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MOSFET基本概述和分類

MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝...

2298次閱讀 · 0評論 MOSFET驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體場效應(yīng)管晶體管
MOS管（三極管）—一些常用的硬件設(shè)計(jì)電路分析

芯片的集成度雖然越來越高，但是整個(gè)電路功能的實(shí)現(xiàn)，還是離不開分離器件的搭配，本文就針對筆者在實(shí)際工作中的關(guān)于 MOS 管（三極管）的應(yīng)用做一些整理。...

5959次閱讀 · 0評論三極管MOS管LED控制GPIOPWR
MOS管寄生二極管的作用和方向判斷

二極管，（英語：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap Diode）則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極管最普遍的功能就是...

4020次閱讀 · 0評論二極管原理圖MOSFETMOS管寄生二極管
PMOS過壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)

適用于24V系統(tǒng)，本文旨在給出24V系統(tǒng)中l(wèi)oaddunp保護(hù)電壓小于46V的器件的VBAT供電方案。...

3539次閱讀 · 0評論控制器PMOSTVS管過壓保護(hù)電路電源負(fù)載
MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)案例

對于小功率電源（50W以內(nèi)）MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對簡單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。...

5883次閱讀 · 0評論三極管振蕩器MOS管功率電源驅(qū)動(dòng)電阻
離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。...

1579次閱讀 · 0評論 CMOSMOSFET驅(qū)動(dòng)器DRAM硅芯片
繼電器并聯(lián)二極管的作用和電路圖分析

一旦電流變?yōu)榱悖捎陔姼锌偸窃噲D阻礙電流變化，此時(shí)它又想維持電路電流為零。...

2645次閱讀 · 0評論繼電器二極管電感器電感續(xù)流二極管
天線與晶體管發(fā)展歷程

天線與晶體管是人類歷史上兩項(xiàng)最偉大的發(fā)明。天線開啟了無線電的時(shí)代，晶體管開辟了電子學(xué)的新世界。...

2182次閱讀 · 0評論 MOS管晶體管無線電電磁場偏置電壓
國產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)

SiC薄膜生長方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是生長用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。...

2753次閱讀 · 0評論新能源汽車晶圓SiC碳化硅CVD
分享一種MOS管及其外圍電路設(shè)計(jì)方案

常用的mos管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動(dòng)信號經(jīng)過圖騰柱放大后，經(jīng)過一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos管驅(qū)動(dòng)。...

2836次閱讀 · 0評論二極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路寄生電容Vcc
NPN三極管與N-MOS管當(dāng)開關(guān)管原理詳解

三極管和MOS管都是很常用的電子元器件，兩者都可以作為電子開關(guān)管使用，而且很多場合兩者都是可以互換使用的。三極管和MOS管作為開關(guān)管時(shí)，有很多相似之處，也有不同之處，那么在電路設(shè)計(jì)時(shí)，兩者之間該如何選擇呢?...

7690次閱讀 · 0評論三極管電路設(shè)計(jì)MOS管引腳開關(guān)管
三極管的基本原理和實(shí)例說明

怎么設(shè)計(jì)三極管電路，使三極管的工作電流最大？三極管有三個(gè)工作區(qū)間：截止、放大和飽和，三極管達(dá)到飽和時(shí)工作電流是最大的，那么怎么設(shè)計(jì)使三極管工作在飽和區(qū)呢？...

5034次閱讀 · 0評論三極管元器件PN結(jié)pnpNPN
構(gòu)建一個(gè)B類放大器電路

這是給你們準(zhǔn)備的，他們剛剛開始使用晶體管和運(yùn)算放大器。B類放大器與它們一樣基本，但仍然具有優(yōu)美而溫暖的聲音。它由兩個(gè)獨(dú)立的級組成，第一個(gè)級負(fù)責(zé)放大器的電壓增益并為輸出設(shè)置正確的電壓偏移。電路的第二部分使用功率晶體管來提升放大器可以為負(fù)載提供的電流。如果沒有它，一旦負(fù)載的電流要求超過其額定電流，運(yùn)算放...

1040次閱讀 · 0評論放大器電路B類放大器
PN結(jié)二極管的工作原理/特性和應(yīng)用

二極管是一種半導(dǎo)體器件，它具有特殊的特性，當(dāng)電流從一個(gè)方向流出時(shí)允許電流，如果電流方向相反，則阻塞電流。...

3599次閱讀 · 0評論二極管晶體管硅二極管漏電流
集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用電路(5)

集成運(yùn)放是由多級直接耦合放大電路組成的高增益模擬集成電路。自從1964年美國仙童公司研制出第一個(gè)單片集成運(yùn)算放大器μA702以來，集成運(yùn)算放大器得到了廣泛的應(yīng)用。...

3863次閱讀 · 0評論集成電路放大器運(yùn)放集成運(yùn)放集成運(yùn)算放大器
集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用電路(4)

集成運(yùn)放是由多級直接耦合放大電路組成的高增益模擬集成電路。自從1964年美國仙童公司研制出第一個(gè)單片集成運(yùn)算放大器μA702以來，集成運(yùn)算放大器得到了廣泛的應(yīng)用。...

2568次閱讀 · 0評論集成電路放大器正弦波集成運(yùn)放集成運(yùn)算放大器
集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用電路(3)

集成運(yùn)放是由多級直接耦合放大電路組成的高增益模擬集成電路。自從1964年美國仙童公司研制出第一個(gè)單片集成運(yùn)算放大器μA702以來，集成運(yùn)算放大器得到了廣泛的應(yīng)用。...

2376次閱讀 · 0評論集成電路輸出電壓集成運(yùn)放集成運(yùn)算放大器
集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用電路(2)

集成運(yùn)放是由多級直接耦合放大電路組成的高增益模擬集成電路。自從1964年美國仙童公司研制出第一個(gè)單片集成運(yùn)算放大器μA702以來，集成運(yùn)算放大器得到了廣泛的應(yīng)用。...

7123次閱讀 · 0評論集成電路放大器示波器運(yùn)放集成運(yùn)算放大器
集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用電路(1)

集成運(yùn)放是由多級直接耦合放大電路組成的高增益模擬集成電路。自從1964年美國仙童公司研制出第一個(gè)單片集成運(yùn)算放大器μA702以來，集成運(yùn)算放大器得到了廣泛的應(yīng)用。...

6090次閱讀 · 0評論集成電路放大器運(yùn)放集成運(yùn)放集成運(yùn)算放大器
源極接地放大電路設(shè)計(jì)(2)

電壓電源V1由最大輸出電壓決定。例如為了得到Vpp=3V的輸出電壓，電源電壓必須在3V以上，否則輸出信號會(huì)失真（削波）。為了確保源極偏置電流，在R4上需要有電壓存在，例如1V或者更多。因此合計(jì)起來，電源電壓至少在4V以上。當(dāng)前例子中，此電壓取值為15V。...

1367次閱讀 · 0評論放大電路電路設(shè)計(jì)輸出電壓FET源極