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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
反相輸入放大器與生俱來的坑

反相輸入放大器與生俱來的坑

我們都知道反相放大器能將輸入的信號(hào)反相放大,這是很基本的知識(shí),學(xué)過電路的一般都知道。反相放大器的公式為Vout=-Vin*Rf/Rin.根據(jù)已知的公式,能很輕松的完成設(shè)計(jì),但反相放大器與生俱來...

2023-05-18 標(biāo)簽:放大器電路設(shè)計(jì)反相放大器運(yùn)放輸入阻抗 1390

淺談反相輸入放大器輸入阻抗太低問題

淺談反相輸入放大器輸入阻抗太低問題

下面根據(jù)運(yùn)放“虛短虛斷”的特點(diǎn)來分析下,上圖同相輸入端接地,電位為0,根據(jù)運(yùn)放虛短的特點(diǎn),運(yùn)放的3腳同相輸入端和4腳反相輸入端的電位相等,所以4腳反相輸入端的電位也為0電位。...

2023-05-18 標(biāo)簽:反相放大器輸入阻抗 4619

Boost升壓PFC電感上的二極管是做什么的?

Boost升壓PFC電感上的二極管是做什么的?

為了提高電網(wǎng)的功率因數(shù),減少干擾,平板電視的大多數(shù)電源都采用了有源PFC電路,盡管電路的具體形式繁多,不盡相同,工作模式也不一樣(CCM電流連續(xù)型、DCM不連續(xù)型、BCM臨界型),但基本...

2023-05-18 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源PFCBoostMOS 2963

同步整流下功率MOSFET的分析介紹

同步整流下功率MOSFET的分析介紹

同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。...

2023-05-18 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管肖特基二極管同步整流 1207

二氧化釩輔助的可切換多功能超材料結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析

二氧化釩輔助的可切換多功能超材料結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析

隨著太赫茲技術(shù)的迅速發(fā)展,基于太赫茲的超材料的應(yīng)用擁有了更多可能性,在濾波器、調(diào)制器、偏振轉(zhuǎn)換器、吸收器等許多方面的應(yīng)用都受到了諸多關(guān)注。...

2023-05-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器濾波器調(diào)制器PCR 3654

FHA75T65A型號(hào)IGBT適用于單相組串式逆變器

FHA75T65A型號(hào)IGBT適用于單相組串式逆變器

單相組串式逆變器在家用市場(chǎng)中的發(fā)展越發(fā)側(cè)重在互聯(lián)網(wǎng)連接隨時(shí)隨地監(jiān)控實(shí)的時(shí)代,因此模塊級(jí)對(duì)于電源優(yōu)化器的需求是有顯著增長(zhǎng)的勢(shì)頭。...

2023-05-17 標(biāo)簽:逆變器IGBT快恢復(fù)二極管電源優(yōu)化器 1851

電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源芯片U6206DC帶來更強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力

電機(jī)自問世以來不斷在造福人類,電機(jī)技術(shù)也不斷與時(shí)俱進(jìn)。未來電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器在智能制造和創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展方向主要在高集成度、高可靠性、低碳化幾個(gè)方面。...

2023-05-17 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源芯片GND 1111

單片機(jī)ADC采樣輸入阻抗怎么匹配

單片機(jī)ADC采樣輸入阻抗怎么匹配

單片機(jī)ADC采樣輸入阻抗怎么匹配...

2023-05-17 標(biāo)簽:原理圖單片機(jī)adc采樣輸入阻抗 13580

關(guān)于電阻的全面知識(shí)匯總詳解

關(guān)于電阻的全面知識(shí)匯總詳解

電阻器是限制電流的元件,通常簡(jiǎn)稱為電阻,是一種最根本最常用的電子元件,普遍應(yīng)用在各種各類電子電路中。...

2023-05-17 標(biāo)簽:電阻電阻器壓敏電阻 5503

EL1527CRE-T7低功耗雙通道差分放大器

該設(shè)備具有400mA的高驅(qū)動(dòng)能力,而每個(gè)放大器僅消耗±12V電源的7.5mA電源電流。...

