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• MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)(一)

  MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方...

  1722次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管p溝道高電平符號(hào)寄生二極管
  

• 一文看懂TSV

  肖特基的硅片上制作孔專利 此后， IBM開(kāi)始在集成電路領(lǐng)域發(fā)力，并在垂直電互連方面取得了突破。...

  2751次閱讀 · 0評(píng)論 集成電路memsTSV

• 英飛凌FP100R12KT4 IGBT模塊內(nèi)部拆解分析

  該模塊由塑料外殼封裝起來(lái)，底部為導(dǎo)熱鈑金，導(dǎo)熱鈑金貼在散熱器上，用四個(gè)螺絲固定。Pin腳焊在陶瓷襯板上。...

  11175次閱讀 · 0評(píng)論 英飛凌變頻器IGBT伺服電機(jī)控制

• 國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步切入，國(guó)產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)

  在車載充電器領(lǐng)域，碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機(jī)控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。...

  1175次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET光伏逆變器碳化硅

• 深入探討精密數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈的噪聲分析

  在很多應(yīng)用中，模擬前端接收單端或差分信號(hào)，并執(zhí)行所需的增益或衰減、抗混疊濾波及電平轉(zhuǎn)換，之后在滿量程電平下驅(qū)動(dòng)ADC輸入端。今天我們探討下精密數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈的噪聲分析，并深入研究這種信號(hào)鏈的總噪聲貢獻(xiàn)。...

  1051次閱讀 · 0評(píng)論 噪聲adc數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈差分信號(hào)

• 基于二極管的限幅電路

  限幅電路（Clipper）顧名思義是將信號(hào)幅值進(jìn)行限制，篩選出符合的幅值。 帶負(fù)偏差串接正限幅電路 Series positive clipper with negative bias，正幅值的波形被削減，保留負(fù)幅值的波形的基礎(chǔ)上偏移負(fù)電壓...

  1591次閱讀 · 0評(píng)論 二極管限幅電路

• 淺談晶振在數(shù)字電路中的重要性

  在石英晶體的兩個(gè)電極上施加電場(chǎng)會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形，反之，如果在晶體兩側(cè)施加機(jī)械壓力就會(huì)在晶體上產(chǎn)生電場(chǎng)。...

  1349次閱讀 · 0評(píng)論 晶振數(shù)字電路晶體諧振器

• 功率二極管和功率晶體管的國(guó)內(nèi)外研究總結(jié)

  對(duì) Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國(guó)內(nèi)外最新研究進(jìn)行了概括總結(jié)，展望了Ga2O3在未來(lái)的應(yīng)用與發(fā)展前景。...

  840次閱讀 · 0評(píng)論 功率器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體

• 功分器和合路器的區(qū)別 100W功率放大器的原理圖

  作為功分器來(lái)講，信號(hào)從IN輸入，當(dāng)信號(hào)到達(dá)A、B二點(diǎn)時(shí)為同頻同相信號(hào)。所以R上無(wú)電流流過(guò)即無(wú)功率損耗, R在這里起到改善隔離的作用。...

  7019次閱讀 · 0評(píng)論 功分器合路器

• SiC MOSFET為何替代不了IGBT？

  IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，IGBT 被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。...

  2725次閱讀 · 0評(píng)論 IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件碳化硅

• SAR切換電容ADC的基本原理

  用了這么久ADC,從沒(méi)細(xì)看過(guò)ADC的內(nèi)部原理和如何獲得最佳精度，今天看到一篇ST的官方文檔講的不錯(cuò)，這里整理分享給大家。...

  2028次閱讀 · 0評(píng)論 微控制器轉(zhuǎn)換器SARSTadc

• 如何將運(yùn)算放大器用作差分放大器查找電壓值的電壓差

  運(yùn)算放大器最初是為模擬數(shù)學(xué)計(jì)算而開(kāi)發(fā)的，從那時(shí)起，它們已被證明在許多設(shè)計(jì)應(yīng)用中都很有用，它們可以使用求和放大器電路執(zhí)行兩個(gè)給定電壓值的加法，并使用差分放大器執(zhí)行兩個(gè)電壓值之間的差。除此之外，運(yùn)算放大器還通常用作反相放大器和同相放大器。...

  3675次閱讀 · 0評(píng)論 放大器運(yùn)算放大器差分放大器增益減法器

• 關(guān)于MOS管開(kāi)關(guān)時(shí)電壓電流波形問(wèn)題

  如圖，為什么在Vce下降前ic就開(kāi)始上升了呢？...

  4859次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管波形ZVS電壓電流
  

• 如何判斷MOS管的工作狀態(tài)

  MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種：增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。...

  4426次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管源極

• 三極管與MOS管的正確應(yīng)用

  適合發(fā)射極接GND集電極接負(fù)載到VCC的情況。只要基極電壓高于射極電壓（此處為GND）0.7V，即發(fā)射結(jié)正偏（VBE為正），NPN型三極管即可開(kāi)始導(dǎo)通。...

  1140次閱讀 · 0評(píng)論 三極管MOS管

• SiC和GaN的共源共柵解決方案

  GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。...

  1044次閱讀 · 0評(píng)論 電動(dòng)汽車led逆變器SiCGaN

• 四代半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀，氧化鎵新進(jìn)展介紹

  半導(dǎo)體內(nèi)部的價(jià)電子通常被共價(jià)鍵束縛，無(wú)法自由移動(dòng)，自然也就無(wú)法參與導(dǎo)電。所有價(jià)電子所處的能帶區(qū)域被稱為價(jià)帶，價(jià)電子在受到熱、光、電、磁等方式的激發(fā)時(shí)...

  3483次閱讀 · 0評(píng)論 晶體硅氧化鎵

• 淺談高速數(shù)字電路的接地要點(diǎn)注意事項(xiàng)

  在實(shí)際電路的PCB上，J、N、L、M形成的“地線環(huán)路”將包圍一定的面積，根據(jù)電磁感應(yīng)定律，如果這個(gè)環(huán)路所包圍的面積中有變化的磁場(chǎng)存在，就會(huì)在環(huán)路中產(chǎn)生感生電流，形成干擾。空間磁場(chǎng)的變化無(wú)處不在，于是包圍的面積越大干擾就越嚴(yán)重。...

  820次閱讀 · 0評(píng)論 pcb阻抗數(shù)字電路

• HJ544C功率運(yùn)算放大器應(yīng)用指南解析

  HJ544C功率運(yùn)算放大器是一種符合GJB2438B規(guī)定的厚膜混合集成電路。由一個(gè)運(yùn)算放大器、功率驅(qū)動(dòng)器、補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)和過(guò)流保護(hù)網(wǎng)絡(luò)組成。在工藝上，采用BeO基板絲網(wǎng)印刷和改進(jìn)的厚膜集成電路工藝（共晶焊工藝），有效的降低了熱阻，提高了器件的可靠性。...

  5517次閱讀 · 0評(píng)論 運(yùn)算放大器

• 三極管的應(yīng)用實(shí)例

  三極管是電子設(shè)計(jì)中常用的元器件，關(guān)于三極管功能的介紹，網(wǎng)上可以搜出成千上萬(wàn)的例子。這里我說(shuō)兩個(gè)我在工作中碰到的用三極管的實(shí)例，都很簡(jiǎn)單，卻很實(shí)用。...

  3004次閱讀 · 0評(píng)論 三極管單片機(jī)元器件控制電路管腳
  
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