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二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡?、限幅、鉗位、開(kāi)關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理,我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為門(mén)電路篇。...
二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡鳌⑾薹?、鉗位、開(kāi)關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理,我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為檢波電路篇。...
二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡?、限幅、鉗位、開(kāi)關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理,我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為鉗位篇。...
二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡?、限幅、鉗位、開(kāi)關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理,我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為限幅篇。...
二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡鳌⑾薹?、鉗位、開(kāi)關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理,我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為整流篇。...
運(yùn)算放大器的本質(zhì)是一種「具有放大作用的元件」。...
在模擬量采集電路設(shè)計(jì)中,如果AD芯片允許的電壓輸入范圍是0-10V,但采集信號(hào)的范圍是0-218VDC(遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于10V)時(shí),如何保證進(jìn)入AD芯片的電壓在0-10V范圍內(nèi)呢?...
這是由于FHA75T65A的IGBT單管擁有高可靠性以及反向并行的快恢復(fù)二極管特性,Trench Field Stop technology(拖尾電流非常短、關(guān)斷損耗低、出色的Vcesat飽和壓降)、擁有正溫度系數(shù)。...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件,因此叫場(chǎng)效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(又叫絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)。...
前邊介紹了IGBT/Diode損耗的計(jì)算,那么得到了損耗之后,如何轉(zhuǎn)化為溫升呢?...
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transist...
在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡(jiǎn)稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢(shì)。...
每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說(shuō)一遍,就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn),相比于其他大功率開(kāi)關(guān)器件,IGBT的驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快、沒(méi)有二次擊穿效應(yīng)且易于并聯(lián)。...
FET是Field effect transistor的縮寫(xiě),稱為場(chǎng)效應(yīng)管。它是晶體管的一種,也被稱為單極晶體管。另一種晶體管是我們常說(shuō)的雙極晶體管。它們的工作原理完全不同。...
之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念,在IGBT的導(dǎo)通過(guò)程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過(guò)米勒平臺(tái)...
一般情況下,常見(jiàn)的IGBT主要定義的是其正向阻斷電壓,而反向阻斷電壓一般不會(huì)在Datasheet中被提及到,這是因?yàn)镮GBT通常會(huì)反并聯(lián)續(xù)流二極管...
一開(kāi)始我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理,不同的行業(yè)對(duì)使用IGBT時(shí),對(duì)于其深入的程度可能不一樣,但是作為一個(gè)開(kāi)關(guān)器件,開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的高阻漂移區(qū), 大大改善了器件的導(dǎo)通特性...
推挽電路(push-pull)就是兩個(gè)不同極性晶體管間連接的輸出電路。...