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CISSOID推出THEMIS和ATLAS碳化硅功率晶體管驅

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2025-05-10 13:38:19860

基本半導體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日,全球電力電子領域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕?;景雽w攜全系列碳化硅功率器件及門極驅動解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應用在電力電子系統(tǒng)推薦方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
2025-05-04 13:23:07838

基本半導體碳化硅(SiC)MOSFET低關斷損耗(Eoff)特性的應用優(yōu)勢

MOSFET單,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片,SiC功率模塊驅動板,驅動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向,致力于服務中國工業(yè)電源,電力電子
2025-05-04 09:42:31740

基于國產碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調系統(tǒng)解決方案

茜 微信&手機:13266663313 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片
2025-05-03 10:45:12561

碳化硅功率器件在能源轉換中的應用

隨著全球對可持續(xù)能源的需求不斷增加,能源轉換技術的提升已成為實現低碳經濟的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐漸成為現代電力電子設備的選擇,特別是在能源轉換領域的應用越來越廣泛。本文將深入探討碳化硅功率器件在能源轉換中的應用及其優(yōu)勢。
2025-04-27 14:13:32899

寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)

功率電子技術的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導率和更快的開關速度。這些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00780

碳化硅功率器件有哪些特點

隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展,成為現代電子技術的重要組成部分。本文將詳細探討碳化硅功率器件的特點及其應用現狀。
2025-04-21 17:55:031081

傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負壓驅動供電與米勒鉗位解決方案

SiC碳化硅MOSFET正負壓驅動供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
2025-04-21 09:21:56868

碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

在現代電子技術飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應用領域以及未來發(fā)展趨勢。
2025-04-09 18:02:041275

麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應用

碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57

先進碳化硅功率半導體封裝:技術突破與行業(yè)變革

本文聚焦于先進碳化硅(SiC)功率半導體封裝技術,闡述其基本概念、關鍵技術、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化硅功率半導體憑借低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優(yōu)異特性,在移動應用功率密度提升的背景下
2025-04-08 11:40:331493

碳化硅VS硅基IGBT:誰才是功率半導體之王?

在半導體技術的不斷演進中,功率半導體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當前市場上
2025-04-02 10:59:415531

東升西降:從Wolfspeed危機看全球SiC碳化硅功率半導體產業(yè)鏈重構

Wolfspeed作為全球碳化硅(SiC)功率半導體領域的先驅企業(yè),其股價暴跌(單日跌幅超50%)、財務困境與德國30億歐元項目擱淺危機,折射出歐美與中國在SiC碳化硅功率半導體產業(yè)鏈競爭中
2025-03-31 18:03:08982

派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產品

3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會——汽車動力系統(tǒng)技術展覽會圓滿落幕,本次會上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產品,吸引了新能源汽車、工業(yè)
2025-03-29 09:10:551741

比亞迪推出全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片

在3月17日的超級e平臺技術發(fā)布會上,比亞迪發(fā)布了劃時代超級e平臺,推出閃充電池、3萬轉電機和全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片,核心三電全維升級,搭配全球首個電動車全域千伏架構,刷新多項全球之最。
2025-03-24 17:10:051601

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列。
2025-03-19 14:31:281103

碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A

碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領域展現出顯著優(yōu)勢,隨著國產碳化硅MOSFET技術、成本及供應鏈都日趨完善,國產SiC碳化硅
2025-03-13 11:12:481577

全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動國產
2025-03-13 00:27:37767

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現硅到碳化硅的過渡?

電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
2025-03-12 11:31:09896

2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應用中全面替代IGBT的元年

2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國產SiC(碳化硅)單和模塊價格首次低于進口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)單管及模塊
2025-03-07 09:17:271316

博世碳化硅功率模塊生產基地落成

近日,博世汽車電子中國區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產基地,并于2025年1月成功下線首批產品。這標志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領域邁出了重要一步,也進一步提升了本土市場的響應速度,增強了博世智能出行集團的競爭力。
2025-03-06 18:09:291113

SiC碳化硅二極公司成為國產碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極公司已經成為國產碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經有超過兩家SiC碳化硅二極公司破產清算,僅有碳化硅二極
2025-02-28 10:34:31752

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球對高效能、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291399

碳化硅功率器件的特性和應用

隨著全球能源需求的快速增長和對可再生能源的重視,電力電子技術正經歷著前所未有的變革。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)越的性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si
2025-02-25 13:50:111606

國內碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果

碳化硅行業(yè)觀察:國內碳化硅功率器件設計公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)功率器件市場雖高速增長,但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來多家SiC器件設計公司接連倒閉,國內碳化硅功率
2025-02-24 14:04:38933

Wolfspeed第4代碳化硅技術解析

本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創(chuàng)新領域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案,重新
2025-02-19 11:35:411716

國產碳化硅MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案

國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅
2025-02-13 21:56:24913

碳化硅戶用工商業(yè)50kW光伏并網逆變器設計方案

自主可控和產業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單全面取代IGBT單的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住6
2025-02-13 12:17:11731

BASiC基本股份國產SiC碳化硅MOSFET產品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件
2025-02-12 06:41:45947

5G電源應用碳化硅B3M040065Z替代超結MOSFET

碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC
2025-02-10 09:37:55745

高頻電鍍電源國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單全面取代IGBT單的必然趨勢! 傾
2025-02-09 20:17:291126

納微半導體氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈

近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081231

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹

碳化硅革新電力電子,以下是關于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹,結合其技術原理、關鍵步驟與應用價值,助力電力電子領域的革新。
2025-02-05 14:34:481658

碳化硅薄膜沉積技術介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而受到關注。
2025-02-05 13:49:121950

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網等領域得到廣泛應用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高功率應用中會
2025-02-03 14:22:001255

碳化硅功率器件的封裝技術解析

碳化硅(SiC)功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術至關重要。本文將詳細解析碳化硅功率器件的封裝技術,從封裝材料選擇、焊接技術、熱管理技術、電氣連接技術和封裝結構設計等多個方面展開探討。
2025-02-03 14:21:001292

碳化硅的缺陷分析與解決方案

。 碳化硅的主要缺陷類型 微管缺陷 :微管是碳化硅晶體生長過程中最常見的缺陷之一,它們會形成垂直于晶體生長方向的空管,影響電子器件的電導率和熱導率。 位錯缺陷 :位錯是晶體結構中的線缺陷,它們會破壞晶體的周期性
2025-01-24 09:17:142515

碳化硅的耐高溫性能

、高強度和高耐磨性。它由硅和碳原子以1:1的比例組成,形成一種穩(wěn)定的晶體結構。碳化硅晶體結構賦予了它許多獨特的性質,其中最引人注目的是其耐高溫能力。 2. 耐高溫性能 碳化硅的耐高溫性能主要體現在以下幾個方面: 2.1 高熔點 碳化
2025-01-24 09:15:483084

碳化硅在半導體中的作用

電導率、高熱導率、高抗輻射能力、高擊穿電場和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環(huán)境,同時保持較高的電學性能。 二、碳化硅在半導體器件中的應用 功率器件 : 碳化硅功率器件具
2025-01-23 17:09:352663

碳化硅的應用領域

碳化硅(SiC)是一種具有獨特物理和化學性質的材料,這些性質使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料。由于其寬帶隙特性,SiC基半導體器件能夠在
2025-01-23 17:06:132592

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用

*附件:國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用.pdf
2025-01-20 14:19:40

安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術的收購

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現金收購Qorvo碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。
2025-01-16 16:30:061082

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導體領域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學性能、高熱導率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對碳化硅襯底質量的精準把控愈發(fā)關鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

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