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在解釋如何測量 ADC 噪聲之前,重要的是要了解,當您查看 ADC 數(shù)據(jù)表規(guī)格時,相關指標參數(shù)表征對象是 ADC,而不是設計的電子系統(tǒng)。因此,ADC 制造商測試 ADC 噪聲的方式和測試系統(tǒng)本身應該展示 ADC 的能力,而不是測試系統(tǒng)的限制。因此,在不同系統(tǒng)或不同條件下使用 ADC 可能會導致噪聲性...
本文主要對ADC的噪聲進行分析分類,并分析了高低分辨率的ADC特性差異,以便于利用ADC特性進行更好的系統(tǒng)設計。...
想象一個場景:一輛高端新能源車行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關我開,你開我關...
但是和二極管不同,這三塊半導體有兩種組成三極管的情況:兩邊P型半導體,中間N型半導體(PNP型)和兩邊N型半導體,中間P型半導體(NPN型)。...
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力,也就是說,在一定的短路耐受時間(short circuit withstand time SCWT)...
二極管大家都很熟悉,前面也好幾次對其工作特性分析過,具有導電單向性,其主要性能參數(shù)有:反向峰值電壓,正向平均電流,正向耗散功率,pn結(jié)電容、溫度效應,一般大家都比較關心靠前的那些參數(shù)指標,卻很少過多關注后面兩個參數(shù):pn結(jié)電容和溫度效應,其中pn結(jié)電容這里不予展開討論,以后再將(主要是高頻信號里面才...
二極管是電子電路中很常用的元器件,非常常見,二極管具有正向?qū)ǎ聪蚪刂沟奶匦浴?..
二極管是最簡單的雙極性半導體,A為正極,B為負極,具有單向?qū)щ姽δ?,電流從A流向B。...
BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿,且雪崩倍增引發(fā)大量的電流在源極和漏極之間流動的電壓。...
柵極電荷是指為導通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量,有時也稱為總柵極電荷。總柵極電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量,Qgd 表示柵極-漏極的電荷量,也稱米勒電荷量。...
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對最大值電壓,在管子工作時,這兩端的電壓應力不能超過最大值。在MOSFET選型時,VDS電壓都要降額80%選用。...
EMI的干擾和認證在整個電力電子行業(yè)應用中都是一個痛點,對于Buck型變換器而言,由于其輸入電流是斷續(xù)的...
隨著現(xiàn)代電子技術的進步與發(fā)展,電子產(chǎn)品的發(fā)展趨向于微型化和密集化,電子器件的功率計散熱要求也隨之增加。...
比如兩個芯片之間的供電電壓不一樣,一個是5V,另一個是3.3V,那么在兩者之間進行通訊建立連接關系時,就需要進行電平轉(zhuǎn)換。...
該芯片集成了便攜式低功率心電圖應用的所有特性,內(nèi)置單通道 24 位 Delta-Sigma (ΔΣ)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 、可編程增益放大器(PGA)、內(nèi)部參考和振蕩器。...
Rds(ON)是MOSFET工作(啟動)時,漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導通后,Rds(ON)的值不是一成不變的,主要取決于VGS的值。...
MOSFET又叫場效應晶體管,要想學好MOS管,首先我們要對標三極管來學。我們說,三極管有N管和P管,同樣的,MOS管也有N型和P型。...
MOSFET是金屬-氧化物-半導體場效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)...
由于對高比特率光互連的需求不斷增長,硅光子學(SiPh)技術得到了相當多的關注。由于硅光子芯片和單模光纖(SMFs)之間的光斑尺寸差異而導致的低耦合效率仍然是一個具有挑戰(zhàn)性的問題。...