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• 設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù)

  我們將討論設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù)，還分析了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和MOSFET特性之間的差異，并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應(yīng)用并使其更有效。...

  2012次閱讀 · 0評論 放大器MOSFET功率放大器晶體管BJT
  

• 關(guān)于功率MOS管燒毀的原因總結(jié)

  MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓（半導(dǎo)體的雪崩擊穿）、過電流（鍵合線或者襯底熔化）、過熱（半導(dǎo)體材料由于高溫而分解）。...

  1633次閱讀 · 0評論 IGBTMOS
  

• 如何利用TRENCHSTOP? 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC

  緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計的開發(fā)者一直追求的目標(biāo)。...

  943次閱讀 · 0評論 二極管IGBTPFCSiC
  

• 關(guān)于IGBT模塊可靠性測試

  作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。...

  2904次閱讀 · 0評論 IGBTSAMIGBT模塊igbt芯片FWD模型
  

• 分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標(biāo)的分析

  理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。...

  1686次閱讀 · 0評論 SiC碳化硅
  

• 淺談雙匹配放大器的原理和結(jié)構(gòu)設(shè)計

  雙匹配放大器是由兩個共源極場效應(yīng)管（FET）和一個變壓器組成的。其中，變壓器通過將信號的反向峰值轉(zhuǎn)移到反向輸入端，實現(xiàn)了雙向放大。而兩個共源極場效應(yīng)管則起到了放大信號的作用。...

  749次閱讀 · 0評論 變壓器放大器場效應(yīng)管

• 增益模塊放大器的的工作原理

  增益模塊放大器是一種基礎(chǔ)的放大器類型，其工作原理主要是通過差分放大電路、共源極場效應(yīng)管等元件的組合，對輸入信號進(jìn)行放大和處理，從而實現(xiàn)了信號的放大和輸出。...

  1313次閱讀 · 0評論 增益放大器

• MOSFET的基本工作原理和特性

  以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理，還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時的特性，會出現(xiàn)與結(jié)型場效應(yīng)晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區(qū)域。...

  2783次閱讀 · 0評論 二極管MOSFET
  

• 淺談瞬態(tài)抑制二極管和穩(wěn)壓二極管區(qū)別

  TVS的電容由硅片的面積和偏置電壓來決定,電容在零偏情況下,隨偏置電壓的增加,該電容值呈下降趨勢。電容的大小會影響TVS器件的響應(yīng)時間。...

  3423次閱讀 · 0評論 穩(wěn)壓二極管齊納二極管抑制二極管
  

• 淺談碳化硅流程的核心技術(shù)

  一種是通過生長碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質(zhì)外延，下游應(yīng)用于5G通訊、國防等射頻領(lǐng)域的半絕緣型襯底，主要用于制造氮化鎵射頻器件。...

  2520次閱讀 · 0評論 SiC氮化鎵碳化硅射頻器件
  

• 半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

  第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設(shè)備等。...

  2363次閱讀 · 0評論 探測器分立器件電子制造MOCVD半導(dǎo)體工藝
  

• MOS管基礎(chǔ)知識及應(yīng)用電路分析

  當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時，可以通過這個二極管導(dǎo)出來，不至于擊穿這個MOS管，起到保護(hù)MOS管的作用。...

  3882次閱讀 · 0評論 二極管MOS寄生二極管
  

• 茂睿芯推出全新一代氮化鎵技術(shù)LD-GaN

  氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。...

  1019次閱讀 · 0評論 變壓器氮化鎵GaN
  

• 直接耦合兩級放大電路的直流分析和交流分析

  在多級放大電路中，每級之間的耦合方式影響著整個多級放大電路的工作性能。而在元器件高度集成化、小型化、輕型化的半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域，更小更強(qiáng)是發(fā)展方向，比如華為的麒麟系列處理器，每一次更新?lián)Q代都賦予我們的手機(jī)更健壯的活力。...

  8866次閱讀 · 0評論 處理器半導(dǎo)體放大電路信號晶體管
  

• 阻容耦合兩級放大電路的直流分析和交流分析

  從前面的學(xué)習(xí)中，了解到基本共射極放大電路常用于各種放大器，但是它的放大能力一般。而在實際中，經(jīng)常需要將微弱的電信號進(jìn)行放大，基本放大電路是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。因此常用到多級放大電路。...

  12601次閱讀 · 0評論 放大器放大電路信號晶體管集電極
  

• 共基極放大電路的直流分析和交流分析

  今天的任務(wù)比較艱巨，除了測試共基極放大電路的工作特性，我們還要對共射極、共集電極、共基極這三種組態(tài)的放大電路進(jìn)行比較，從各自的工作特點說明分別適合用在哪些場合。...

  7054次閱讀 · 0評論 三極管放大電路晶體管輸入信號共基極放大電路
  

• 共集電極放大電路的直流分析和交流分析

  以發(fā)射極作為輸入回路和輸出回路的公共端，構(gòu)成了共射極放大電路；同理，以三極管的集電極作為輸入輸出回路的公共端，則將構(gòu)成共集電極放大電路，該電路與共射極放大電路有哪些區(qū)別呢？...

  6320次閱讀 · 0評論 三極管放大電路交流信號射極輸出器共射極放大電路
  

• 共射極放大電路的直流分析和交流分析

  之前，我們已經(jīng)了解到放大電路的3種工作狀態(tài)。說來，在放大電路中有好多“3”，其核心是“3”極管，“3”極管有3個極（b極、c極、e極），這3個極為放大電路帶來3個工作狀態(tài)（飽和、截止、放大），從安全角度考慮，有3個不安全區(qū)（過壓區(qū)、過流區(qū)、過損耗區(qū)）……今天，接著介紹“3”：基本放大電路的3種組態(tài)。...

  5162次閱讀 · 0評論 三極管放大電路輸入信號輸出電阻共射極放大電路
  

• 過采樣：提高ADC信噪比巧妙方法

  一般來說，我們可以提高ADC采樣位數(shù)來提高ADC的信噪比，但是往往意味著ADC的成本可能也會更高。有沒有不提高位數(shù)，同樣優(yōu)化信噪比的方法呢？有的，那就是過采樣。...

  5445次閱讀 · 0評論 轉(zhuǎn)換器adc信噪比模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC采樣
  

• ADC交錯(織)技術(shù)進(jìn)階篇

  隨著電子信息技術(shù)的快速發(fā)展,模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 的應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展，而各個應(yīng)用系統(tǒng)對于ADC的要求也不斷提高。...

  5934次閱讀 · 0評論 濾波器模數(shù)轉(zhuǎn)換器SNRSFDRADC采樣
  
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