模擬技術(shù)
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高頻PCB電路設(shè)計(jì)的66個(gè)經(jīng)典問(wèn)答
避免高頻干擾的基本思路是盡量降低高頻信號(hào)電磁場(chǎng)的干擾，也就是所謂的串?dāng)_(Crosstalk)?？捎美蟾咚傩盘?hào)和模擬信號(hào)之間的距離，或加ground guard/shunt traces 在模擬信號(hào)旁邊。還要注意數(shù)字地...
2023-10-11 標(biāo)簽：pcb電路設(shè)計(jì)信號(hào)完整性模擬信號(hào)pcbPCB信號(hào)完整性模擬信號(hào)電路設(shè)計(jì)高頻干擾 798
英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢？
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性...
2023-10-11 標(biāo)簽：MOSFET肖特基二極管SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 2472
TL431三端可調(diào)基準(zhǔn)電壓芯片原理圖
TL431是由德州儀器生產(chǎn)的一個(gè)有良好的熱穩(wěn)定性能的三端可調(diào)基準(zhǔn)電壓芯片。它的輸出電壓可調(diào)，(在電源電壓足夠的情況下)只需用兩個(gè)電阻就可以設(shè)置為2…5V~36V范圍內(nèi)的任何值。...
2023-10-10 標(biāo)簽：運(yùn)放電路開(kāi)關(guān)電源TL431齊納二極管基準(zhǔn)電壓芯片 2825
數(shù)字電路設(shè)計(jì)中的抖動(dòng)測(cè)量方法
在理想情況下，一個(gè)頻率固定的完美的脈沖信號(hào)（以1MHz為例）的持續(xù)時(shí)間應(yīng)該恰好是1us，每500ns有一個(gè)跳變沿。但不幸的是，這種信號(hào)并不存在。實(shí)際上，信號(hào)周期的長(zhǎng)度總會(huì)有一定變化，從而...
?電路設(shè)計(jì)中β、fβ和fT的三者關(guān)系
在三極管的通頻帶內(nèi)，忽略耦合電容、旁路電容以及三極管的結(jié)電容、PCB走線的分布電容之后，我們可以有H參數(shù)小信號(hào)模型，如下圖所示。此時(shí)的β更多是溫度有關(guān)，不過(guò)多考慮與頻率的關(guān)系（...
2023-10-10 標(biāo)簽：三極管電流電容電路設(shè)計(jì)電壓 9544
數(shù)字電源的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)講解
驅(qū)動(dòng)電路位于電源主電路和數(shù)字控制核心之間，其本質(zhì)是將數(shù)字控制核心產(chǎn)生的PWM信號(hào)進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)斷。優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路能夠提高數(shù)字電源的可靠性，減少器件的開(kāi)關(guān)...
2023-10-10 標(biāo)簽：emiPWMIGBTemc驅(qū)動(dòng)電路 1842
IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響
在IGBT模塊的使用過(guò)程中，關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓，特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高...
2023-10-10 標(biāo)簽：IGBTMOS驅(qū)動(dòng)電路IGBT模塊NPN管雜散電感 2919
英飛凌高壓超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品用于靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用
在靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。...
2023-10-10 標(biāo)簽：英飛凌MOSFET固態(tài)繼電器SSRMOSFETSSR固態(tài)繼電器英飛凌靜態(tài)開(kāi)關(guān) 1477
為什么DC/DC轉(zhuǎn)換器比電壓穩(wěn)壓器效率高？
DC/DC轉(zhuǎn)換器之所以比電壓穩(wěn)壓器效率高，是因?yàn)榭刂戚敵鲭妷旱姆绞讲煌?..
2023-10-10 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器FET電壓穩(wěn)壓器dcdc轉(zhuǎn)換器 2109
寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。...
2023-10-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC漏電流碳化硅 2212
YTM32的模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC外設(shè)模塊詳解
YTM32的ADC轉(zhuǎn)換器外設(shè)最多可以集成32個(gè)輸入通道，最高12b轉(zhuǎn)換精度，最快可以支持2M Sps的12b采樣。...
2023-10-09 標(biāo)簽：看門狗復(fù)用器模數(shù)轉(zhuǎn)換器FIFO存儲(chǔ)ADC轉(zhuǎn)換器 3176
FPGA+DSPs+ARM的數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)對(duì)比
信號(hào)處理系統(tǒng)一般不單單是模擬信號(hào)或者數(shù)字信號(hào)，一般兩者都會(huì)有。信號(hào)的處理關(guān)注的是信號(hào)以及信號(hào)所包含的信息的表示、變換及運(yùn)算。...
2023-10-09 標(biāo)簽：dspFPGAARM數(shù)字信號(hào)處理信號(hào)處理 1448
二極管限幅：信號(hào)保護(hù)的技巧
利用二極管的單向?qū)щ娦钥梢允剐盘?hào)在預(yù)置的電平范圍內(nèi)有選擇地傳輸一部分，這種按限定的范圍削平信號(hào)電壓波幅功能稱為限幅或削波。...
什么是安規(guī)電容、X電容、Y電容？
在火線和地線之間以及在零線和地線之間并接的電容,一般統(tǒng)稱為Y電容。這兩個(gè)Y電容連接的位置比較關(guān)鍵,必須需要符合相關(guān)安全標(biāo)準(zhǔn), 以防引起電子設(shè)備漏電或機(jī)殼帶電,容易危及人身安全及生...
氫能的四大應(yīng)用場(chǎng)景 燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈簡(jiǎn)介
除了介紹經(jīng)典的功率二極管、晶閘管外，還重點(diǎn)介紹了MOSFET、IGBT等現(xiàn)代功率器件，頗為難得的是收入了近年來(lái)有關(guān)功率半導(dǎo)體器件的OO成果，如SiC，GaN器件，以及場(chǎng)控寬禁帶器件等。...
充電樁行業(yè)七大發(fā)展趨勢(shì)
介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù)，器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。...
2023-10-09 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件充電樁功率半導(dǎo)體器件 922
淺談Via stub在DDR4并行鏈路上的表現(xiàn)
做高速鏈路的小伙伴都知道，Stub總是會(huì)帶來(lái)各種影響，或者導(dǎo)致阻抗突變，或者導(dǎo)致插入損耗曲線上存在諧振，等等。本文介紹了Via stub在DDR4并行鏈路上的表現(xiàn)。下面是論文的全文。...
淺談三極管的三種工作狀態(tài)
當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏時(shí)三極管就會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。這就相當(dāng)于一個(gè)關(guān)緊了的水龍頭，水龍頭里的水是流不出來(lái)的。 截止?fàn)顟B(tài)下，三極管各電極的電流幾乎為0，集電極和發(fā)...
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