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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
源極接地放大電路參數(shù)講解(1)

源極接地放大電路參數(shù)講解(1)

仿真或者測量輸入阻抗,需要在信號輸入端串聯(lián)一個電阻,如下圖R5。...

2023-07-15 標(biāo)簽:放大電路仿真FET輸入阻抗輸出阻抗 897

電感升降壓電路基本原理

電感升降壓電路基本原理

MOS管一-讓輸入電源Vin電流有控制的流向輸出Vout; 電容C--儲能作用,保證負(fù)載有連續(xù)的能量供給; 電感L.-一抑制由電容充放電帶來的沖擊電流; 二極管一-開關(guān)閉 合時為電感電流提供回路。...

2023-07-15 標(biāo)簽:降壓電路電感 1508

ADP5014的開關(guān)電源轉(zhuǎn)換電路設(shè)計

ADP5014的開關(guān)電源轉(zhuǎn)換電路設(shè)計

開關(guān)調(diào)節(jié)器中的快速開關(guān)瞬變是有利的,因為這顯著降低了開關(guān)模式電源中的開關(guān)損耗。尤其是在高開關(guān)頻率時,可以大幅提高開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率。但是,快速開關(guān)轉(zhuǎn)換也會帶來一些負(fù)面影響。...

2023-07-15 標(biāo)簽:ADI開關(guān)電源轉(zhuǎn)換電路開關(guān)調(diào)節(jié)器ADIadp5014開關(guān)電源開關(guān)調(diào)節(jié)器轉(zhuǎn)換電路 1332

電源電路圖分享 電源防反接電路總結(jié)

電源電路圖分享 電源防反接電路總結(jié)

使用xt60,xt30等接口正負(fù)極接口不一樣,防止反接,最有效的方法。...

2023-07-15 標(biāo)簽:電源二極管整流二極管NMOS防反接電路 2884

運放經(jīng)典應(yīng)用電路 同相運算放大器電路圖和計算公式

運放經(jīng)典應(yīng)用電路 同相運算放大器電路圖和計算公式

同相運算放大器是一種運算放大器,其輸出電壓和輸入電壓同相。反饋是通過一個電阻從運算放大器的輸出獲取到運算放大器的反相輸入,另一個電阻接地。...

2023-07-15 標(biāo)簽:放大器運放電路運算放大器運算電路 17160

MSPM0L1306開發(fā)板教程之OPA

MSPM0L1306開發(fā)板教程之OPA

MSPM0L系列的OPA是一個軌到軌輸入輸出的可編程運算放大器,最大為32x,可以軟件配置為零漂移斬波放大器以提高精度和漂移性能,有專門優(yōu)化的輸入管腳的型號可以達到10pA的輸入偏置電流,標(biāo)準(zhǔn)...

2023-07-15 標(biāo)簽:運算放大器運放dac開發(fā)板OPA 3050

MSPM0L1306開發(fā)板教程之COMP

MSPM0L1306開發(fā)板教程之COMP

MSPM0L帶有模擬比較器功能,可以用于模擬信號的比較,用于中斷MCU或者觸發(fā)MCU其他外設(shè)。...

2023-07-15 標(biāo)簽:mcu比較器dac模擬信號開發(fā)板 3737

一文詳解LLC諧振變換器的失效模式

一文詳解LLC諧振變換器的失效模式

提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢。對于當(dāng)今的開關(guān)電源(SMPS)而言,具有高可靠性也是非常重要的。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢逐漸成為一種主流拓?fù)?。這種拓?fù)涞?..

2023-07-15 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源LLC諧振變換器 5713

LVDS端口ESD靜電放電保護方案

LVDS端口ESD靜電放電保護方案

Low Voltage Differential Signaling(LVDS)是一種低壓差分信號技術(shù)接口...

2023-07-14 標(biāo)簽:二極管接收器靜電放電lvds接口DFN封裝 1919

加速新賽道固態(tài)半導(dǎo)體器件破繭而出—LED芯片技術(shù)

加速新賽道固態(tài)半導(dǎo)體器件破繭而出—LED芯片技術(shù)

近年來,由于我國宏觀經(jīng)濟持續(xù)增長、國家產(chǎn)業(yè)政策的扶持以及LED技術(shù)的不斷突破;國內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,并已形成完整的產(chǎn)業(yè)鏈。...

2023-07-14 標(biāo)簽:發(fā)光二極管LED技術(shù)LED芯片LED發(fā)光半導(dǎo)體器件 1677

一種耳機放大器音響電路設(shè)計方案

一種耳機放大器音響電路設(shè)計方案

用頭戴式耳機,尤其是小型耳機聽音樂,總感到音樂味不夠足,在低頻段的效果更差。因此用本機增強耳機的低頻特性,并采用立體聲反相合成的辦法,加上內(nèi)藏簡易矩陣環(huán)繞聲電路,能獲得強...

