日日干天堂av,久久爱影视一区,亚洲欧美日韩有码

技術(shù)頻道

應(yīng)用頻道

電子發(fā)燒友網(wǎng) > 技術(shù)文庫(kù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)技術(shù)文庫(kù)為您提供最新技術(shù)文章，最實(shí)用的電子技術(shù)文章，是您了解電子技術(shù)動(dòng)態(tài)的最佳平臺(tái)。

瞬態(tài)按捺二極管的工作原理

瞬態(tài)按捺二極管（瞬態(tài)電壓按捺器）(TVS)的作業(yè)原理與(壓二極管又名齊納二極管）穩(wěn)壓二極管相同，但構(gòu)造上有差別。其最大的差別是通常穩(wěn)壓二極管構(gòu)成的PN結(jié)面積很小，它能接受的反向電流(反向電流是指二極管在規(guī)則的溫度和最高反向電壓效果下，（電路一點(diǎn)通）流過(guò)二極管的反向電流)較小。...

1036次閱讀 · 0評(píng)論二極管保險(xiǎn)絲TVSMOSPN結(jié)
晶振不起振的原因有哪些？

晶片的化學(xué)成分為二氧化硅，與玻璃相同，屬于清脆易碎品，在承受較大沖撞、跌落、強(qiáng)震動(dòng)、溫度環(huán)境極速變化等外力作用的情況下有可能產(chǎn)生破裂、破碎等現(xiàn)象。...

1771次閱讀 · 0評(píng)論晶振
模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié) 模電經(jīng)典電路與電路原理基礎(chǔ)知識(shí)

? 01基爾霍夫定理的內(nèi)容是什么？基爾霍夫電流定律：在電路任一節(jié)點(diǎn)，流入、流出該節(jié)點(diǎn)電流的代數(shù)和為零。基爾霍夫電壓定律：在電路中的任一閉合電路，電壓的代數(shù)和為零。 ? 02戴維南定理一個(gè)含獨(dú)立源、線性電阻和受控源的二端電路，對(duì)其兩個(gè)端子來(lái)說(shuō)都可等效為一個(gè)理想電壓源串聯(lián)內(nèi)阻的模型。其理想電壓...

5862次閱讀 · 0評(píng)論電路等效電路模擬電子模電rc振蕩器
什么是氮化鎵半導(dǎo)體氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)在于它極快的開(kāi)關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒(méi)有體二極管pn結(jié)，因此在硬開(kāi)關(guān)中，沒(méi)有相關(guān)的反向恢復(fù)電荷。...

1645次閱讀 · 0評(píng)論功率器件氮化鎵無(wú)刷直流電機(jī)伺服驅(qū)動(dòng)器電力傳輸
一文詳解推挽電路原理圖

其輸出的效果圖如上圖所示，可能細(xì)心的人會(huì)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)輸入信號(hào)的高電平低于電源電壓時(shí)，這意味著上N管的CE節(jié)將會(huì)承受較高的電壓。這也就意味著上管將有著發(fā)熱壞的風(fēng)險(xiǎn)。...

18494次閱讀 · 0評(píng)論三極管場(chǎng)效應(yīng)管推挽電路
一文詳解MOS的寄生模型

引言：MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的縮寫(xiě)，具有高速和低損耗的特性，廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。和普通的阻容一樣，MOS也有其寄生模型，了解其等效寄生模型有助于我們?cè)诟咚賾?yīng)用中快速掌握其特性。...

4743次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETNMOS晶體管MOSPMOS
如何實(shí)施IGBT裝置的絕緣耐壓測(cè)試？

IGBT作為大功率電力電子器件廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備中。為了滿足安全要求，這些設(shè)備在電氣設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中要遵循相應(yīng)的規(guī)范。...

9202次閱讀 · 0評(píng)論整流二極管接觸器寄生電容變流器IGBT模塊
IGBT模塊的3D建模

最近發(fā)現(xiàn)很多小伙伴都是玩新能源高壓電驅(qū)的，想讓我講一講用CST如何建立IGBT模型。...

5113次閱讀 · 0評(píng)論晶體管emcBJTIGBT模塊CST
如何正確理解IGBT廠家給出的功率循環(huán)曲線？

近年來(lái)IGBT的可靠性問(wèn)題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。...

1574次閱讀 · 0評(píng)論 IGBTCIPSigbt芯片
如何進(jìn)行準(zhǔn)確的IGBT模塊壽命評(píng)估呢？

IGBT廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中，其可靠性一直都是制造商和用戶重點(diǎn)關(guān)注的問(wèn)題。...

