模擬技術(shù)
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ADC采樣電路圖設(shè)計(jì)方案詳解
開關(guān)電容的噪聲仿真通常有三種方法：基本的.ac/.noise Spice仿真，周期穩(wěn)態(tài)仿真，瞬態(tài)噪聲。...
核芯互聯(lián)發(fā)布高速高精度ADC CL3492
CL3492是一顆流水線架構(gòu)的高速高精度ADC，內(nèi)部有兩個(gè)AD轉(zhuǎn)換核心，可以支持雙通道同步采樣，具有高輸入帶寬、高采樣速率、高線性度、高信噪比、低功耗、小型封裝等特點(diǎn)。 CL3492是一顆流水線...
2023-10-12 標(biāo)簽：adc電壓帶寬AD轉(zhuǎn)換核芯互聯(lián) 2398
Microchip與IHWK正在合作開發(fā)模擬計(jì)算平臺(tái)
由于人工智能 （AI） 和機(jī)器學(xué)習(xí) （ML） 的進(jìn)步，嵌入式系統(tǒng)提供商越來越多地開發(fā)大腦芯片，邊緣的人工智能 （AI） 使用正在急劇增長。 微芯科技股份有限公司 與 韓國智能硬件 （IHWK） 正在...
2023-10-12 標(biāo)簽：嵌入式系統(tǒng)microchip內(nèi)存計(jì)算平臺(tái)microchip內(nèi)存嵌入式系統(tǒng)計(jì)算平臺(tái) 2026
MMKP82電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及應(yīng)用
MMKP82電容器采用聚丙烯薄膜作為介質(zhì)，以自愈特性優(yōu)良的耐高溫雙面金屬化聚酯薄膜作電極，雙端噴金形成無感結(jié)構(gòu)，單向引出，引出采用鍍錫銅線(CU線)，阻燃環(huán)氧樹脂灌封。...
2023-10-12 標(biāo)簽：電容器整流電路鎮(zhèn)流器薄膜電容驅(qū)動(dòng)電源 2019
深入模擬信號(hào)降壓、升壓和降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)原理圖
當(dāng)輸入電壓大于輸出電壓時(shí)，降壓-升壓轉(zhuǎn)換器以降壓模式工作；輸入電壓小于輸出電壓時(shí)，在升壓模式下工作。當(dāng)轉(zhuǎn)換器在輸入電壓處于輸出電壓范圍內(nèi)的傳輸區(qū)域中工作時(shí)，處理這些情況有...
2023-10-12 標(biāo)簽：濾波器升壓轉(zhuǎn)換器降壓轉(zhuǎn)換器誤差放大器電感轉(zhuǎn)換器 1363
電阻的5種應(yīng)用電路設(shè)計(jì)詳解
在可調(diào)開關(guān)電源中，輸出電壓是通過反饋電阻分壓得到的，在產(chǎn)品電路設(shè)計(jì)的時(shí)候，這里的電阻是建議用高精度的電阻，至少是1%精度以上，要不然會(huì)導(dǎo)致批量生產(chǎn)的產(chǎn)品輸出電壓偏差太大而導(dǎo)...
2023-10-12 標(biāo)簽：電阻下拉電阻開關(guān)電源DCDC反饋電阻器 1940
TVS的七大參數(shù)介紹
結(jié)電容是 TVS 中的寄生電容，在高速 IO 端口保護(hù)需要重點(diǎn)關(guān)注，過大的結(jié)電容可能會(huì)影響信號(hào)的質(zhì)量。根據(jù)被保護(hù)的信號(hào)速率，選擇合適的結(jié)電容，如下給出常見接口，推薦的 ESD 結(jié)電容大小范...
電路可靠性設(shè)計(jì)之降額參數(shù)及降額因子
1級(jí)降額，最大的降額，適用于： a.失效將導(dǎo)致人員傷亡或設(shè)備及保護(hù)措施的嚴(yán)重破壞； b.高可靠性要求的設(shè)備卻采用了新技術(shù)新工藝； c.設(shè)備失效不能維修； d.系統(tǒng)對(duì)設(shè)備的尺寸重量有苛刻限...
