模擬技術(shù)
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SK海力士在HBM領(lǐng)域中MR-MUF技術(shù)的發(fā)展
挑戰(zhàn)傳統(tǒng)，打破限制，勇攀高峰，打破常規(guī)者們?cè)趯で箝_(kāi)創(chuàng)性解決方案的過(guò)程中重塑規(guī)則。繼SK海力士品牌短片《誰(shuí)是打破常規(guī)者》播出后，將推出一系列文章，展示公司在重塑技術(shù)、重新定義...
今日看點(diǎn)丨臺(tái)積電A14制程將于2026年上半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)；SK海力士推出全球最高
1. 傳蘋(píng)果將于明年3 月在印度生產(chǎn)iPhone 16 Pro 系列 ? 蘋(píng)果正在擴(kuò)大在印度的制造足跡。據(jù)報(bào)道，蘋(píng)果計(jì)劃在印度生產(chǎn)高端iPhone 16 Pro和Pro Max機(jī)型。蘋(píng)果還計(jì)劃通過(guò)降價(jià)和本地化生產(chǎn)來(lái)增加其在印...
溫漂特性問(wèn)題分析實(shí)驗(yàn) 改善HJG598的溫漂與輸出噪聲
通過(guò)實(shí)驗(yàn)找到器件解調(diào)部分的輸入信號(hào)-輸出信號(hào)的建立響應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)的根本原因，并對(duì)工作頻率、響應(yīng)時(shí)間與輸出噪聲電壓的關(guān)系進(jìn)行了探討與驗(yàn)證，明確了其之間相互影響的關(guān)系，并提出了...
2024-07-29 標(biāo)簽：噪聲溫漂信號(hào)調(diào)理電路LVDT信號(hào)調(diào)理電路噪聲溫漂 4104
貿(mào)澤開(kāi)售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
2024 年 7 月 24 日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 ...
Qorvo SiC FET在ZVS軟開(kāi)關(guān)技術(shù)應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)
從石器時(shí)代到信息時(shí)代，人類(lèi)對(duì)高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源系統(tǒng)等前沿科技的蓬勃發(fā)展，電力電子設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)與日俱增。開(kāi)關(guān)損耗一直是影響電力...
2024-07-25 標(biāo)簽：ZVS軟開(kāi)關(guān)SiCQorvo 3185
增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)解析
增強(qiáng)型MOS管（Enhancement MOSFET）是一種重要的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有高輸入阻抗、低輸入電流、高速開(kāi)關(guān)和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。以下是對(duì)增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)的詳細(xì)解析。...
2024-07-24 標(biāo)簽：MOS管晶體管增強(qiáng)型 4645
MOSFET閾值電壓是什么？影響MOSFET閾值電壓的因素有哪些？
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是現(xiàn)代電子學(xué)中極為重要的器件之一，廣泛應(yīng)用于集成電路、電源管理、信號(hào)處理等多個(gè)領(lǐng)域。其核心特性之一便是其閾值電壓（Threshold Voltage, 通常表...
場(chǎng)效應(yīng)管控制電流大小的原理
場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）控制電流大小的原理主要基于其獨(dú)特的電壓控制特性。FET是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，通過(guò)改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓（Vgs）來(lái)控制漏...
2024-07-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管FET 4158
場(chǎng)效應(yīng)管怎樣調(diào)節(jié)電流
場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）在電路中調(diào)節(jié)電流的方式主要通過(guò)控制其柵極（Gate）電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。以下將詳細(xì)闡述場(chǎng)效應(yīng)管如何調(diào)節(jié)電流，包括其工作原理、控制方法、實(shí)際應(yīng)用以及注...
2024-07-23 標(biāo)簽：電流場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 4497
場(chǎng)效應(yīng)管的電流方向怎么判斷
場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）的電流方向判斷，主要依據(jù)其類(lèi)型（N溝道或P溝道）以及源極（S）、漏極（D）和柵極（G）之間的相對(duì)位置和工作原理。...
