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某單板TVS接地不當(dāng)造成輻射騷擾超標(biāo)問(wèn)題分析

某產(chǎn)品EMC輻射騷擾測(cè)試超標(biāo)，通過(guò)近遠(yuǎn)場(chǎng)掃描配合定位分析，逐步找出騷擾源、傳播路徑，最終通過(guò)修改 PCB 走線切斷傳播路徑解決此問(wèn)題。...

1225次閱讀 · 0評(píng)論 emcTVS管以太網(wǎng)接口PCB走線FPGA開(kāi)發(fā)板
基本電子元件的簡(jiǎn)單物理特性

電容器是以靜電形式儲(chǔ)存能量的基本電子元件。它們有無(wú)數(shù)的用途，包括大量的能量?jī)?chǔ)存、平滑電子信號(hào)，以及作為計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)單元。...

777次閱讀 · 0評(píng)論電容器電阻器電感器電位器電子元件
三極管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

數(shù)電和模電到底什么？單片機(jī)的IO口處理的是什么？硬件通訊是怎么來(lái)完成的？...

2808次閱讀 · 0評(píng)論三極管單片機(jī)發(fā)射機(jī)驅(qū)動(dòng)電路蜂鳴器
如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)電路

MOS管開(kāi)關(guān)電路但是這個(gè)電路的缺點(diǎn)也是顯而易見(jiàn)，由于MOS管有一個(gè)寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過(guò)大，或者后端有別的電壓串進(jìn)來(lái)，會(huì)把前端給燒壞！...

2220次閱讀 · 0評(píng)論三極管開(kāi)關(guān)電路MOS管
繼電器如何選型？繼電器原理解析

繼電器的選用原則參見(jiàn)表 1，在表中“必須確定”欄中有“”號(hào)的項(xiàng)目被確定之后，就可選定一款繼電器。如果有進(jìn)一步的要求，需要進(jìn)一步考慮“參考”欄中有“”號(hào)的相應(yīng)項(xiàng)目。...

2397次閱讀 · 0評(píng)論繼電器壓敏電阻
碳化硅晶圓劃片技術(shù)

碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的核心材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢(shì)，是目前硅和砷化鎵等半導(dǎo)體材料所無(wú)法比擬的，應(yīng)用前景十分廣闊，是核心器件發(fā)展需要的關(guān)鍵材料，由于其加工難度大，一直未能得到大規(guī)模推廣應(yīng)用。...

1209次閱讀 · 0評(píng)論激光器發(fā)光二極管SiC半導(dǎo)體器件碳化硅
運(yùn)算放大器的關(guān)鍵指標(biāo)：增益和帶寬

本期，我們接著介紹運(yùn)放關(guān)鍵指標(biāo)最后一部分，主要分為開(kāi)環(huán)電壓增益、增益帶寬積和-3dB帶寬、壓擺率和建立時(shí)間。...

12695次閱讀 · 0評(píng)論運(yùn)算放大器運(yùn)放帶寬電壓增益
說(shuō)一說(shuō)有關(guān)IGBT的一項(xiàng)比較重要的測(cè)試—雙脈沖測(cè)試

對(duì)于任何一個(gè)器件，在使用之前，無(wú)論是生產(chǎn)方還是使用方都會(huì)進(jìn)行充分的驗(yàn)證，以確定產(chǎn)品的性能是否符合相應(yīng)的需求。...

9747次閱讀 · 0評(píng)論示波器變換器IGBT信號(hào)發(fā)生器續(xù)流二極管
氧化鎵（Ga2O3）溝槽二極管的相關(guān)研究進(jìn)展

Ga2O3技術(shù)成熟的一個(gè)主要障礙是器件過(guò)熱。對(duì)于Ga2O3溝槽器件，盡管與[010]溝槽側(cè)壁相比，[100]溝槽側(cè)壁的熱導(dǎo)率（kT[010]）更高，但具有[100]溝槽的Ga2O3溝槽器件很少被采用。...

