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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術>

模擬技術

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術文章和模擬電子技術應用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術與電子技術欄目。
MOS的寄生模型

MOS的寄生模型

引言:MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮寫,具有高速和低損耗的特性,廣泛應用于各種領域。...

2023-06-16 標簽:MOSFETMOS管場效應晶體管RDSON控制器寄生二極管 2647

概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關鍵特性及驅(qū)動條件

概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關鍵特性及驅(qū)動條件

SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。...

2023-06-16 標簽:MOSFETSiC功率半導體柵極驅(qū)動器電容電流 1233

好消息!第7代IGBT功率模塊成功研制

IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導型器件,被譽為電力電子行業(yè)的 “CPU”。IGBT代表絕緣柵雙極型晶體管,是國際公認的電力電子技術的第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。...

2023-06-16 標簽:cpuIGBT晶體管功率模塊 2501

使用ISERDES接收高速串行數(shù)據(jù)

使用ISERDES接收高速串行數(shù)據(jù)

高速信號傳輸過程中,并行傳輸因為線路同步難,抗干擾性差等缺點逐漸被串行技術取代;通過提高傳輸速率的方法,串行傳輸也可以實現(xiàn)很高的傳輸速度。...

2023-06-16 標簽:轉(zhuǎn)換器FPGA設計DDRSDRSERDES接口 4011

二極管失效的主要原因

二極管失效的主要原因

對普通整流二極管來講,只要應用電路中存在電網(wǎng)波動、同網(wǎng)中的大功率設備開啟關斷、雷擊、開關火花、大容量的感性負載、大容量的容性負載這些情況下,瞬間電壓高于二極管反向擊穿電壓...

2023-06-16 標簽:二極管半導體整流二極管功率器件 5842

低功率通用儀器放大器INA141U產(chǎn)品介紹

INA141是一款低功率通用儀器放大器,具有卓越的精度。它的多功能的3運算放大器設計和小巧的尺寸使其成為理想之選用于廣泛的應用。...

2023-06-16 標簽:放大器儀器放大器 1938

低功耗、雙儀表放大器INA2141產(chǎn)品介紹

INA2141經(jīng)過激光微調(diào),可實現(xiàn)非常低的偏移電壓(50μV)、漂移(0.5μV/°C)和高共模抑制(G=100時為117dB)。...

2023-06-16 標簽:放大器電阻器偏移電壓 1806

儲能逆變器內(nèi)使用的半導體器件有哪些

儲能逆變器內(nèi)使用的半導體器件有哪些

儲能逆變器的作用不僅有利于提升儲能系統(tǒng)的效率及運行穩(wěn)定性,而且也是整個儲能系統(tǒng)中多種信息傳遞與處理、實時人機交互的信息平臺,是非常關鍵設備。...

2023-06-16 標簽:電力電子器件IGBT半導體器件儲能系統(tǒng)儲能逆變器 3056

在具有電平轉(zhuǎn)換器/隔離器的高速、高分辨率ADC中實現(xiàn)所需的動態(tài)性能

在具有電平轉(zhuǎn)換器/隔離器的高速、高分辨率ADC中實現(xiàn)所需的動態(tài)性能

MAX11905為20位、全差分SAR模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),采樣速率為1.6Msps。使用MAX11905設計電路板時,一個要求是測試不同范圍的V。奧夫德,1.5V至3.6V。MAX11905評估板采用MAX14935隔離器,工作速率為150Msps,兩...

2023-06-16 標簽:轉(zhuǎn)換器電路板隔離器 1464

又一SiC車型上市,首發(fā)訂單破10000輛

6月15日,江鈴汽車在上海舉行了“江鈴樂行新能源品牌”發(fā)布會,正式開啟新能源領域新征程。同時,江鈴汽車的全新純電SiC輕卡——江鈴樂行E路達正式全球首發(fā)上市。...

2023-06-16 標簽:新能源汽車控制器SiC扁線電機 640

英飛凌會去美國建SiC廠嗎?

英飛凌會去美國建SiC廠嗎?

近日,德國碳化硅大廠——英飛凌透露,他們正在考慮去美國建工廠。而此前,另一家德國碳化硅企業(yè)——博世也宣布去美國生產(chǎn)碳化硅。...

