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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
應(yīng)用工程師咨詢:電容和電容器

應(yīng)用工程師咨詢:電容和電容器

盡管有十幾種流行的電容器類型(包括聚乙烯、薄膜、陶瓷、電解等),但您會(huì)發(fā)現(xiàn),一般來說,只有一種或兩種類型最適合特定應(yīng)用,因?yàn)榕c其他類型的電容器相關(guān)的顯著缺陷或?qū)ο到y(tǒng)性能的...

2023-06-17 標(biāo)簽:電容器轉(zhuǎn)換器dac 1942

10位四通道DAC,采用3.0V至5.5V單電源供電

10位四通道DAC,采用3.0V至5.5V單電源供電

單芯片AD7804和AD7805內(nèi)置四個(gè)10位電壓輸出數(shù)模轉(zhuǎn)換器。AD7804(圖1)具有3線串行數(shù)字接口,采用16引腳DIP或SO封裝。AD7805可以并行加載10位,或在8位總線上以2字節(jié)(8 + 28)加載;它采用 3 引腳 DIP、...

2023-06-17 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器接口 4109

極低電壓、微功率放大器

極低電壓、微功率放大器

這些應(yīng)用的放大器必須在這些低電壓下工作,并且消耗的電流非常小。此外,它們的輸入和輸出信號(hào)范圍應(yīng)盡可能寬,以獲得足夠的動(dòng)態(tài)范圍(滿量程信噪比)。最好的器件的輸出電壓可以從正...

2023-06-17 標(biāo)簽:電源CMOS放大器 1990

兩級(jí)電流反饋放大器

兩級(jí)電流反饋放大器

AD8011的出色性能(表)和功耗經(jīng)濟(jì)性得益于獨(dú)特的雙增益級(jí)電流反饋架構(gòu)(圖A1)和ADI公司的鍵合晶圓超快速互補(bǔ)雙極性(XFCB)工藝。...

2023-06-17 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器晶體管 1853

詢問應(yīng)用工程師:建立時(shí)間

詢問應(yīng)用工程師:建立時(shí)間

運(yùn)算放大器建立時(shí)間是保證數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)性能的關(guān)鍵參數(shù)。為了實(shí)現(xiàn)精確的數(shù)據(jù)采集,運(yùn)算放大器輸出必須在A/D轉(zhuǎn)換器能夠準(zhǔn)確數(shù)字化數(shù)據(jù)之前建立。然而,建立時(shí)間通常不是一個(gè)容易測(cè)量的參...

2023-06-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)采集 1940

RA6M3 HMI Board 之ADC獲取電壓值

RA6M3 HMI Board 之ADC獲取電壓值

R7FA6M3有2個(gè)ADC單元,每個(gè)ADC單元有12位、10位、8位讀取數(shù)據(jù)的格式可以選擇,在單元0上有13個(gè)ADC通道,而在單元1上有16個(gè)ADC通道。 ADC單元具有三種掃描方式分別為:?jiǎn)未蚊枘J健⑦B續(xù)掃描模式和...

2023-06-17 標(biāo)簽:mcuadc開發(fā)板RT-ThreadRA6M3 4644

應(yīng)用示例—ADC驅(qū)動(dòng)器

應(yīng)用示例—ADC驅(qū)動(dòng)器

每一代新產(chǎn)品的性能改進(jìn)通常都伴隨著用戶必須遵守的實(shí)際要求,以便從運(yùn)算放大器或轉(zhuǎn)換器獲得最佳性能。老一代運(yùn)算放大器通常需要外部補(bǔ)償來定制響應(yīng);閃存A/D速度快,但耗電且輸入阻抗...

2023-06-17 標(biāo)簽:CMOS轉(zhuǎn)換器運(yùn)算放大器 1490

精密光電二極管傳感器電路優(yōu)化設(shè)計(jì)

精密光電二極管傳感器電路優(yōu)化設(shè)計(jì)

光電二極管是很多光學(xué)測(cè)量中最常用的傳感器類型之一。諸如吸收和發(fā)射光譜、色彩測(cè)量、渾濁度、氣體探測(cè)等應(yīng)用均有賴于光電二極管實(shí)現(xiàn)精密光學(xué)測(cè)量。...

2023-06-17 標(biāo)簽:傳感器放大器光電二極管 4400

AD7606一款使用方便的雙極性輸入、同步采樣ADC

AD7606一款使用方便的雙極性輸入、同步采樣ADC

AD7606/AD7606-6/AD7606-4為16位同步采樣模數(shù)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(DAS),分別有 8、6、4個(gè)采集通道。片上集成模擬輸入箝位保護(hù)、二階抗混疊濾波器、跟蹤保持放大器、 16 位電荷再分配逐次逼近型 ADC內(nèi)核、...

