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如何用單PMOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)？

在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前，我們先來看看不同類型的負(fù)載開關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)將負(fù)載與電源連接或斷開，由外部啟用信號(hào)控制開關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載。...

4537次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET驅(qū)動(dòng)電路負(fù)載電源GNDPMOS管
如何用雙MOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)？

基于單個(gè)MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開關(guān)只能阻斷一個(gè)方向的電流，由于MOSFET有一個(gè)固有的體二極管，如果存在反向電流，它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管...

10704次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET連接器負(fù)載開關(guān)FET體二極管
納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果

碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料，正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片，應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、微網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。...

784次閱讀 · 0評(píng)論功率器件充電樁碳化硅納微半導(dǎo)體
如何用單NMOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)？

需要通過負(fù)載開關(guān)將電路或子系統(tǒng)與電源斷開有幾個(gè)原因，一個(gè)非常簡(jiǎn)單和常見的原因是，它有助于節(jié)省電力。...

2899次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET負(fù)載開關(guān)GPIOGNDNMOS管
如何用MOS設(shè)計(jì)分立式電平轉(zhuǎn)換系統(tǒng)？

引言：當(dāng)傳統(tǒng)設(shè)備與使用較小電平的新設(shè)備連接時(shí)，需要進(jìn)行邏輯電平轉(zhuǎn)換。...

2375次閱讀 · 0評(píng)論電阻器MOS管電平轉(zhuǎn)換器電源電壓I2C總線
雙路放大器THS4032CDGN特性介紹

THS4032CDGN是超低電壓噪聲、高速電壓反饋放大器，適用于需要低電壓噪聲的應(yīng)用，包括通信和成像應(yīng)用。...

968次閱讀 · 0評(píng)論集成電路反饋放大器
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記：各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)

當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。...

21402次閱讀 · 0評(píng)論芯片MOSFETJFET仿真SiC
基于Xilinx K7-410T的高速DAC之AD9129開發(fā)筆記（一）

本文開始，我們介紹下項(xiàng)目中設(shè)計(jì)的并行LVDS高速DAC接口設(shè)計(jì)，包括DAC與FPGA硬件接口設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)等。...

1655次閱讀 · 0評(píng)論 FPGA設(shè)計(jì)dac數(shù)模轉(zhuǎn)換器lvds接口AD9129
二極管鉗位電路和限幅電路的區(qū)別

鉗位電路和限幅電路之間的主要區(qū)別在于，限幅電路是限制輸出電壓的電路，而鉗位電路是改變輸出電壓直流電平的電路。限幅電路和鉗位器路的工作原理完全相反。...

2287次閱讀 · 0評(píng)論二極管限幅器限幅電路鉗位電路輸入信號(hào)
A/D轉(zhuǎn)換器的基本原理及種類

在一系列選定的瞬間對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行取樣，然后再將這些取樣值轉(zhuǎn)換成輸出的數(shù)字量，并按一定的編碼形式給出轉(zhuǎn)換結(jié)果。...

6221次閱讀 · 0評(píng)論并聯(lián)轉(zhuǎn)換器比較器保持電路數(shù)字量
負(fù)反饋放大電路的計(jì)算及設(shè)計(jì)

一般的放大電路，增益達(dá)到40-60dB就很不錯(cuò)了。但是考慮到電路的穩(wěn)定性，采用一只晶體管放大電路的增益一般希望在20dB，若要獲得更高的電壓增益，就需要考慮二級(jí)或者多級(jí)耦合放大電路了。...

3489次閱讀 · 0評(píng)論放大器放大電路晶體管負(fù)反饋NPN
IGBT基礎(chǔ)知識(shí)匯總

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。...

1239次閱讀 · 0評(píng)論三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管
IGBT是什么？IGBT的工作原理

IGBT的輸出特性通常表示的是以柵極-發(fā)射極電壓VGE為參變量時(shí)，漏極電流IC和集電極-發(fā)射極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。...

2912次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETIGBT晶體管
MOS管基礎(chǔ)知識(shí)

半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的，所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管(FET)，簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。...

758次閱讀 · 0評(píng)論三極管MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管JFET
運(yùn)放輸入失調(diào)電壓(Vos)和溫漂(ΔVos/ΔT)

輸入失調(diào)電壓（Vos）和溫漂(ΔVos/ΔT)是運(yùn)放直流參數(shù)中比較重要的參數(shù)，本文主要介紹運(yùn)放的失調(diào)電壓和溫漂，幫助工程師快速理解。...

3720次閱讀 · 0評(píng)論運(yùn)放跟隨器溫漂失調(diào)電壓GND
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度...

2577次閱讀 · 0評(píng)論芯片MOSFETJFET晶體管功率MOSFET
淺談MOS管損壞之謎

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。...

1663次閱讀 · 0評(píng)論開關(guān)二極管MOSFETMOS管晶體管
淺談數(shù)字光電耦合器主要參數(shù)

數(shù)字光電耦合器（Digital Optocoupler）是一種電氣和光學(xué)隔離器件，用于將數(shù)字信號(hào)傳輸和隔離。它通常由光電二極管和光敏晶體管組成。...

1533次閱讀 · 0評(píng)論光敏晶體管光電二極管數(shù)字光電耦合器
SiC MOSFET模塊串?dāng)_問題及應(yīng)用對(duì)策

針對(duì)SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串?dāng)_問題，文章首先對(duì)3種測(cè)量差分探頭的參數(shù)和測(cè) 量波形進(jìn)行對(duì)比，有效減小測(cè)量誤差；然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負(fù)向峰值過大的原因，并提出3種有效應(yīng)用對(duì)策：減小柵極阻抗、采用有源米勒箝位和三級(jí)關(guān)斷串?dāng)_抑制電路。其中，減小柵極阻抗可減小感...

8862次閱讀 · 0評(píng)論三極管MOSFET探頭SiC串?dāng)_
淺談OLF100晶體管和OLC249光電耦合器芯片的應(yīng)用

OLF100晶體管輸出光耦合器主要是由一個(gè)發(fā)光二極管組成，并且該發(fā)光二極管與安裝在8針密封表面安裝扁平封裝中的NPN硅光電晶體管光學(xué)耦合。...

1024次閱讀 · 0評(píng)論晶體管光電耦合器