完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>
電子發(fā)燒友網(wǎng)技術文庫為您提供最新技術文章，最實用的電子技術文章，是您了解電子技術動態(tài)的最佳平臺。
8英寸SiC晶體生長的難點在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題。...
功率MOS場效應晶體管電參數(shù)指標中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。...
產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結構設計為梳狀結構。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。...
該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強等特點。...
該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強等特點。...
IGBT單胞結構參數(shù)：溝道長度4.3μm，溝道寬度2E4μm，多晶硅區(qū)半寬度13μm，窗口區(qū)半寬度12μm...
在學習運放選型前，我們需要先來透測的學習運放電路的內(nèi)部結構和原理，對于我們來說是模擬電路中十分重要的元件，它能組成放大、加法、減法、轉換等各種電路，我們可以運用運放的"虛短"和"虛斷"來分析電路，然后應用歐姆定律等電流電壓關系，即可得輸入輸出的放大關系等。...
同等電流情況下，一是可以選擇更低壓降的肖特基，可以保證VF稍微低0.2-0.3V，可以保證功耗情況下，比如選擇雷卯的SS34LVFA 壓降為0.3V。...
具體的鍺二極管參數(shù)可能會因不同的制造商和型號而有所差異。在選擇和使用鍺二極管時，建議參考具體型號的規(guī)格表，并根據(jù)應用需求選擇合適的參數(shù)。...
切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。...
IGBT的開關特性是通過對門極電容進行充放電來控制的，實際應用中經(jīng)常使用＋15V的正電壓對IGBT進行開通，再由-5V…-8V…-15V的負電壓進行關斷。...
車規(guī)級功率器件未來發(fā)展趨勢 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢，GaAs在細分領域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評測方面:多應力綜合測試方法、新型結溫測試方法和技術 ●進展方面:國產(chǎn)在趕超進口(參數(shù)和性能)，可靠性還需要時間沉淀...
前面章節(jié)，給大家介紹過運放增益帶寬積GBW和-3dB帶寬的概念，可以用來初步換算運放電路在某一增益下，所能達到的-3dB帶寬是多少。但在實際應用中，為了保證所需帶寬內(nèi)增益盡可能平坦，我們不可能將-3dB帶寬設置為我們的截止頻率。...
今天我們來討論一個三極管放大電路的問題，起因是在網(wǎng)上看到了一個“壓控電流源模型”比“流控電流源模型”更好的說法...
砷化鎵芯片的制造工藝相對復雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）等專門的生長技術。而硅芯片的制造工藝相對成熟和簡單，可以使用大規(guī)模集成電路（VLSI）技術進行批量制造。...
采用OptiMOS 7 技術的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。...
砷化鎵是一種半導體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運性能和能帶結構，常用于制造半導體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學應用中具有重要的地位。...
關注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
機器人發(fā)燒友