2023-07-14 標(biāo)簽:放大器電路設(shè)計耳機驅(qū)動電路音響電路 2459

關(guān)于光電振蕩器和飛秒激光器技術(shù)的思考

關(guān)于光電振蕩器和飛秒激光器技術(shù)的思考

光電振蕩器(optoelectronicoscillator,OEO)和飛秒激光器都是產(chǎn)生超寬帶可調(diào)諧、低相位噪聲的微波振蕩的途徑。本文簡單介紹北郵射頻光子學(xué)實驗室在這兩個技術(shù)手段的思考。...

2023-07-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器激光器頻率合成器DDS壓控振蕩器 3094

ALD在高深寬比器件制造上不可替代的應(yīng)用

ALD在高深寬比器件制造上不可替代的應(yīng)用

在集成電路領(lǐng)域中,深寬比被定義為刻蝕深度與刻蝕圖形CD(Criticlal Dimension)的比值。CD是IC制造中的一個重要指標(biāo),通常與刻蝕的特征圖形的尺寸相關(guān)聯(lián),包括有淺槽隔離的間隙、晶體管的溝...

2023-07-14 標(biāo)簽:集成電路晶體管PVDCVD 4354

碳化硅8英寸時代倒計時 中國廠商能否搭上“早班車”

碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期,受到新能源汽車、光伏和儲能等市場的推動,碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線,。國內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅...

2023-07-14 標(biāo)簽:新能源汽車功率器件碳化硅8英寸晶圓功率器件新能源汽車碳化硅 2186

運放OP閉環(huán)電路小信號分析中常見的問題

運放OP閉環(huán)電路小信號分析中常見的問題

這一篇文章我們主要看下OP閉環(huán)電路小信號分析中常見的問題。有時候我們發(fā)現(xiàn)stb分析(β=1)的bode圖和開環(huán)AC仿真的曲線相差很大,且兩者的零極點位置、裕度等可能大有不同。探究造成該問題...

2023-07-14 標(biāo)簽:放大電路運放小信號寄生電容負(fù)反饋 1521

新能源汽車車速的防抖功能—Anti jerk function介紹

新能源汽車車速的防抖功能—Anti jerk function介紹

無論是新能源汽車,還是傳統(tǒng)發(fā)動機車輛都使用到Anti-jerk 功能。只是傳統(tǒng)車輛anti-jerk 功能是放在VCU或ECU里面實現(xiàn),而新能汽車放在MCU或VCU里面實現(xiàn)。...

2023-07-14 標(biāo)簽:新能源汽車轉(zhuǎn)換器低通濾波器觸發(fā)器MCU芯片 4864

全差分運放CMFB負(fù)反饋環(huán)路穩(wěn)定性分析

全差分運放CMFB負(fù)反饋環(huán)路穩(wěn)定性分析

我們都知道,全差分運放一般都有共模反饋電路(CMFB),它的目的是穩(wěn)定對稱兩點位置的共模電位。CMFB一般也是通過負(fù)反饋方式來穩(wěn)定共模點的,所以和主運放追求環(huán)路穩(wěn)定性一樣,CMFB環(huán)路也...

2023-07-14 標(biāo)簽:運放小信號負(fù)反饋環(huán)路穩(wěn)定性 4753

運放的失調(diào)電壓詳解 一個簡單全差分OP輸入失調(diào)大小計算的例子

運放的失調(diào)電壓詳解 一個簡單全差分OP輸入失調(diào)大小計算的例子

前段時間一直在負(fù)責(zé)某個項目的debug工作,其中一個問題的核心原因是接收電路的輸入失調(diào)電壓過大造成,該接收電路是以op為核心器件構(gòu)建的信號鏈電路,負(fù)責(zé)對信號進行放大、均衡等。這次...

2023-07-14 標(biāo)簽:模擬電路ldoadc運放失調(diào)電壓 9434

全橋PFC AC/DC變換器實驗原理

全橋PFC AC/DC變換器實驗原理

單相全橋整流器的輸入是單相交流電源,輸出是直流電壓,采用雙閉環(huán)控制方式。外環(huán)為直流電壓的控制回路,用來控制輸出電壓的穩(wěn)定,內(nèi)環(huán)為電感電流回路,用來調(diào)整輸入電壓與輸入電流同...

