模擬技術(shù)
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過電壓保護(hù)有哪幾種 輸出過壓保護(hù)電路的原理
輸出過壓保護(hù)電路的作用是：當(dāng)輸出電壓超過設(shè)計(jì)值時(shí)，把輸出電壓限定在一安全值的范圍內(nèi)。當(dāng)開關(guān)電源內(nèi)部穩(wěn)壓環(huán)路出現(xiàn)故障或者由于用戶操作不當(dāng)引起輸出過壓現(xiàn)象時(shí)，過壓保護(hù)電路進(jìn)行...
2023-08-07 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電源過壓保護(hù)光電耦合過壓保護(hù)電路 10320
半導(dǎo)體芯片的升壓芯片有哪些種類 升壓芯片是如何升壓的
升壓芯片的具體工作原理和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可以因不同的設(shè)計(jì)而異。其他升壓拓?fù)淙鏔lyback、SEPIC、?uk等也采用了類似的原理，但拓?fù)浜涂刂品绞接兴煌?..
2023-08-07 標(biāo)簽：電感SEPIC升壓升壓芯片電力轉(zhuǎn)換器 5426
驚人的FP7130降壓控制器，提升你的電力體驗(yàn)！
采用高端檢測遲滯型控制結(jié)構(gòu)，在這種架構(gòu)有系統(tǒng)穩(wěn)定與外圍簡單的優(yōu)勢，同時(shí)兼具了系統(tǒng)穩(wěn)定與外圍簡單的優(yōu)勢下優(yōu)化了較低輸出電流變化率的特性。在調(diào)光方面采用了斬波調(diào)光的設(shè)計(jì)方式，...
Gel-Pak VR真空釋放盒應(yīng)用于50V GaN HEMT 芯片
50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒進(jìn)行包裝, Gel-Pak 采用了無殘膠的膜技術(shù), 可以將芯片牢固地固定住, 避免在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過程中因?yàn)榕鲎驳仍斐尚酒膿p害....
inTEST熱流儀邏輯芯片 FPGA高低溫沖擊測試
FPGA 芯片需要按照 JED22-A104 標(biāo)準(zhǔn)做溫度循環(huán) TC 測試, 讓其經(jīng)受極端高溫和低溫之間的快速轉(zhuǎn)換. 一般在?-55℃~150℃ 進(jìn)行測試, 傳統(tǒng)的環(huán)境箱因?yàn)樯禍厮俣仁芟? 無法滿足研發(fā)的快速循環(huán)測試需求...
2023-08-07 標(biāo)簽：FPGA芯片測試高低溫測試機(jī) 1845
整流橋輸入電壓有限制嗎 整流橋電流大小怎么選用
在使用整流橋時(shí)，需要根據(jù)具體的規(guī)格和額定參數(shù)來確定輸入電壓的范圍，并確保輸入電壓在這些限制范圍內(nèi)。如果需要處理更高的電壓，可能需要采取其他措施，如串聯(lián)多個(gè)整流橋或使用其他...
ic芯片制造中使用的主要設(shè)備有哪些 ic芯片制造的技術(shù)難點(diǎn)
IC（集成電路）芯片制造的基本原理是將電子器件、晶體管、電容器、電阻器等組合在一塊半導(dǎo)體材料（通常是硅）上，形成一個(gè)完整的電路。...
2023-08-07 標(biāo)簽：集成電路IC電阻器IC設(shè)計(jì)晶體管 3459
“LK-99”不是室溫超導(dǎo)體有何證據(jù)？
該學(xué)會(huì)宣布將組建一個(gè)專家驗(yàn)證委員會(huì)，對韓國量子能源研究所研究團(tuán)隊(duì)聲稱成功合成的室溫超導(dǎo)材料“LK-99”進(jìn)行科學(xué)評估?；谀壳肮_的兩篇存檔論文和影像，很難得出結(jié)論證明“LK-99”...
測試好評的7.5W充電器芯片U9513C
充電套裝包括數(shù)據(jù)線和充電器，兩個(gè)配件都非常重要。對于第三方數(shù)據(jù)線的選購，只要記住購買通過MFI認(rèn)證的數(shù)據(jù)線即可。...
2023-08-07 標(biāo)簽：三極管充電器芯片過壓保護(hù)器開關(guān)電源芯片OCP 1010
功率放大器主要作用是提供給負(fù)載什么信號
功率放大器是一種電子設(shè)備，其主要作用是將輸入信號放大到足以驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器或其他負(fù)載所需的電平。它們可以從音頻、視頻或射頻源接收信號，并放大這些信號以便能夠在揚(yáng)聲器或其他負(fù)載上...
