模擬技術(shù)
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SiC賦能更為智能的半導(dǎo)體制造/工藝電源
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。...
2023-05-19 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 1485
推薦一款品質(zhì)優(yōu)良的副邊15W開關(guān)電源芯片SF1538
開關(guān)電源雖然具有很高的效率，但開關(guān)電源芯片的熱阻和散熱能力有一定的局限性，所以一定要計算系統(tǒng)所需的電壓和電流，從而計算出系統(tǒng)的功耗...
2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFETemiLED驅(qū)動開關(guān)電源芯片GND 1400
英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術(shù)，具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達(dá)到450Vdc。 120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用可回...
淺談鱷魚地線對高頻信號測試的影響
對于高頻信號測量時，探頭的鱷魚接地線是萬惡之源，無論多好的儀器都無法發(fā)揮價值，這是為什么呢?...
物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中，關(guān)鍵模擬信號鏈產(chǎn)品介紹
在很多人的印象中，如今的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）大部分創(chuàng)新都集中在數(shù)字技術(shù)上。從盡人皆知的云計算，到近年來炙手可熱邊緣智能，這其中數(shù)字技術(shù)的推動作用大家有目共睹。不過，在討論中也許我...
2023-05-19 標(biāo)簽：adc物聯(lián)網(wǎng)dac 1953
半導(dǎo)體工藝之氣相外延介紹
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。...
2023-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC電源系統(tǒng)反應(yīng)器 4663
你還不了解三極管推挽電路嗎？
推挽電路，有人也叫圖騰柱電路。圖騰柱我沒理解這個名字是怎么來的，但是“推挽”就比較形象了。...
2023-05-18 標(biāo)簽：三極管推挽電路NPN管直流電機(jī)驅(qū)動器 2034
如何突破功率半導(dǎo)體器件性能天花板?
碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下，400V電壓時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間；800V時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量...
2023-05-18 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 750
一起聊聊400G線路傳輸方案
目前100G線路傳輸方案非常成熟并且大量商用，但隨著5G時代的到來以及4K、VR、云計算、大數(shù)據(jù)等新業(yè)務(wù)迅速興起，光網(wǎng)絡(luò)蓬勃發(fā)展，100G光網(wǎng)絡(luò)將越來越不能滿足帶寬的傳輸需求。...
2023-05-18 標(biāo)簽：放大器模數(shù)轉(zhuǎn)換器光網(wǎng)絡(luò)QPSKFEC 2896
FR場景下的4x200G技術(shù)分析
基于單通道200G的PAM4 技術(shù)，是光強(qiáng)度調(diào)制和直接檢測互連的下一代技術(shù)的主要階段，它將成為4通道800G光連接的基礎(chǔ)，也是未來1.6Tb/s 互連的重要構(gòu)建基礎(chǔ)。...
2023-05-18 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器控制器接收器調(diào)制解調(diào)器PAM 2663
碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢
碳化硅的RDS（ON）較低，因而開關(guān)損耗也較低，通常比硅低100倍?；谔蓟璧男ぬ鼗O管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，...
基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢
混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT（硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。...
2023-05-18 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器分立器件碳化硅基本半導(dǎo)體 910
DS1859內(nèi)部校準(zhǔn)和右移（可擴(kuò)展動態(tài)量程）
DS1859與眾不同的是其內(nèi)部校準(zhǔn)和右移（可擴(kuò)展動態(tài)量距）功能。結(jié)合使用時，這些特性極大地增強(qiáng)了DS1859的12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），使其具有高達(dá)16位ADC的精度和準(zhǔn)確度，而不會增加成本和尺寸...
2023-05-18 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器寄存器adc 1299
HFAN-08.2.1：用于熱電模塊的PWM溫度控制器
對于大多數(shù)電子系統(tǒng)，精度受環(huán)境溫度變化的影響。我們可以通過將關(guān)鍵組件的局部溫度限制在較窄的范圍內(nèi)來提高精度。這種方法的適當(dāng)應(yīng)用包括高性能晶體、表面聲波 （SAW） 濾波器、光子...
Σ-Δ型ADC教程
Σ-Δ轉(zhuǎn)換器（1位ADC）的模擬側(cè)非常簡單。數(shù)字方面使得Σ-Δ型ADC的生產(chǎn)成本低廉，但更為復(fù)雜。它執(zhí)行濾波和抽取。要了解其工作原理，您必須熟悉過采樣、噪聲整形、數(shù)字濾波和抽取的概念。...
2023-05-18 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器adc 3267
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，...
芯片制造為什么用單晶硅片做襯底呢？
硅片是一種薄而平整的硅材料，通常以6英寸、8英寸、12英寸等規(guī)格制造而成。...
芯熾8/16通道24位模數(shù)轉(zhuǎn)換器SC1644概述
壓力傳感器充當(dāng)傳感器，并產(chǎn)生與其所承受的力相對應(yīng)的電壓電信號。該輸出電壓通常在毫伏范圍內(nèi)非常低。為了捕獲這種低壓信號，必須使用非常靈敏和精確的器件，本文介紹了芯熾8/16通道...
2023-05-18 標(biāo)簽：傳感器壓力傳感器模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1127
IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，...
12W適配器電源ic U9513A銷量穩(wěn)步上升
當(dāng)前在國內(nèi)5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)不斷升級與普及背景下，電子設(shè)備市場普及率不斷提升，而電源適配器作為能為電子設(shè)備提供所需電能形態(tài)的關(guān)鍵部件...
第三代半導(dǎo)體器件的機(jī)會在哪里
與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強(qiáng)等特點，具有強(qiáng)大的功率處理能力、較高的開關(guān)頻...
Cascode CG低噪放電路設(shè)計
Cascode CG stage是另一種實現(xiàn)低輸入阻抗的電路...
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