2023-10-12 標(biāo)簽：集成電路電阻運(yùn)算放大器功率器件 6599
英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場
基于碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優(yōu)勢，為實(shí)現(xiàn)新應(yīng)用和推進(jìn)充電站技術(shù)創(chuàng)新創(chuàng)造了機(jī)會(huì)。近日，英飛凌科技宣布與中國的新能源汽車充電市場...
PCB設(shè)計(jì)走線布線對(duì)信號(hào)完整性有何影響？
串?dāng)_可能發(fā)生在單個(gè)PCB層上的相鄰走線之間，也可能發(fā)生在兩層PCB之間相互平行和垂直的走線之間。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí)，來自一條走線的信號(hào)會(huì)蓋住另一條走線，因?yàn)樗恼穹攘硪粭l走線更大...
2023-10-12 標(biāo)簽：pcb電感器信號(hào)完整性電磁干擾走線 1859
Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究
作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，Ga2O3禁帶寬度高達(dá)4.8 eV，理論擊穿場強(qiáng)為8 MV/cm，是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料...
晶體管共射極單管放大器實(shí)驗(yàn)步驟
學(xué)會(huì)放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的調(diào)試方法，分析靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)放大器性能的影響；...
2023-10-11 標(biāo)簽：放大器晶體管信號(hào)發(fā)生器偏置電阻直流電壓表 15707
雙通道10位ADC SC1205可用于I/Q解調(diào)系統(tǒng)，兼容AD9204
國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代...
2023-10-11 標(biāo)簽：模數(shù)轉(zhuǎn)換器國芯思辰國芯思辰模數(shù)轉(zhuǎn)換器解調(diào)系統(tǒng) 1819
Nexperia擴(kuò)展超低電容ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品
靜電放電（ESD）二極管通過耗散靜電放電的高能量來保護(hù)關(guān)鍵電子系統(tǒng)和子系統(tǒng)。這可以保護(hù)重要的SOC（系統(tǒng)芯片）和其他器件在ESD事件期間免遭損壞。...
2023-10-11 標(biāo)簽：二極管ESD數(shù)據(jù)接口半導(dǎo)體器件Nexperia 824
PMOS管與NMOS管控制電路設(shè)計(jì)對(duì)比
如果讓大家舉個(gè)PMOS管實(shí)際應(yīng)用電路，恐怕大多數(shù)讀者除了下圖所示的電源開關(guān)控制電路外，實(shí)在是想不出更多其它實(shí)用電路了。...
2023-10-11 標(biāo)簽：芯片開關(guān)電路整流器PMOSNMOS管 4040
串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電源主要技術(shù)指標(biāo)的測試方法
電子設(shè)備一般都需要直流電源供電。這些直流電除了少數(shù)直接利用干電池和直流發(fā)電機(jī)外，大多數(shù)是采用把交流電（市電）轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷闹绷鞣€(wěn)壓電源。...
可替代ADC08D1000，SC1281可用于?數(shù)字存儲(chǔ)示波器(DSO)
國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代...
2023-10-11 標(biāo)簽：示波器數(shù)字示波器模數(shù)轉(zhuǎn)換器國芯思辰 1653
基于雪崩晶體管的納秒脈沖驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
如果在晶體管的集電極加上比正常運(yùn)用大許多倍的電壓，使集電極的載流子被強(qiáng)電場加速，從而獲得很大的能量。這些被加速的載流子與晶格發(fā)生碰撞便產(chǎn)生了新的電子-空穴對(duì)，這些新的電子...
2023-10-11 標(biāo)簽：集成電路電源電路晶體管驅(qū)動(dòng)電路半導(dǎo)體激光器 1824
詳細(xì)解析電源完整性去耦電容原理及選型
電源完整性在現(xiàn)今的電子產(chǎn)品中相當(dāng)重要。有幾個(gè)有關(guān)電源完整性的層面：芯片層面、芯片封裝層面、電路板層面及系統(tǒng)層面。...
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