2023-06-16 標簽:英飛凌SiC碳化硅IRASiC碳化硅英飛凌 625

EOS的含義與模型介紹

EOS的含義與模型介紹

EOS即Electrical Over Stress,指的是過度電性應力,當外界電流或電壓超過器件的最大承受能力時,器件性能會衰退或者直接損壞。...

2023-06-16 標簽:繼電器晶閘管TVS管EOSPCB走線 17130

東芝研討會解讀肖特基勢壘二極管的特性、選型、使用要點和電路設計的技巧

東芝研討會解讀肖特基勢壘二極管的特性、選型、使用要點和電路設計的技巧

在開關電源特別是高頻開關電源中,肖特基勢壘二極管可謂是不可缺少的整流高手。肖特基勢壘二極管由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎制成,作為一種低功耗、超高速半導體器件,該二...

2023-06-16 標簽:二極管整流二極管肖特基二極管肖特基勢壘二極管東芝半導體 1857

在ARM微控制器上部署MATLAB/Simulink仿真模型

在ARM微控制器上部署MATLAB/Simulink仿真模型

本文詳細演繹了從Simulink創(chuàng)建模型,仿真驗證,之后再生成C源碼部署到plus-f5270開發(fā)板的全過程。其中描述的方法和操作步驟,為后續(xù)部署更多仿真模型奠定了基礎。...

2023-06-16 標簽:微控制器ARMmatlabC語言Simulink 5618

SH79F9476系列芯片恒流LED DEMO2介紹

SH79F9476系列芯片集成有恒流LED驅(qū)動器,具有256級單點灰度可調(diào)、恒流驅(qū)動亮度均勻等特性;以SH79F9476作為主控芯片制作LED DEMO如下。...

2023-06-16 標簽:ledled驅(qū)動器數(shù)碼管恒流芯片 1379

一文講透IGBT 模塊失效的機理

驅(qū)動電路的工作頻率(最小脈寬)相對 IGBT 開關頻率(占空比范圍)不足,或輔助電源平均輸出功率不足,導致的輸出不穩(wěn)定。這個問題導致的后果是,驅(qū)動狀態(tài)發(fā)生波動,系統(tǒng)最壞情況出現(xiàn)概...

2023-06-16 標簽:變壓器開關器件 2536

一種具有低反向?qū)〒p耗的氧化鎵縱向FinFET

一種具有低反向?qū)〒p耗的氧化鎵縱向FinFET

由于Fin溝道的夾斷作用,可以采用歐姆接觸陽極替代肖特基接觸,形成無結(jié)二極管。因此,在反向續(xù)流時,無結(jié)的FD實現(xiàn)極低的反向?qū)妷海╒on)。...

2023-06-16 標簽:二極管氧化鎵 960

CTSD精密ADC:輕松驅(qū)動ADC輸入和基準電壓源,簡化信號鏈設計

CTSD精密ADC:輕松驅(qū)動ADC輸入和基準電壓源,簡化信號鏈設計

本文重點介紹新型連續(xù)時間Sigma-Delta (CTSD)精密ADC最重要的架構(gòu)特性之一:輕松驅(qū)動阻性輸入和基準電壓源。實現(xiàn)最佳信號鏈性能的關鍵是確保其與ADC接口時輸入源或基準電壓源本身不被破壞。使...

2023-06-16 標簽:接口adc電壓源基準電壓源 2871

CTSD精密ADC:實現(xiàn)固有混疊抑制

CTSD精密ADC:實現(xiàn)固有混疊抑制

在CTSD精密ADC系列文章的第3部分,我們將重點闡述CTSD ADC的無混疊特性,它可在不增加任何外圍設計的情況下提高抗干擾能力。第1部分 展示了一種新的基于連續(xù)時間∑-? DAC(CTSD)架構(gòu)、易于使用...

2023-06-16 標簽:濾波器運算放大器adc 1679

CTSD精密ADC:為信號鏈設計人員介紹CTSD架構(gòu)

CTSD精密ADC:為信號鏈設計人員介紹CTSD架構(gòu)

采用傳統(tǒng)方法解釋CTSD技術概念時,都是先理解離散時間∑-Δ (DTSD)調(diào)制器環(huán)路的基本原理,然后用等效的連續(xù)時間元件來替換離散時間環(huán)路元件。雖然通過這種方法可以深入了解∑-Δ功能,但我...

