晶閘管。...