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• 什么是FET？FinFET將半導體制程帶入新境界

  FET 的全名是“場效電晶體（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）”，先從大家較耳熟能詳?shù)摹癕OS”來說明。...

  5621次閱讀 · 0評論 MOSFETMOS管FETFinFET技術(shù)
  

• 為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管

  圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）...

  2216次閱讀 · 0評論 二極管電解電容SiCPFC電路EMI干擾
  

• 科普一下先進工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識

  泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，leakage power仍然在總功耗中占據(jù)主導地位。...

  12708次閱讀 · 0評論 晶體管NPN晶體管FinFETCMOS技術(shù)GND
  

• 功率二極管噪聲特性

  根據(jù)實際電參數(shù)指標要求，在25℃室溫情況下，當測試電流IR=5μA時，器件反向重復峰值電壓（VRRM）需高于1200V。...

  786次閱讀 · 0評論 功率二極管電阻器單晶硅電池擊穿電壓
  

• 聊聊IGBT功率模塊的結(jié)溫計算及其模型

  電機控制器的功率模塊，即IGBT器件和續(xù)流二極管，在開關(guān)和導通電流會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉(zhuǎn)化成熱能，表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。...

  8562次閱讀 · 0評論 新能源汽車IGBT電機控制器續(xù)流二極管simulink仿真
  

• 65W副邊外驅(qū)MOS充電器芯片U2281介紹

  65W副邊外驅(qū)MOS充電器芯片U2281是一個高度集成的PWM控制集成電路的反轉(zhuǎn)換器，專門為需六級能效的開關(guān)電源而設(shè)計的。...

  1131次閱讀 · 0評論 MOSFET開關(guān)電源MOS管充電器芯片VDD

• 功率二極管交流頻率響應介紹

  根據(jù)實際電參數(shù)指標要求，在25℃室溫情況下，當測試電流IR=5μA時，器件反向重復峰值電壓（VRRM）需高于1200V。...

  949次閱讀 · 0評論 二極管功率二極管電阻器單晶硅電池vrrm
  

• 功率二極管碰撞電離區(qū)位置與漂移區(qū)電阻率的關(guān)系

  首先利用TCAD半導體器件仿真軟件建立高反壓整流二極管結(jié)構(gòu)，如圖1所示。...

  1151次閱讀 · 0評論 整流二極管電阻器TCAD單晶硅片大功率二極管
  

• 功率二極管正、反向恢復過程功率損耗簡析

  導通角：導通角是指在一個周期內(nèi)，由電力電子器件控制其導通的角度。交流電一般為正弦波形，它的一個周期為360度，正半周占180度，負半周占180度。...

  2782次閱讀 · 0評論 功率二極管整流二極管電阻器脈沖電流變壓器
  

• 功率二極管的正向恢復特性和反向恢復特性

  首先利用TCAD半導體器件仿真軟件建立高反壓整流二極管結(jié)構(gòu)，如圖1所示。...

  3473次閱讀 · 0評論 二極管功率二極管整流二極管單晶硅TCAD
  

• 功率二極管仿真設(shè)計

  導通角：導通角是指在一個周期內(nèi)，由電力電子器件控制其導通的角度。交流電一般為正弦波形，它的一個周期為360度，正半周占180度，負半周占180度。...

  830次閱讀 · 0評論 功率二極管可控硅仿真器單晶硅電池變壓器
  

• 二極管結(jié)面積的影響

  階段6(t6—t7)：在t6時刻，VCE下降到使IGBT進入飽和狀態(tài)，柵極反射極電壓增加以維持IL，當VCE衰減穩(wěn)定后，穩(wěn)定值即為飽和導通壓降VCE(sat)，到此開通過程完全結(jié)束。...

  1186次閱讀 · 0評論 二極管電感器IGBT續(xù)流二極管VDC
  

• 談?wù)劧O管與IGBT少子壽命的影響

  在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時間tr和下降時間tf來進行描述。圖5是IGBT整個開關(guān)過程的波形。...

  1313次閱讀 · 0評論 二極管電感器IGBT續(xù)流二極管
  

• 二極管開關(guān)速度對雙脈沖測試條件下IGBT開關(guān)特性的影響

  階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開始對柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開啟。...

  1130次閱讀 · 0評論 電感器IGBT續(xù)流二極管VDC電容電壓
  

• IGBT雙脈沖測試仿真過程描述

  階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開始對柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開啟。...

  3470次閱讀 · 0評論 電感器IC設(shè)計IGBT續(xù)流二極管VCE
  

• 通用儀表放大器EVM原理圖解析

  EVM 提供以下功能： 通過絲印原理圖進行直觀評估 通過表面貼裝測試點輕松訪問節(jié)點 兩個原型區(qū)域的高級評估 參考電壓源靈活性 方便的輸入輸出過濾。...

  1558次閱讀 · 0評論 放大器運算放大器儀表放大器SMA連接器
  

• FinFET到底是什么呢？

  提到FET，學電子的人都比較熟悉，F(xiàn)ET就是Field-Effect Transistor，場效應管。...

  5037次閱讀 · 0評論 MOSFET場效應管FETFinFET寄生電阻
  

• 為什么二極管在線測量時，反向有電壓？

  為什么二極管在線測量時，反向有電壓？...

  3866次閱讀 · 0評論 繼電器二極管線圈PN結(jié)反向電壓
  

• 計算共射極放大電路的各個參數(shù)

  本文主要探討如何計算共射極放大電路的各個參數(shù)。很實用。...

  8469次閱讀 · 0評論 三極管電路圖放大電路集電極模電
  

• 晶閘管的工作過程是什么 晶閘管可控整流電路工作原理

  當晶閘管的門極接收到足夠的正向觸發(fā)脈沖時，晶閘管會從堵塞狀態(tài)變?yōu)閷顟B(tài)。此時，晶閘管的陽極和陰極之間會形成一個低阻抗通路，允許電流流經(jīng)晶閘管。...

  4745次閱讀 · 0評論 晶閘管整流電路功率器件脈沖信號
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