2023-06-16 標簽:adcdac調(diào)制器 1941

CTSD ADC:如何改進精密ADC信號鏈設計

CTSD ADC:如何改進精密ADC信號鏈設計

精密信號鏈設計人員面臨著滿足中等帶寬應用中噪聲性能要求的挑戰(zhàn),最后往往要在噪聲性能和精度之間做出權(quán)衡??s短上市時間并在第一時間完成正確的設計則進一步增加了壓力。持續(xù)時間...

2023-06-16 標簽:控制器接口SARadc信號鏈設計 2788

CTSD精密ADC:利用異步采樣速率轉(zhuǎn)換(ASRC)簡化數(shù)字數(shù)據(jù)接口

CTSD精密ADC:利用異步采樣速率轉(zhuǎn)換(ASRC)簡化數(shù)字數(shù)據(jù)接口

本系列文章已突出介紹了連續(xù)時間Σ-Δ(CTSD)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)調(diào)制器環(huán)路的架構(gòu)特性,這種架構(gòu)能夠簡化ADC模擬輸入端的信號鏈設計?,F(xiàn)在討論將ADC數(shù)據(jù)與外部數(shù)字主機接口以對此數(shù)據(jù)執(zhí)行應用相...

2023-06-16 標簽:接口adc調(diào)制器 3252

阻抗不變的情況下會不會發(fā)生反射?

阻抗不變的情況下會不會發(fā)生反射?

首先我們要明白一點:"當傳輸通道不連續(xù)時,就一定會發(fā)生傳輸模態(tài)的變化。"...

2023-06-16 標簽:轉(zhuǎn)換器阻抗微帶線電磁場TEM 1569

STC15W408AS單片機A/D轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)和相關寄存器

STC15W408AS單片機A/D轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)和相關寄存器

STC15系列單片機內(nèi)部集成了8路10位高速A/D轉(zhuǎn)換器。STC15系列單片機的A/D轉(zhuǎn)換口在P1口(P1.7-P1.0),有8路10位高速A/D轉(zhuǎn)換器,速度到300KHz(30萬次/秒)。8路電壓輸入型A/D,可做溫度檢測、電池電壓檢測、...

2023-06-16 標簽:單片機轉(zhuǎn)換器寄存器adcSTC15W408AS 3973

IR Drop與封裝(一)

IR Drop與封裝(一)

大部分從事后端設計的同行應該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析(模塊級別的IR分析不需要考慮封裝),一般只有PA工程師、后端項目經(jīng)理、封裝同事等才會接觸這一部分內(nèi)容。...

2023-06-16 標簽:晶體管電源電壓BGA封裝VRMPCB走線 2103

談談芯片設計中的IR-drop

談談芯片設計中的IR-drop

什么是IR-drop?其實,IR這個詞并不是什么縮寫,這里的I就是指電流,R是指電阻,他們放在一起相乘,得出來的結(jié)果就是電壓。...

2023-06-16 標簽:寄存器芯片設計PAD晶體管去耦電容 10415

超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET助力提高電源效率

超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。...

2023-06-16 標簽:MOSFET開關電源電源系統(tǒng)功率調(diào)節(jié)器 933

集成運算放大電路的組成和傳輸特性

集成運算放大電路的組成和傳輸特性

今天開始,繼續(xù)總結(jié)模擬電子技術典型電路的仿真。...

2023-06-15 標簽:集成電路MOS管模擬電子集成運放運算放大電路 9926

PN結(jié)二極管的工作原理/特性和應用

PN結(jié)二極管的工作原理/特性和應用

二極管是一種半導體器件,它具有特殊的特性,當電流從一個方向流出時允許電流,如果電流方向相反,則阻塞電流。...

2023-06-15 標簽:二極管PN結(jié)半導體器件 9600

深度剖析旁路和阻斷二極管

深度剖析旁路和阻斷二極管

不斷增長的電力需求創(chuàng)造了對太陽能的巨大需求,可以公平地說,二極管使太陽能系統(tǒng)的使用成為可能和高效。事實上,太陽能電池只不過是一個光敏二極管,當太陽光照射在其上時會產(chǎn)生電流...

2023-06-15 標簽:二極管旁路二極管 2953

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