2023-07-14 標(biāo)簽:逆變器電容充電電感電流電流控制器全橋整流器 6339

集成電路制造裝備用精密陶瓷結(jié)構(gòu)件的特點及產(chǎn)業(yè)格局

集成電路產(chǎn)業(yè)(即IC產(chǎn)業(yè))是關(guān)乎國家經(jīng)濟、政治和國防安全的戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè),在IC產(chǎn)業(yè)中,集成電路制造裝備具有極其重要的戰(zhàn)略地位。...

2023-07-14 標(biāo)簽:集成電路LCD屏PVD光刻機碳化硅 2386

柵極鉗位TVS二極管對IGBT雙脈沖開關(guān)特性的影響

柵極鉗位TVS二極管對IGBT雙脈沖開關(guān)特性的影響

階段1(0—t1),在t=0時刻,開關(guān)S動作,lGBT開始關(guān)斷,柵極通過RG開始放電,VGE下降。這導(dǎo)致通過溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少,但是由于感性負(fù)載的存在,通過抽取N基區(qū)中多余的電子和空穴來...

2023-07-14 標(biāo)簽:二極管電感器TVS二極管IGBT續(xù)流二極管 1463

IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響

IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響

階段2(tl—t2):在t1時刻,VGE>Vth,溝道開啟,電子開始通過溝道注入到基區(qū),同時背面的集電極開始向基區(qū)內(nèi)注入空穴,集電極開始產(chǎn)生電流IC,此時IC<IL,隨著溝道開啟程度的增加,IC逐漸...

2023-07-14 標(biāo)簽:TVS二極管IGBT續(xù)流二極管寄生電感VDC 2851

IGBT雙脈沖仿真—柵極電感的影響

IGBT雙脈沖仿真—柵極電感的影響

階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開始對柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開啟。...

2023-07-14 標(biāo)簽:電感器IGBT續(xù)流二極管VCE柵極電壓 1696

SGT-MOS與DMOS雪崩耐量對比

SGT-MOS與DMOS雪崩耐量對比

屏蔽柵側(cè)壁氧化層厚度:0.7um屏蔽柵底部氧化層厚度:0.5um屏蔽柵隔離氧化層厚度:0.3um...

2023-07-14 標(biāo)簽:MOS管雪崩二極管DMOSDMOSMOS管雪崩二極管雪崩光電管 1466

數(shù)據(jù)處理中最重要的濾波原理講解
PEK-130模塊之三相正弦脈寬調(diào)變逆變器設(shè)計

PEK-130模塊之三相正弦脈寬調(diào)變逆變器設(shè)計

SPWM正弦脈寬度調(diào)變技術(shù)原理為由控制器產(chǎn)生的三相正弦波電壓命令與三角波做比較,經(jīng)過比較器,產(chǎn)生脈寬調(diào)變訊號驅(qū)動逆變器,并使其輸出近似正弦波且為等幅不等寬的電壓波形。...

2023-07-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器控制器變頻器SPWM控制SPWM控制三相正弦波逆變器變頻器控制器控制器轉(zhuǎn)換器 2917

dV/dt對MOSFET動態(tài)性能的影響有哪些?

dV/dt對MOSFET動態(tài)性能的影響有哪些?

①靜態(tài)dV/dt:會引起MOSFET柵極電壓變化,導(dǎo)致錯誤開通。在柵源間并聯(lián)電阻,可防止誤開通。...

2023-07-14 標(biāo)簽:二極管MOSFET電感器柵極電壓CGDMOSFET二極管柵極電壓電感器 3075

如何去實現(xiàn)一種肖特基整流二極管的設(shè)計?

如何去實現(xiàn)一種肖特基整流二極管的設(shè)計?

肖特基整流二極管具有工作頻率高、工作電流大、正向壓降低、反向漏電小、可靠性高等特點,廣泛用于開關(guān)電源及功率變換器中。...

2023-07-14 標(biāo)簽:開關(guān)電源整流二極管變換器肖特基二極管VBR變換器開關(guān)電源整流二極管肖特基二極管 1421

SCR放電管瞬態(tài)特性器件晶格溫度

SCR放電管瞬態(tài)特性器件晶格溫度

晶閘管(SCR)由于其深回滯輸出特性曲線,低導(dǎo)通電阻,高ESD泄流能力的特點,在ESD保護中得到越來越廣泛的應(yīng)用。...

2023-07-14 標(biāo)簽:晶閘管ESD保護SCRNPN晶體管觸發(fā)器 1163

半導(dǎo)體制造商專注擴大功率半導(dǎo)體和成熟的工藝產(chǎn)能

晶圓代工龍頭中芯國際在未來5至7年內(nèi)將有約34萬片晶圓產(chǎn)能的12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項目,其中包括深圳、北京、上海等地項目。...

2023-07-14 標(biāo)簽:中芯國際晶圓代工功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造碳化硅 543

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