2101次閱讀 · 0評(píng)論二極管IGBT電力電子IGBT模塊DCB
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái)，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點(diǎn)介紹其一些性能特性和應(yīng)用空間。...

5935次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET功率器件SiC氮化鎵GaN
半導(dǎo)體制備工藝的發(fā)展歷程及種類特性

半導(dǎo)體工藝的發(fā)展歷程幾乎與現(xiàn)代電子工業(yè)的發(fā)展歷程一致。早在20世紀(jì)40年代，貝爾實(shí)驗(yàn)室的研究人員發(fā)明了第一個(gè)點(diǎn)接觸式晶體二極管，標(biāo)志著半導(dǎo)體技術(shù)的誕生。...

1715次閱讀 · 0評(píng)論二極管半導(dǎo)體
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)

場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET），另一類是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。...

1530次閱讀 · 0評(píng)論三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS
IGBT模塊壽命評(píng)估實(shí)驗(yàn)依據(jù)

隨著高速動(dòng)車組列車、電動(dòng)汽車及其充電樁、5G 通信設(shè)備、交直流混合配電網(wǎng)、柔性直流輸電、新能源發(fā)電裝置等這些新興科技的迅猛發(fā)展...

3155次閱讀 · 0評(píng)論電動(dòng)汽車IGBTDBCIGBT模塊硅芯片
差動(dòng)放大電路如何抑制零點(diǎn)漂移

從直流分析，我們看到差動(dòng)放大電路可視為兩個(gè)完全相同的共射極放大電路以對(duì)稱形式構(gòu)成。這種特殊的結(jié)構(gòu)如何抑制零點(diǎn)漂移呢？與它的對(duì)稱結(jié)構(gòu)有關(guān)，請(qǐng)看：...

7653次閱讀 · 0評(píng)論放大電路信號(hào)源晶體管差動(dòng)放大電路零點(diǎn)漂移
差動(dòng)放大電路的結(jié)構(gòu)和靜態(tài)工作點(diǎn)分析

由于溫度變化而引起的電壓漂移是零點(diǎn)漂移的主要成分，用熱敏元件進(jìn)行溫度補(bǔ)償不失為一種解決溫漂的好辦法。受補(bǔ)償思想啟發(fā)，用2只型號(hào)和特性都相同的晶體管來(lái)進(jìn)行補(bǔ)償，也收到了較好的抑制零點(diǎn)漂移的效果，這就是差動(dòng)放大電路（也稱差分放大電路）。...

9000次閱讀 · 0評(píng)論放大電路晶體管差分放大電路差動(dòng)放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)
多級(jí)放大電路中零點(diǎn)漂移產(chǎn)生與抑制措施

在多級(jí)放大電路，尤其是直接耦合多級(jí)放大電路中，當(dāng)放大電路輸入信號(hào)為零（即沒(méi)有交流輸入）時(shí)，由于受溫度變化、電源電壓不穩(wěn)、元件參數(shù)變化等因素的影響，使靜態(tài)工作點(diǎn)發(fā)生變化，并被逐級(jí)放大和傳輸，導(dǎo)致電路輸出端電壓偏離原固定值而上下漂動(dòng)的現(xiàn)象。...

7851次閱讀 · 0評(píng)論放大電路晶體管差動(dòng)放大電路輸入信號(hào)零點(diǎn)漂移
如何用分立式BJT設(shè)計(jì)高低邊開(kāi)關(guān)？

MOS類型高低邊開(kāi)關(guān)固有其優(yōu)勢(shì)，比如壓降小，損耗低，控制簡(jiǎn)易，使用場(chǎng)景也比BJT類型的高低邊開(kāi)關(guān)廣泛...

1899次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管LED驅(qū)動(dòng)BJTVcc驅(qū)動(dòng)電流
教你如何使用三極管BJT驅(qū)動(dòng)MOS管

受限于MOS管的驅(qū)動(dòng)閾值，在許多的應(yīng)用場(chǎng)景中無(wú)法直接使用MCU或者SOC的GPIO電平驅(qū)動(dòng)MOS的導(dǎo)通與關(guān)斷，此時(shí)需要在MOS的G極處增加一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)GPIO電平可以驅(qū)動(dòng)MOS。...

19247次閱讀 · 1評(píng)論三極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路GPIOLRC
開(kāi)關(guān)MOS的驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)分享

MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。...

1528次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路寄生電容電容電壓