2023-06-17 標(biāo)簽:放大器濾波器DAS 7267

常被忽略的九項(xiàng)ADC技術(shù)指標(biāo)

模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的種類繁多,我們總是很難弄清哪種ADC才最適合既定應(yīng)用。數(shù)據(jù)手冊(cè)往往會(huì)使問題變得更加復(fù)雜,許多技術(shù)指標(biāo)都以無法預(yù)料的方式影響著性能。 選擇轉(zhuǎn)換器時(shí),工程師通常只關(guān)...

2023-06-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器adcPCB 1861

成功實(shí)現(xiàn)超低光信號(hào)轉(zhuǎn)換的七個(gè)步驟

成功實(shí)現(xiàn)超低光信號(hào)轉(zhuǎn)換的七個(gè)步驟

在用于光檢測(cè)的固態(tài)檢波器中,光電二極管仍然是基本選擇。光電二極管廣泛用于光通信和醫(yī)療診斷。其他應(yīng)用包括色彩測(cè)量、信息處理、條形碼、相機(jī)曝光控制、電子束邊緣檢測(cè)、傳真、激光...

2023-06-17 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器emi光電二極管 2203

基于PSIM的雙環(huán)Buck變換電路仿真

基于PSIM的雙環(huán)Buck變換電路仿真

利用電感電流IL構(gòu)建雙環(huán)控制,將電壓外環(huán)產(chǎn)生的控制量作為電流內(nèi)環(huán)的參考值,當(dāng)外部條件發(fā)生變化時(shí),電感電流能快速反映外部變化,使得變換器能快速進(jìn)行調(diào)整。穩(wěn)態(tài)性能與設(shè)置的控制參...

2023-06-23 標(biāo)簽:BUCK變換電路仿真PSIM電感電流 10267

基于PSIM的單環(huán)Buck變換電路仿真

基于PSIM的單環(huán)Buck變換電路仿真

PSIM是電力電子仿真軟件中最簡(jiǎn)單、最容易上手的仿真軟件,接下來就從易到難分享一些變換器的搭建模型,可能有不足的地方,歡迎新手一起學(xué)習(xí)指正!...

2023-06-23 標(biāo)簽:BUCK變換器變換電路仿真PSIM 7972

Buck變換器MOSFET開關(guān)過程分析與損耗計(jì)算

Buck變換器MOSFET開關(guān)過程分析與損耗計(jì)算

前言:為了方便理解MOSFET的開關(guān)過程及其損耗,以Buck變換器為研究對(duì)象進(jìn)行說明(注:僅限于對(duì)MOSFET及其驅(qū)動(dòng)進(jìn)行分析,不涉及二極管反向恢復(fù)等損耗。)...

2023-06-23 標(biāo)簽:二極管MOSFETBUCK變換器損耗計(jì)算 6597

采用SPI接口的模擬開關(guān)提高通道密度

采用SPI接口的模擬開關(guān)提高通道密度

設(shè)計(jì)一個(gè)要求高通道密度的系統(tǒng)時(shí),例如在測(cè)試儀器儀表中,電路板上通常需要包括大量開關(guān)。當(dāng)使用并行接口控制的開關(guān)時(shí),控制開關(guān)所需的邏輯線路以及用于生成GPIO控制信號(hào)的串行轉(zhuǎn)并行...

2023-06-16 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器ADI電路板 2070

負(fù)溫度特性電阻NTC的R-T曲線

負(fù)溫度特性電阻NTC的R-T曲線

引言:通常,熱敏電阻是指NTC型,因此在后面,將NTC統(tǒng)一稱為熱敏電阻。...

2023-06-16 標(biāo)簽:二極管溫度傳感器熱敏電阻NTCSMD 16728

微波混頻電路仿真設(shè)計(jì)

微波混頻電路仿真設(shè)計(jì)

這期我們看一個(gè)電路仿真任務(wù),頻譜線任務(wù),也叫諧波平衡(Harmonic Balance)...

2023-06-16 標(biāo)簽:二極管電壓源諧振器線性電路混頻電路 2617

如何獲取壓變電容(變?nèi)荻O管)的電容曲線?

如何獲取壓變電容(變?nèi)荻O管)的電容曲線?

變?nèi)荻O管(Varactor Diodes)又稱"可變電抗二極管",是利用PN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大。...

2023-06-16 標(biāo)簽:二極管負(fù)電壓變?nèi)荻O管SPICE仿真CST 3964

五種信號(hào)的頻譜特性、分類

正弦波信號(hào)(Sine Wave):正弦波信號(hào)具有單一的頻率和幅度,其頻譜呈現(xiàn)為一個(gè)窄帶譜線,位于正弦波頻率處。正弦波信號(hào)在頻譜上只有一個(gè)明顯的頻率峰值。...

