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某產(chǎn)品EMC輻射騷擾測(cè)試超標(biāo),通過(guò)近遠(yuǎn)場(chǎng)掃描配合定位分析,逐步找出騷擾源、傳播路徑,最終通過(guò)修改 PCB 走線切斷傳播路徑解決此問(wèn)題。...
電容器是以靜電形式儲(chǔ)存能量的基本電子元件。它們有無(wú)數(shù)的用途,包括大量的能量?jī)?chǔ)存、平滑電子信號(hào),以及作為計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)單元。...
數(shù)電和模電到底什么?單片機(jī)的IO口處理的是什么?硬件通訊是怎么來(lái)完成的?...
MOS管開(kāi)關(guān)電路 但是這個(gè)電路的缺點(diǎn)也是顯而易見(jiàn),由于MOS管有一個(gè)寄生的二極管,如果CD5V的濾波電容過(guò)大,或者后端有別的電壓串進(jìn)來(lái),會(huì)把前端給燒壞!...
繼電器的選用原則參見(jiàn)表 1,在表中“必須確定”欄中有“”號(hào)的項(xiàng)目被確定之后,就可選定一款繼電器。如果有進(jìn)一步的要求,需要進(jìn)一步考慮“參考”欄中有“”號(hào)的相應(yīng)項(xiàng)目。...
碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的核心材料,SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢(shì),是目前硅和砷化鎵等半導(dǎo)體材料所無(wú)法比擬的,應(yīng)用前景十分廣闊,是核心器件發(fā)展需要的關(guān)鍵材料,由于其加工難度大,一直未能得到大規(guī)模推廣應(yīng)用。...
本期,我們接著介紹運(yùn)放關(guān)鍵指標(biāo)最后一部分,主要分為開(kāi)環(huán)電壓增益、增益帶寬積和-3dB帶寬、壓擺率和建立時(shí)間。...
對(duì)于任何一個(gè)器件,在使用之前,無(wú)論是生產(chǎn)方還是使用方都會(huì)進(jìn)行充分的驗(yàn)證,以確定產(chǎn)品的性能是否符合相應(yīng)的需求。...
Ga2O3技術(shù)成熟的一個(gè)主要障礙是器件過(guò)熱。對(duì)于Ga2O3溝槽器件,盡管與[010]溝槽側(cè)壁相比,[100]溝槽側(cè)壁的熱導(dǎo)率(kT[010])更高,但具有[100]溝槽的Ga2O3溝槽器件很少被采用。...
由低電容規(guī)格決定的變?nèi)荻O管或變電容二極管的高頻應(yīng)用領(lǐng)域很少是可調(diào)帶通濾波器、自動(dòng)頻率控制器件、參數(shù)放大器和FM調(diào)制器。...
變?nèi)荻O管,也稱為變電容,VVC(電壓可變電容或調(diào)諧二極管),是一種半導(dǎo)體二極管,當(dāng)器件反向偏置時(shí),其p-n結(jié)上具有可變電壓相關(guān)電容。...
MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開(kāi)關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。...
讓該管工作在放大狀態(tài),測(cè)Ube電壓(基極與發(fā)射極的電壓),如果電壓Ube=0.2~0.3V(歐姆檔指針偏轉(zhuǎn)了4/5)則是鍺管,如果Ube=0.6~0.7V(歐姆檔指針偏轉(zhuǎn)了1/2--3/5)則是硅管。...
開(kāi)路集電極開(kāi)關(guān)和開(kāi)路發(fā)射極開(kāi)關(guān)也叫負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān),前者是負(fù)載串聯(lián)在集電極,后者是負(fù)載串聯(lián)在發(fā)射極。...
三極管是電流型元件,利用偏置電阻產(chǎn)生大于0.7V的Vbe電壓,然后通過(guò)控制電流大小,使晶體管工作在不同的區(qū)。...
國(guó)產(chǎn)芯熾SC7508是一款超高速電流反饋型放大器,壓擺率高達(dá)5500V/μs,上升時(shí)間僅為545ps,因而非常適合用作脈沖放大器。...
負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān)相比于上節(jié)講到的接地型和跟隨型開(kāi)關(guān),使用更加廣泛,無(wú)論是輕負(fù)載還是重負(fù)載,電路幾乎沒(méi)有額外電流損耗。...
分立MOS搭建的開(kāi)關(guān)電路在電路設(shè)計(jì)里面非常常見(jiàn),在單板的邏輯設(shè)計(jì),器件控制,供電控制,供電保護(hù)等等方面,都發(fā)揮著巨大的作用。...
在常規(guī)使用中,似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng),但實(shí)際情況是,MOS的電流流向和BJT不一樣,BJT的電流流向已經(jīng)固定,但是MOS并沒(méi)有。...
本期,我們接著介紹運(yùn)放的關(guān)鍵指標(biāo),主要分為輸入輸出電壓范圍、共模抑制比、電源電壓抑制比和全諧波失真加噪聲。...