2023-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器差分放大器 997

THS3122IDDA低噪聲、高速電流反饋放大器

THS3122IDDA的高輸出驅(qū)動(dòng)能力使設(shè)備能夠在寬輸出電壓范圍內(nèi)以低失真驅(qū)動(dòng)50Ω負(fù)載。...

2023-05-17 標(biāo)簽:反饋放大器電流反饋放大器 1410

晶體管的工作原理、作用及三種工作狀態(tài)

  晶體管是一種半導(dǎo)體器件,由三個(gè)摻雜不同的半導(dǎo)體材料組成,通常是n型半導(dǎo)體、p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體。晶體管具有體積小、重量輕、功耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電子電路中的...

2023-05-17 標(biāo)簽:放大器開關(guān)半導(dǎo)體振蕩器晶體管 15238

光電晶體管的工作原理和用途

  光電晶體管是一種光電轉(zhuǎn)換器件,它是在雙極型晶體管的基礎(chǔ)上加入光敏材料制成的。光電晶體管可以將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),具有高靈敏度、高速度、低噪聲等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于光電傳感...

2023-05-17 標(biāo)簽:通信晶體管光信號(hào)光電晶體管光電轉(zhuǎn)換 4549

雙極型晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

  雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱BJT)是一種半導(dǎo)體器件,它是一種基于電子和空穴的雙極性導(dǎo)電性質(zhì)的三極管。與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比,雙極型晶體管的控制電流較大,但具有高電流...

2023-05-17 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體晶體管BJT雙極型晶體管 8598

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

  場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比,場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小,因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)...

2023-05-17 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體晶體管FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 10260

晶體管和晶閘管的區(qū)別

  晶體管是一種三極管,由發(fā)射極、基極和集電極組成。它的主要作用是放大電信號(hào)和控制電流。晶體管的工作原理是通過控制基極電流來控制集電極電流,從而實(shí)現(xiàn)電流放大和開關(guān)控制等功...

2023-05-17 標(biāo)簽:放大器三極管半導(dǎo)體晶閘管晶體管 5594

封裝設(shè)計(jì)中的電-熱-力多物理場(chǎng)耦合設(shè)計(jì)

封裝設(shè)計(jì)中的電-熱-力多物理場(chǎng)耦合設(shè)計(jì)

集成電路及其封裝是典型的由名種材料構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)體系,也是典型的多物理場(chǎng)耦合系統(tǒng)。...

2023-05-17 標(biāo)簽:集成電路晶體管TSV封裝設(shè)計(jì) 2200

3V/5V DAC支持智能電流環(huán)路

3V/5V DAC支持智能電流環(huán)路

當(dāng)今流行的工業(yè)控制應(yīng)用,如可編程邏輯控制器、工廠過程控制、計(jì)算機(jī)數(shù)控(CNC)和智能變送器,都需要低功耗半導(dǎo)體。與這一趨勢(shì)相一致的是使用4-20mA電流環(huán)路,這已成為工廠環(huán)境中主機(jī)和...

2023-05-17 標(biāo)簽:控制器變送器計(jì)算機(jī) 1574

放大器為壓電薄膜傳感器提供信號(hào)調(diào)理

放大器為壓電薄膜傳感器提供信號(hào)調(diào)理

所述電路提供來自壓電薄膜換能器的熱輸出。該電路是一款高輸入阻抗差分電荷放大器,采用三個(gè)運(yùn)算放大器,采用經(jīng)典儀表放大器配置。差分級(jí)抑制電阻產(chǎn)生的熱噪聲,并充當(dāng)一階高通濾波器...

2023-05-17 標(biāo)簽:傳感器放大器運(yùn)算放大器 2910

薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案

薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案

光耦的主要作用是電氣絕緣和信號(hào)隔離,優(yōu)點(diǎn)是其輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了電氣隔離,抗干擾能力強(qiáng),使用壽命長(zhǎng),傳輸效率高。...

2023-05-17 標(biāo)簽:光耦功率器件碳化硅信號(hào)隔離 1174

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

碳化硅 (SiC) 技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本,因此市場(chǎng)需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代品,它們并非完全相同。為了實(shí)現(xiàn)...