2023-06-16 標(biāo)簽:模擬信號(hào)頻譜脈沖信號(hào)正弦波信號(hào) 17784

通用電阻器的一般用途

通用電阻器的一般用途

用于限制晶體管的基本電流和LED電流。如***圖2-1***通過設(shè)定阻值,來限制電流在適當(dāng)范圍,還有諸如驅(qū)動(dòng)MOS管的限流電阻等等。...

2023-06-16 標(biāo)簽:電阻器led燈存儲(chǔ)器MOS管晶體管 1328

MOS管什么情況下會(huì)遭受靜電破壞?

MOS管什么情況下會(huì)遭受靜電破壞?

MOS管本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓 (U=Q/C),將管子損壞。...

2023-06-16 標(biāo)簽:二極管MOS管電磁場(chǎng) 948

淺析TSV硅轉(zhuǎn)接基板的可靠性評(píng)價(jià)方法

淺析TSV硅轉(zhuǎn)接基板的可靠性評(píng)價(jià)方法

硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅轉(zhuǎn)接基板技術(shù)作為先進(jìn)封裝的一種工藝方式,是實(shí)現(xiàn)千級(jí)IO芯片高密度組裝的有效途徑,近年來在系統(tǒng)集成領(lǐng)域得到快速應(yīng)用。...

2023-06-16 標(biāo)簽:處理器存儲(chǔ)器硅晶圓IC芯片TSV封裝 1734

碳化硅的需求正在飆升

 到2030年,汽車電源市場(chǎng)(包括功率MOSFET、IGBT和SiC半導(dǎo)體)的收入預(yù)計(jì)將達(dá)到266億美元,幾乎是今年收入的兩倍。未來五年,車用功率芯片市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以16.0%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。...

2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBTSiC 2073

開關(guān)電源/開關(guān)MOS管/開關(guān)變壓器損耗講解

開關(guān)電源/開關(guān)MOS管/開關(guān)變壓器損耗講解

今天給大家分享的是:開關(guān)電源損耗與效率、開關(guān)晶體管損耗、開關(guān)變壓器損耗。...

2023-06-16 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源MOS管晶體管損耗 3540

FPGA浮點(diǎn)數(shù)表示及計(jì)算機(jī)數(shù)值表示規(guī)則

FPGA浮點(diǎn)數(shù)表示及計(jì)算機(jī)數(shù)值表示規(guī)則

定點(diǎn)數(shù)硬件實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單,但表示的范圍有限,且部分的小數(shù)運(yùn)算IP核只支持浮點(diǎn)數(shù)運(yùn)算,因此這里還需要提到浮點(diǎn)數(shù)的相關(guān)內(nèi)容。...

2023-06-16 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器FPGA設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī) 2257

如何從DC直流損耗仿真(IR drop)換去熱仿真?

如何從DC直流損耗仿真(IR drop)換去熱仿真?

這期我們介紹PCB熱仿真,重點(diǎn)是確定熱源和PCB簡(jiǎn)化。PCB上的熱源有三種:**元件功率散熱,****DC** **直流損耗熱轉(zhuǎn)換,** **AC** **交流損耗熱轉(zhuǎn)換** 。...

2023-06-16 標(biāo)簽:EDA工具熱仿真求解器PCB 3680

M2 Ultra性能測(cè)試 GPU性能僅有4080一半

M2 Ultra性能測(cè)試 GPU性能僅有4080一半

蘋果在 WWDC 2023 上發(fā)布了全新的 M2 Ultra 芯片,并一同發(fā)布了搭載這款芯片的 Mac Studio 和 Mac Pro。...

2023-06-16 標(biāo)簽:amd英特爾晶體管 2829

1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行?

1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行?

在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上,旨在以類似硅的成本實(shí)現(xiàn)垂直 GaN(氮化鎵)功率晶體管的歐洲財(cái)團(tuán) YESvGaN 介紹了其方案。...

2023-06-16 標(biāo)簽:IGBTSiC氮化鎵GaN薄膜晶體管 1222

如何設(shè)計(jì)微波或光子通信中的非互易設(shè)備?

如何設(shè)計(jì)微波或光子通信中的非互易設(shè)備?

這期我們的案例是Spatiotemporal modulation, 時(shí)空調(diào)制。這種效果能夠打破互易性,用來設(shè)計(jì)微波或光子通信中的非互易設(shè)備。...

2023-06-16 標(biāo)簽:濾波電路諧振器變?nèi)荻O管調(diào)制器CST 2032

二極管的關(guān)鍵參數(shù)

二極管的關(guān)鍵參數(shù)

二極管的物理結(jié)構(gòu)有兩種,一種是普通的P-N結(jié),一種是金屬半導(dǎo)體結(jié)...

2023-06-16 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源整流器SMPS控制器 9388

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