華虹上市，國內(nèi)晶圓代工格局已現(xiàn)
8月7日，華虹半導(dǎo)體正式在科創(chuàng)板掛牌上市，科創(chuàng)板迎來今年內(nèi)第三家上市的晶圓代工企業(yè)。...
2023-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源管理射頻電路非易失性存儲(chǔ)器MCU芯片 2296
TL431的工作原理和仿真驗(yàn)證
TL431是一個(gè)看起來非常簡單的器件，通常作為并聯(lián)型電壓基準(zhǔn)用于反激電路。其內(nèi)部等效原理圖如下圖由精確電壓基準(zhǔn)和運(yùn)算放大器，NPN管與二極管構(gòu)成。...
2023-08-07 標(biāo)簽：二極管運(yùn)算放大器比較器TL431NPN 7278
設(shè)計(jì)節(jié)能螺線管驅(qū)動(dòng)器
驅(qū)動(dòng)螺線管的常見方法是在螺線管線圈中施加所需的電壓。這通?？梢允褂门渲迷诟邆?cè)或低側(cè)的單個(gè)功率晶體管來完成。功率晶體管需要一個(gè)與螺線管并聯(lián)的續(xù)流二極管，因?yàn)槁菥€管線圈具有高...
2023-08-07 標(biāo)簽：二極管線圈驅(qū)動(dòng)器電壓晶體管 4125
確定線性穩(wěn)壓器的包裝限制范圍
通常，工程師根據(jù)數(shù)據(jù)表前面列出的一些規(guī)格來選擇線性穩(wěn)壓器，這些規(guī)格概述了穩(wěn)壓器的工作范圍，例如輸入電壓范圍、輸出電壓、輸出電流和壓差。然后，工程師通常會(huì)尋找的封裝尺寸，以...
2023-08-07 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器線性穩(wěn)壓器輸出電流 1003
第4代碳化硅場效應(yīng)晶體管的應(yīng)用
Qorvo （UnitedSiC） 近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴(kuò)大了公司的性能地位，并擴(kuò)大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品是 750V SiC FET 系列中的首款產(chǎn)品，R DS（...
兩個(gè)開關(guān)正激變換器
當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí)，如圖2b所示，原邊電路中的功率被切斷，原邊繞組上的電壓將反轉(zhuǎn)，直到點(diǎn)端被D3鉗位返回，非點(diǎn)端被D4鉗位到VIN。因此，每個(gè) MOSFET 將承受 VIN 的關(guān)斷電壓應(yīng)力大小。...
2023-08-07 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET電壓vin 1600
氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究
半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體，GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景廣闊。...
降壓轉(zhuǎn)換器使用陶瓷輸出電容器
許多降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 IC 都采用電壓模式控制算法。因此，為了在連續(xù)導(dǎo)通模式下穩(wěn)定工作，應(yīng)用電路的輸出電容器通常采用高 ESR 鉭電容器，原因有兩個(gè)。ESR 產(chǎn)生的輸出紋波部分提供了周期間...
2023-08-07 標(biāo)簽：電容器轉(zhuǎn)換器電容DC/DC算法 975
金剛石場效應(yīng)晶體管及深紫外光電探測研究
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)...
2023-08-07 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管光電探測器 1234
ROHM - 大功率、低阻值檢流電阻器的基礎(chǔ)與應(yīng)用
電路中的電流檢測技術(shù)多種多樣。其中簡單和常見的方法之一是使用專用的檢流電阻器。如下圖所示，這種電阻器有兩種用法。其一是圖左側(cè)的分流配置，其中大部分電流流經(jīng)檢流電阻器，而...
在功率逆變器應(yīng)用中使用WBG半導(dǎo)體時(shí)選擇柵極電阻器的注意事項(xiàng)
在典型的電路功能中，您使用高側(cè) （HS） 和低側(cè) （LS） MOSFET 作為開關(guān)器件來驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載。當(dāng)關(guān)閉 HS 和 LS 開關(guān)時(shí)，電流從電源 V CC流向電感器Lo。另一方面，當(dāng)關(guān)閉 HS 開關(guān)并打開 LS 開關(guān)時(shí)...
2023-08-07 標(biāo)簽：電感器逆變器開關(guān)器件電感電流 1043
氮化鎵和碳化硅誰將贏得寬帶隙之戰(zhàn)？
氮化鎵和碳化硅正在爭奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。...
2023-08-07 標(biāo)簽：led照明充電器氮化鎵碳化硅電動(dòng)汽車充電 2844
另一種單片熱電偶示例解決方案—LT1025
Linear Technology 的 LT1025 是另一種用于冷端補(bǔ)償?shù)膯纹鉀Q方案。AD849x 包括內(nèi)部放大器和 CJC 電路，而 LT1025 僅產(chǎn)生冷端補(bǔ)償電壓。該 IC 的功能框圖如圖 5 所示。...
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