2023-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiC碳化硅 805

適合于小功率離線式充電器應(yīng)用的充電器ic U25135

面對(duì)居高不下的室外溫度,夏日出行必備神器——掛脖小風(fēng)扇、手持小風(fēng)扇、usb小風(fēng)扇迎來了一波好行情。...

2023-05-17 標(biāo)簽:CVMPSRVDD充電器IC大功率三極管 1555

二極管 VS MOS管,你的防反接保護(hù)電路選擇誰?

二極管 VS MOS管,你的防反接保護(hù)電路選擇誰?

通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺?shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1所示。...

2023-05-17 標(biāo)簽:二極管保護(hù)電路MOS管散熱器PMOS 4856

GD32開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南(基礎(chǔ)篇) 第13章 DAC

GD32開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南(基礎(chǔ)篇) 第13章 DAC

數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換模塊(DAC)是12位數(shù)字輸入,電壓輸出的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器。DAC可以配置為8位或12位模式,也可以與DMA控制器配合使用。DAC工作在12位模式時(shí),數(shù)據(jù)可以設(shè)置成左對(duì)齊或右對(duì)齊。DAC模塊...

2023-05-17 標(biāo)簽:mcudac開發(fā)板模擬轉(zhuǎn)換器GD32 8026

如何正確理解IGBT模塊規(guī)格書中的主要參數(shù)?

如何正確理解IGBT模塊規(guī)格書中的主要參數(shù)?

當(dāng)我們?cè)谶x擇一款I(lǐng)GBT模塊做功率回路設(shè)計(jì)時(shí),首先都會(huì)問到兩個(gè)最基本的參數(shù),這個(gè)模塊是多少伏、多少安培的?...

2023-05-16 標(biāo)簽:逆變器散熱器IGBT脈沖電流直流母線電壓 21503

淺談ESD防護(hù)設(shè)計(jì)—NMOS的妙用(二)

淺談ESD防護(hù)設(shè)計(jì)—NMOS的妙用(二)

而眾多改變反偏結(jié)擊穿電壓的方法無論是改變摻雜濃度還是改變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其本質(zhì)都是通過改變反偏結(jié)空間電荷區(qū)的電場(chǎng)分布來改變Trigger Voltage。...

2023-05-16 標(biāo)簽:三極管ESDBJTNMOS管 5564

淺談ESD防護(hù)設(shè)計(jì)—NMOS的妙用(一)

淺談ESD防護(hù)設(shè)計(jì)—NMOS的妙用(一)

目前主流的ESD-NMOS有兩大設(shè)計(jì)思路:GGNMOS(Gate Ground NMOS),GCNMOS(Gate Couple NMOS)。...

2023-05-16 標(biāo)簽:三極管ESDLDD接口NPNNMOS管 20565

單向晶閘管的工作原理和導(dǎo)通條件

 單向晶閘管(Silicon Controlled Rectifier,簡(jiǎn)稱SCR)是一種半導(dǎo)體器件,也是最早的一種晶閘管。它由四個(gè)半導(dǎo)體區(qū)域組成,具有三個(gè)電極:陽極、陰極和控制極。單向晶閘管具有單向?qū)щ娦?,只能?..

2023-05-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶閘管工作原理SCR信號(hào) 4388

講一下系統(tǒng)級(jí)ESD事件

講一下系統(tǒng)級(jí)ESD事件

接觸放電和空氣放電測(cè)試的是儀器設(shè)備在使用過程中與另一帶電儀器可能發(fā)生的靜電事件。...

2023-05-16 標(biāo)簽:ESDPCB板TVS管開路電壓 3342

CDM防護(hù)措施以及設(shè)計(jì)思路

CDM防護(hù)措施以及設(shè)計(jì)思路

前幾期曾經(jīng)講過,對(duì)封裝后的芯片進(jìn)行CDM測(cè)試,大量非平衡載流子會(huì)通過金線集聚到封裝框架中。所以封裝也是影響CDM的關(guān)鍵因素之一,恰宜的封裝能大幅度提升芯片的CDM防護(hù)等級(jí)。...

2023-05-16 標(biāo)簽:二極管ESDMOS管CDMRC電路 12040

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