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量化ADC動(dòng)態(tài)性能的六個(gè)技術(shù)指標(biāo)介紹

各點(diǎn)之間的間隔為fs/M，整個(gè)頻率覆蓋范圍為dc至fs/2，其中fs為采樣率。利用Analog Devices 公司的ADIsimADC程序?qū)硐氲?2位ADC進(jìn)行FFT分析后。...

8122次閱讀 · 0評(píng)論 adc信噪比頻譜分析儀頻譜SNR
三極管核心結(jié)構(gòu)及工作原理詳解

晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開關(guān)功能控制電流。...

3821次閱讀 · 0評(píng)論三極管晶體三極管限流電阻
艾為推出AWS790X2系列低噪聲CMOS運(yùn)算放大器

該運(yùn)算放大器的單位增益穩(wěn)定，并具有超低的輸入偏置電流，非常適合傳感器接口、有源濾波器、工業(yè)和便攜式應(yīng)用。...

759次閱讀 · 0評(píng)論 CMOS運(yùn)算放大器有源濾波器偏置電流艾為電子
為什么不建議肖特基并聯(lián)使用

正向穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通壓降低肖特基二極管正向壓降非常小，一般為0.2~0.45V，比快恢復(fù)二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小。...

4847次閱讀 · 0評(píng)論二極管整流二極管肖特基二極管快恢復(fù)二極管續(xù)流二極管
電流檢測(cè)電阻器很容易嗎？

總體電流檢測(cè)精度誤差的預(yù)算需要考慮三個(gè)因素：初始電阻容差、環(huán)境溫度變化引起的TCR誤差以及自發(fā)熱引起的TCR誤差。幸運(yùn)的是，供應(yīng)商會(huì)提供具有極低TCR的專用精密金屬箔電阻器。...

889次閱讀 · 0評(píng)論電流電阻器TCR
如何讓運(yùn)算放大器輸出振蕩

這種現(xiàn)象是由于環(huán)路不穩(wěn)定，相位裕度不足導(dǎo)致的；我們可以按照TI文檔中的方法進(jìn)行相位裕度的仿真。TI的文檔如下，我們先仿真一下不并聯(lián)電容情況下的相位裕度。...

3124次閱讀 · 0評(píng)論放大器運(yùn)算放大器方波并聯(lián)電容負(fù)載電容
晶體管極性識(shí)別：實(shí)用技巧與方法

晶體管的極性區(qū)別可通過圖形、黑點(diǎn)等標(biāo)記來進(jìn)行。該種識(shí)別技巧要牢記掌握，常見晶極管電極引腳有橢圓形和直線形排列。...

2365次閱讀 · 0評(píng)論電極晶體管
車企降價(jià)20%要求引發(fā)行業(yè)震動(dòng)：SiC產(chǎn)業(yè)將面臨怎樣的影響？

電動(dòng)汽車最大的成本為動(dòng)力電池（占比約38%），電控占比約為6%。據(jù)英飛凌估算，電控成本中，功率半導(dǎo)體（IGBT/SiC等）約占40%，其次是DC-Link電容，成本占比約為16%。...

745次閱讀 · 0評(píng)論電動(dòng)汽車新能源汽車車載電源薄膜電容薄膜電容器
碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢(shì)及技術(shù)挑戰(zhàn)

SiC器件的核心優(yōu)勢(shì)在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上，有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。...

2943次閱讀 · 0評(píng)論功率器件SiC碳化硅
關(guān)于差分放大器這些弊端你都知道嗎

差分放大器最完美的狀態(tài)是圖1電路中的兩個(gè)R1完全相等、兩個(gè)R2完全相等，然而，我們無法找到兩個(gè)阻值一模一樣的電阻，常見的電阻也有1%的誤差。這會(huì)使得電阻失配，將大大降低共模抑制比CMRR。...

1615次閱讀 · 0評(píng)論運(yùn)算放大器差分放大器儀表放大器差分放大電路輸入阻抗
一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。...