2081次閱讀 · 0評(píng)論二極管氧化鎵
在調(diào)諧電路中實(shí)現(xiàn)的變壓二極管

由低電容規(guī)格決定的變?nèi)荻O管或變電容二極管的高頻應(yīng)用領(lǐng)域很少是可調(diào)帶通濾波器、自動(dòng)頻率控制器件、參數(shù)放大器和FM調(diào)制器。...

883次閱讀 · 0評(píng)論二極管變?nèi)荻O管調(diào)諧電路
深度剖析變?nèi)荻O管的工作原理

變?nèi)荻O管，也稱為變電容，VVC（電壓可變電容或調(diào)諧二極管），是一種半導(dǎo)體二極管，當(dāng)器件反向偏置時(shí)，其p-n結(jié)上具有可變電壓相關(guān)電容。...

6651次閱讀 · 0評(píng)論二極管變?nèi)荻O管
一文告訴你如何驅(qū)動(dòng)MOS管

MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛，包括邏輯控制，電源切換，負(fù)載開(kāi)關(guān)等，在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。...

8987次閱讀 · 0評(píng)論電容器MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電路PMOS管
三極管的兩三事

讓該管工作在放大狀態(tài)，測(cè)Ube電壓（基極與發(fā)射極的電壓），如果電壓Ube=0.2~0.3V（歐姆檔指針偏轉(zhuǎn)了4/5）則是鍺管，如果Ube=0.6~0.7V（歐姆檔指針偏轉(zhuǎn)了1/2--3/5）則是硅管。...

5178次閱讀 · 0評(píng)論 CMOS三極管TTL電路電源電壓NPN三極管
如何計(jì)算晶體管開(kāi)關(guān)電路-2

開(kāi)路集電極開(kāi)關(guān)和開(kāi)路發(fā)射極開(kāi)關(guān)也叫負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān)，前者是負(fù)載串聯(lián)在集電極，后者是負(fù)載串聯(lián)在發(fā)射極。...

1268次閱讀 · 0評(píng)論三極管led燈MOS管晶體管VDD
如何計(jì)算晶體管開(kāi)關(guān)電路-1

三極管是電流型元件，利用偏置電阻產(chǎn)生大于0.7V的Vbe電壓，然后通過(guò)控制電流大小，使晶體管工作在不同的區(qū)。...

1951次閱讀 · 0評(píng)論三極管晶體管射極跟隨器GPIOGND
超高速電流反饋型放大器SC7508芯片介紹

國(guó)產(chǎn)芯熾SC7508是一款超高速電流反饋型放大器，壓擺率高達(dá)5500V/μs，上升時(shí)間僅為545ps，因而非常適合用作脈沖放大器。...

1284次閱讀 · 0評(píng)論放大器脈沖信號(hào)
教你如何計(jì)算MOS管的開(kāi)關(guān)電路（二）

負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān)相比于上節(jié)講到的接地型和跟隨型開(kāi)關(guān)，使用更加廣泛，無(wú)論是輕負(fù)載還是重負(fù)載，電路幾乎沒(méi)有額外電流損耗。...

3024次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管PMOSGPIOVDDGND
教你如何計(jì)算MOS管的開(kāi)關(guān)電路（一）

分立MOS搭建的開(kāi)關(guān)電路在電路設(shè)計(jì)里面非常常見(jiàn)，在單板的邏輯設(shè)計(jì)，器件控制，供電控制，供電保護(hù)等等方面，都發(fā)揮著巨大的作用。...

10099次閱讀 · 0評(píng)論 led燈MOS管GPIOGNDNMOS管
MOS的電流方向是唯一的嗎？

在常規(guī)使用中，似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng)，但實(shí)際情況是，MOS的電流流向和BJT不一樣，BJT的電流流向已經(jīng)固定，但是MOS并沒(méi)有。...

10091次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管NMOSBJTPMOS體二極管
運(yùn)算放大器的關(guān)鍵指標(biāo)：干擾抑制和失真

本期，我們接著介紹運(yùn)放的關(guān)鍵指標(biāo)，主要分為輸入輸出電壓范圍、共模抑制比、電源電壓抑制比和全諧波失真加噪聲。...

3927次閱讀 · 0評(píng)論運(yùn)算放大器運(yùn)放失真共模抑制比干擾抑制