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源極接地放大電路設(shè)計(jì)(1)

下圖是源極接地放大電路。分析它的直流點(diǎn)位是多少？此時(shí)交流信號(hào)是不存在的，即V2=0V。...

969次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET放大電路接地FET源極
FET的分類和電路符號(hào)

下圖是N型FET的結(jié)構(gòu)圖，左邊是JFET,右邊是MOSFET。電流流過漏極和源極之間的部分稱為溝道。JFET的柵極和溝道之間有等效二極管（PN結(jié)），所以稱為結(jié)型FET。...

9518次閱讀 · 0評(píng)論二極管MOSFETJFETFET電路符號(hào)
MOS管什么情況下會(huì)遭受靜電破壞？

MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓 (U=Q/C)，將管子損壞。...

941次閱讀 · 0評(píng)論二極管MOS管電磁場(chǎng)
淺析TSV硅轉(zhuǎn)接基板的可靠性評(píng)價(jià)方法

硅通孔(Through Si Vias，TSV)硅轉(zhuǎn)接基板技術(shù)作為先進(jìn)封裝的一種工藝方式，是實(shí)現(xiàn)千級(jí)IO芯片高密度組裝的有效途徑，近年來在系統(tǒng)集成領(lǐng)域得到快速應(yīng)用。...

1724次閱讀 · 0評(píng)論處理器存儲(chǔ)器硅晶圓IC芯片TSV封裝
二極管的關(guān)鍵參數(shù)

二極管的物理結(jié)構(gòu)有兩種，一種是普通的P-N結(jié)，一種是金屬半導(dǎo)體結(jié)...

9362次閱讀 · 0評(píng)論二極管轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源整流器SMPS控制器
MOS的寄生模型

引言：MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的縮寫，具有高速和低損耗的特性，廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。...

2637次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETMOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管RDSON控制器寄生二極管
概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。...

1227次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETSiC功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)器電容電流
二極管失效的主要原因

對(duì)普通整流二極管來講，只要應(yīng)用電路中存在電網(wǎng)波動(dòng)、同網(wǎng)中的大功率設(shè)備開啟關(guān)斷、雷擊、開關(guān)火花、大容量的感性負(fù)載、大容量的容性負(fù)載這些情況下，瞬間電壓高于二極管反向擊穿電壓值時(shí)，就可能產(chǎn)生電壓損傷參數(shù)衰減或完全擊穿短路開路的情況。對(duì)保護(hù)二極管來說，就是電路中存在高于器件保護(hù)電壓的，造成保護(hù)器件連續(xù)導(dǎo)...

5828次閱讀 · 0評(píng)論二極管半導(dǎo)體整流二極管功率器件
一文講透IGBT 模塊失效的機(jī)理

驅(qū)動(dòng)電路的工作頻率（最小脈寬）相對(duì) IGBT 開關(guān)頻率（占空比范圍）不足，或輔助電源平均輸出功率不足，導(dǎo)致的輸出不穩(wěn)定。這個(gè)問題導(dǎo)致的后果是，驅(qū)動(dòng)狀態(tài)發(fā)生波動(dòng)，系統(tǒng)最壞情況出現(xiàn)概率增加。...

2527次閱讀 · 0評(píng)論變壓器開關(guān)器件
集成運(yùn)算放大電路的組成和傳輸特性

今天開始，繼續(xù)總結(jié)模擬電子技術(shù)典型電路的仿真。...

9900次閱讀 · 0評(píng)論集成電路MOS管模擬電子集成運(yùn)放運(yùn)算放大電路
深度剖析旁路和阻斷二極管

不斷增長(zhǎng)的電力需求創(chuàng)造了對(duì)太陽能的巨大需求，可以公平地說，二極管使太陽能系統(tǒng)的使用成為可能和高效。事實(shí)上，太陽能電池只不過是一個(gè)光敏二極管，當(dāng)太陽光照射在其上時(shí)會(huì)產(chǎn)生電流。但是撇開太陽能電池使用帶有太陽能電池和面板的常規(guī)二極管是非常必要的。...

2937次閱讀 · 0評(píng)論二極管旁路二極管
OTL功放電路的工作原理

前面介紹了OCL電路的結(jié)構(gòu)及工作原理，發(fā)現(xiàn)在OCL電路中存在不足，即交越失真，其本質(zhì)是輸入波形在零點(diǎn)附近時(shí)，晶體管進(jìn)入死區(qū)而使輸出波形出現(xiàn)失真。...

12037次閱讀 · 0評(píng)論功放電路功率放大電路晶體管OTL電路OCL電路
OCL功放電路的工作原理和交越失真

前面介紹了功率放大電路的常見類型及要求。今天以O(shè)CL電路為例，說明功放電路的分析方法。...

16980次閱讀 · 0評(píng)論三極管功放電路功率放大電路OCLOCL電路
功率放大電路的分類和要求

簡(jiǎn)單聊聊功率放大電路，它以輸出較大功率為目的，可直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，比如電子擴(kuò)音器、自動(dòng)控制系統(tǒng)中的執(zhí)行機(jī)構(gòu)等。...

3258次閱讀 · 0評(píng)論三極管負(fù)載功放電路功率放大電路晶體管
負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響

前面，我們了解到負(fù)反饋有不同的類型。那么問題來了，為何要?jiǎng)澐诌@么多類型？這要從負(fù)反饋對(duì)放大電路的性能影響說起。...

14388次閱讀 · 0評(píng)論示波器放大電路波形負(fù)反饋輸出電阻
1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。...

1353次閱讀 · 0評(píng)論功率器件GaN功率半導(dǎo)體
運(yùn)算放大器的關(guān)鍵指標(biāo)：失調(diào)和偏置

上一期小編對(duì)運(yùn)放的概念做了一個(gè)初步的講解，虛斷和虛短的概念大家都掌握了嗎？今天開始，小編將會(huì)花費(fèi)幾期時(shí)間，和大家重點(diǎn)介紹運(yùn)放的關(guān)鍵參數(shù)，這也是大家了解運(yùn)放并能靈活使用運(yùn)放的關(guān)鍵，我愿稱之為運(yùn)放最核心的內(nèi)容。...

1779次閱讀 · 0評(píng)論運(yùn)算放大器運(yùn)放失調(diào)電壓虛短
為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。...

688次閱讀 · 0評(píng)論二極管半導(dǎo)體肖特基二極管SiC碳化硅
功率放大器基礎(chǔ)知識(shí)科普分析

功率放大器（PA）是大多數(shù)射頻、微波和毫米波傳感、通信、電子戰(zhàn)重要部件。許多應(yīng)用需要天線端口的極端信號(hào)功率水平才能達(dá)到必要的范圍或吞吐量水平。...

1698次閱讀 · 0評(píng)論射頻功率放大器無線通信低噪聲放大器毫米波傳感器
單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器電路圖及波形圖

　基本集電極耦合晶體管單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器電路及其相關(guān)波形如上所示。當(dāng)電源打開時(shí)，晶體管TR2的基極通過偏置電阻RT連接到Vcc，使晶體管完全導(dǎo)通并進(jìn)入飽和狀態(tài)。同時(shí)，TR1在此過程中閉合，代表零輸出電路的穩(wěn)態(tài)。因此，流入TR2飽和基極的電流將為：Ib= （Vcc-0.7）/RT。...

3530次閱讀 · 0評(píng)論單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器多諧振蕩器電路