2932次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET功率器件互連技術(shù)SiC碳化硅
關(guān)于電容電抗的三個(gè)實(shí)例分享

隨著施加到電容器的頻率增加，其效果是降低其電抗（以歐姆為單位測(cè)量）。同樣，當(dāng)電容器兩端的頻率降低時(shí)，其電抗值也會(huì)增加。這種變化稱為電容器的復(fù)阻抗。...

2211次閱讀 · 0評(píng)論電容器阻抗交流電路直流電壓電容電抗
功率MOSFET的正反向?qū)ǖ刃щ娐穲D

功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊(cè)中獲得。...

2200次閱讀 · 0評(píng)論二極管MOSFET等效電路驅(qū)動(dòng)電壓
揭秘測(cè)溫型NTC熱敏電阻器的工作原理

NTC熱敏電阻器的阻值與溫度的關(guān)系是近似符合指數(shù)函數(shù)規(guī)律的，并可做出電阻-溫度特性曲線，阻值與溫度成一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系，利用NTC熱敏電阻器的這一阻溫特性，可由測(cè)量電阻值而推算出溫度的高低，它是NTC熱敏電阻器測(cè)溫的基礎(chǔ)。...

1947次閱讀 · 0評(píng)論電阻單片機(jī)熱敏電阻NTC電橋
快速掌握運(yùn)算的4個(gè)經(jīng)典電路分析

由于運(yùn)放的電壓放大倍數(shù)很大，一般通用型運(yùn)算放大器的開環(huán)電壓放大倍數(shù)都在 80dB 以上。而運(yùn)放的輸出電壓是有限的，一般在 10 V～14 V。因此運(yùn)放的差模輸入電壓不足 1 mV，兩輸入端近似等電位，相當(dāng)于 “短路”。開環(huán)電壓放大倍數(shù)越大，兩輸入端的電位越接近相等。...

1720次閱讀 · 0評(píng)論放大器pcb運(yùn)放電路運(yùn)算放大器
IGBT導(dǎo)熱機(jī)理及導(dǎo)熱材料的作用

根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示，芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過芯片傳到外殼底座，再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去（以對(duì)流和輻射的形式），而大部分熱量通過底座經(jīng)絕緣墊片直接傳到散熱器，最后由散熱器傳入空氣中。...

2154次閱讀 · 0評(píng)論散熱器散熱片IGBT功率器件
BUCK電路為何電感成為難點(diǎn)，而非簡單的MOS管與三元件組合？

什么是BUCK電路？BUCK電路就是降壓斬波電路,是基本的DC-DC電路，用于直流到直流的降壓變換；與之相對(duì)的是BOOST電路（BOOST電路...

1217次閱讀 · 0評(píng)論 BUCKMOS管電感buck電路
模擬開關(guān)的作用、模擬開關(guān)的選擇方法

模擬開關(guān)由于其應(yīng)用的信號(hào)鏈路為電子板低壓工作環(huán)境，耐壓值一般在15v以內(nèi)，常見的有3.3v、5v、12v、15v等最大耐壓值。選擇時(shí)必須注意信號(hào)鏈路的最大電壓與器件最大耐壓值。...

6180次閱讀 · 0評(píng)論導(dǎo)通電阻模擬開關(guān)等效電容RC濾波電路耦合電阻
如何從不同角度分析電容去耦原理

從儲(chǔ)能角度理解電容容易造成一種錯(cuò)覺，認(rèn)為電容越大越好。而且容易誤導(dǎo)大家認(rèn)為儲(chǔ)能作用發(fā)生在低頻段，不容易向高頻擴(kuò)展。實(shí)際上，從儲(chǔ)能角度理解，可以解釋任何電容的功能。...

1152次閱讀 · 1評(píng)論電容電源系統(tǒng)寄生電感電容去耦
淺談SiC晶體材料的主流生長技術(shù)

在SiC晶體的擴(kuò)徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴(kuò)展到6英寸或者8英寸上，需要花費(fèi)的周期特別長。...

1740次閱讀 · 0評(píng)論晶體SiC碳化硅