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減小了電場集中效應，提高了SiC器件的擊穿電壓，SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關(guān)單元有關(guān)，同時和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。...
分辨率和采樣率是選擇模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 時要考慮的兩個重要因素。為了充分理解這些，必須在一定程度上理解量化和奈奎斯特準則等概念。...
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導電溝道,器件呈導通狀態(tài)。...
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設計，雖然今天聊的可能有些重復，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當回顧和加重記憶吧。...
閂鎖(Lanch-up)效應，一般我們也可以稱之為擎住效應，是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導致的電流不可控現(xiàn)象，當然，閂鎖效應更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實際工作中我們可能很少聽到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應。...
IGBT是高頻開關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當發(fā)生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。...
根據(jù)磁場刺激所需要的磁場強度和均勻磁場區(qū)域大小等要求，設計并自制了螺線管線圈。使用有機玻璃制作線圈骨架，選用0.67mm直徑的漆包線繞制緊密線圈，繞制146匝，線圈直徑和長度均為110 mm。...
相比于傳統(tǒng)的電磁式繼電器，下圖尺寸作為參考，實際應用中與工作電壓電流等導致其尺寸大小會有所區(qū)別。...
對于每一位，SAR 邏輯向 DAC 輸出一個二進制代碼，該代碼取決于正在審查的當前位和已經(jīng)近似的先前位。比較器用于確定當前位的狀態(tài)。...
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。...
0歐姆電阻，并不是絕對的0歐姆，0這個數(shù)沒辦法計算的，所以誤差和功率，都和普通電阻不一樣。 誤差是<0.05Ω，功率不計算，只計算通過的電流。0402的0歐姆電阻額定電流是1A。 硬件設計的時候，如果在電源線上串聯(lián)0歐姆電阻，一定要算清楚電流。...
可以看懂，輸入1.5V的時候，輸出嚴重失真，不僅幅度達不到1.5V，波形也酷似三角波。這是為啥嗯？1V輸入的時候沒問題，1.5V的時候輸入有問題，難道是運放仿真模型不對，為非軌至軌？...
晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱，又稱作可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier——SCR)，以前被簡稱為可控硅。...
電力二極管（Power Diode）自20世紀50年代初期就獲得應用，但其結(jié)構(gòu)和原理簡單，工作可靠，直到現(xiàn)在電力二極管仍然大量應用于許多電氣設備當中。...
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