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• 典型車用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解析

  Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ，Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問題需要關(guān)注。...

  705次閱讀 · 0評論 emiIGBT晶體管SiC MOSFET

• 二極管為什么不能并聯(lián)使用？

  二極管是一種半導(dǎo)體器件，是電子學(xué)中最基本的元件之一。它具有單向?qū)щ娦再|(zhì)，只能讓電流在一個(gè)方向上流動(dòng)。...

  3804次閱讀 · 0評論 二極管電子電路半導(dǎo)體器件漏電流

• 如何測量運(yùn)算放大器的輸入電容以盡可能降低噪聲

  必須確保測量精度不受PCB或測試裝置的雜散電容和電感影響。您可以通過使用低電容探頭、在PCB上使用短連接線，并且避免在信號走線下大面積鋪地來盡可能規(guī)避這些問題。...

  790次閱讀 · 0評論 pcb噪聲運(yùn)算放大器輸入電容電子電路

• 三極管作為MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的幾個(gè)好處

  說實(shí)話，這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn)，考察一下大家對三極管的理解。 但真正在實(shí)際電路中，很少看到三極管工作在放大區(qū)。...

  1514次閱讀 · 0評論 三極管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路集電極PMOS
  

• MOSFET的失效機(jī)理：dV/dt失效和雪崩失效

  當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。...

  3276次閱讀 · 0評論 二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET失效機(jī)理雪崩失效
  

• ?壓接型IGBT器件的封裝結(jié)構(gòu)及特性

  絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。...

  4351次閱讀 · 0評論 晶閘管IGBT晶體管半導(dǎo)體器件電壓驅(qū)動(dòng)

• 高速ADC基礎(chǔ)知識

  本文的目的是介紹高速ADC相關(guān)的理論和知識，詳細(xì)介紹了采樣理論、數(shù)據(jù)手冊指標(biāo)、ADC選型準(zhǔn)則和評估方法、時(shí)鐘抖動(dòng)和其它一些通用的系統(tǒng)級考慮。 另外，一些用戶希望通過交織、平均或抖動(dòng)(dithering)技術(shù)進(jìn)一步提升ADC的性能。...

  3404次閱讀 · 0評論 芯片接口adcdac時(shí)鐘抖動(dòng)
  

• 三極管做電子開關(guān)的原理及用法

  　三極管是一種電流放大器件，一般是用來放大電流或者作為電子開關(guān)使用，我這里主要以電子開關(guān)這種用法進(jìn)行說明。...

  5965次閱讀 · 0評論 三極管電流集電極電子開關(guān)NPN型
  

• 簡單介紹繼電器A/B/C/D形式的電路

  它控制兩個(gè)電路，即一個(gè)電路保持打開而另一個(gè)保持閉合。它也被稱為“先斷后合”繼電器，因?yàn)樗葦嚅_一個(gè)電路，然后再閉合另一電路。...

  5280次閱讀 · 0評論 繼電器

• 晶體管是三極管嗎？三極管在電源里都有哪些應(yīng)用場景

  截止區(qū)“三極管的截止?fàn)顟B(tài)，這應(yīng)該是比較好理解的，當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏時(shí)，三極管就會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)?！蔽耶?dāng)時(shí)就特別討厭用正偏反偏這個(gè)詞，已經(jīng)有三個(gè)極需要去記憶了，又來個(gè)正反偏。...

  3001次閱讀 · 0評論 三極管晶體管雙極晶體管

• 氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

  氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開發(fā)。...

  1125次閱讀 · 0評論 肖特基二極管SiCGaN功率半導(dǎo)體氧化鎵

• 半導(dǎo)體的常規(guī)散熱方法 車用功率MOSFET熱管理設(shè)計(jì)

  頂部散熱元件除了布局優(yōu)勢外，還具有明顯的散熱優(yōu)勢，因?yàn)檫@種封裝允許熱量直接耗散到組件的引線框架。鋁具有高熱導(dǎo)率（通常在100~210W/mk之間），因此最常用的散熱器是鋁制的。...

  2658次閱讀 · 0評論 MOSFET功率設(shè)計(jì)

• 如何避免MOSFET常見問題和失效模式

  今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)，如何避免常見問題和故障模式》，依然是我覺得比較好的。...

  1740次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBT晶體管功率器件Infineon

• MOSFET內(nèi)部二極管--逆變器應(yīng)用

  在下一個(gè)AC周期中，極性反轉(zhuǎn)，電流如藍(lán)色箭頭所示經(jīng)過體二極管D4，電池D2并流回FINISH或變壓器繞組的負(fù)極。這會(huì)不斷重復(fù)，將兩個(gè)AC周期都轉(zhuǎn)換為DC并為電池充電。...

  1494次閱讀 · 0評論 二極管MOSFET逆變器

• 通過自舉擴(kuò)展運(yùn)算放大器工作范圍

  當(dāng)現(xiàn)成的運(yùn)算放大器(op amp)不能提供特定應(yīng)用所需的信號擺幅范圍時(shí)，工程師面臨兩種選擇：使用高壓運(yùn)算放大器或設(shè)計(jì)分立解決方案，不過這兩種選擇的成本可能都很高。...

  922次閱讀 · 0評論 MOSFET運(yùn)算放大器跟隨器雙電源信號

• SiC和Si的應(yīng)用 各種SiC功率器件的特性

  碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。...

  3286次閱讀 · 0評論 轉(zhuǎn)換器電源逆變器碳化硅

• 三極管、場效應(yīng)管、IGBT的區(qū)別

  三極管是一種電流控制體器件，它的主要作用是把微弱信號放大，輸入阻抗低，例如在基極b給一個(gè)很小的電流Ib，在集電極c上得到一個(gè)比較大的電流Ic。它是電流放大器件，但是在實(shí)際時(shí)候通常通過一個(gè)電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔?，因此，只要電路參?shù)設(shè)置合適，一般輸出電壓可以比輸入電壓高很多倍。它有...

  6934次閱讀 · 0評論 三極管場效應(yīng)管IGBT數(shù)碼管引腳

• 傳輸線的TDR阻抗的原因和原理分析

  在做SI仿真時(shí)，經(jīng)常需要查看差分線的TDR阻抗，我們經(jīng)常發(fā)現(xiàn)即使是一段非常均勻的傳輸線，其TDR阻抗也是逐漸上翹的，這是為什么呢？如下圖所示，是一段5in長的差分微帶線，其模型如下，導(dǎo)體材料是copper，電導(dǎo)率為5.8e7....

  9531次閱讀 · 0評論 阻抗TDR傳輸線

• 適用于模擬/數(shù)字混合信號環(huán)境的接地方案

  大多數(shù)ADC、DAC和其他混合信號器件數(shù)據(jù)手冊是針對單個(gè)PCB討論接地，通常是制造商自己的評估板。將這些原理應(yīng)用于多卡或多ADC/DAC系統(tǒng)時(shí)，就會(huì)讓人感覺困惑茫然。...

  1503次閱讀 · 0評論 放大器混合信號

• 三極管的工作原理及電路應(yīng)用

  三極管（BJT）是一種電流控制型半導(dǎo)體器件，由兩個(gè)PN結(jié)組成，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。...

  2488次閱讀 · 0評論 三極管半導(dǎo)體放大電路BJTNPN
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