2024-07-23 標(biāo)簽：電流場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 7768
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的測(cè)試方法
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的測(cè)試方法主要涉及到對(duì)驅(qū)動(dòng)電路中電阻值的測(cè)量，以確保其符合設(shè)計(jì)要求，從而保障MOS管的正常工作。簡(jiǎn)單介紹幾種常見(jiàn)的測(cè)試方法，并給出相應(yīng)的步驟和注意事項(xiàng)。...
2024-07-23 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 3979
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻大小的影響
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的大小對(duì)其工作性能有著顯著的影響，這些影響涉及開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個(gè)電路的性能表現(xiàn)。以下是對(duì)MOS管驅(qū)動(dòng)電阻大小影響的詳細(xì)探討。...
2024-07-23 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 7826
MOS管可變電阻區(qū)有什么用處
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的可變電阻區(qū)是其工作特性中的一個(gè)重要區(qū)域，具有廣泛的應(yīng)用和多種用處。以下是對(duì)MOS管可變電阻區(qū)用處的詳...
MOS管導(dǎo)通電壓和溫度的關(guān)系
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通電壓與溫度之間存在著復(fù)雜而重要的關(guān)系。這種關(guān)系不僅影響MOS管的性能，還對(duì)其在實(shí)際應(yīng)用中的穩(wěn)定性...
逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器特點(diǎn)和應(yīng)用
逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器（Successive Approximation Register Analog-to-Digital Converter，簡(jiǎn)稱(chēng)SAR ADC）是一種常用的模數(shù)轉(zhuǎn)換器類(lèi)型，它通過(guò)逐步逼近輸入信號(hào)的數(shù)值來(lái)獲得逼近的數(shù)字輸出。這種轉(zhuǎn)換器以其低...
2024-07-22 標(biāo)簽：傳感器adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1937
中國(guó)汽車(chē)論壇 | 芯聯(lián)集成用技術(shù)創(chuàng)新打造核心競(jìng)爭(zhēng)力
2024年7月11-13日，由中國(guó)汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)主辦的第14屆中國(guó)汽車(chē)論壇在上海召開(kāi)，此次論壇匯集了汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的高層決策者。 ? ? 7月11日下午舉辦的“閉門(mén)峰會(huì)”是中國(guó)汽車(chē)論壇重磅打造的“政企面...
2024-07-22 標(biāo)簽：芯聯(lián)集成 493
如何在太陽(yáng)能應(yīng)用旁路電路中使用理想二極管控制器并擴(kuò)展其輸入電壓范圍
本次為大家?guī)?lái)的是 《如何在太陽(yáng)能應(yīng)用旁路電路中使用理想二極管控制器并擴(kuò)展其輸入電壓范圍》 。本文將介紹一種采用浮動(dòng)?xùn)艠O理想二極管控制器的可擴(kuò)展輸入旁路電路解決方案。該電路...
IGBT功率器件功耗
IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè)，一是功率器件導(dǎo)通時(shí)，產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功率器件的開(kāi)通與關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生...
專(zhuān)為壓力傳感器應(yīng)用而設(shè)計(jì) 精密信號(hào)調(diào)節(jié) AFE:MAX40109
MAX40109 是一款低功耗、精密傳感器接口 SoC，包含高精度模擬前端 (AFE)、模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)、校準(zhǔn)存儲(chǔ)器和數(shù)字信號(hào)處理。它還包括一個(gè)帶有輸出緩沖器的數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)，以支持模擬電壓輸出和...
典型的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)及其核心元件
本文簡(jiǎn)要介紹了典型的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)及其核心元件。然后介紹 AnalogDevices Inc 的數(shù)據(jù)采集 (DAQ) 模塊，該模塊集成了許多關(guān)鍵元件，可提供穩(wěn)定的 18 位、2 兆次采樣每秒 (MS/s) 的性能。最后介紹評(píng)...
2024-07-18 標(biāo)簽：放大器adc數(shù)據(jù)采集采集系統(tǒng) 3585
運(yùn)放負(fù)反饋的詳細(xì)解析
判斷反饋是并聯(lián)還是串聯(lián)：從反饋信號(hào)與輸入信號(hào)是否同相即可判斷（即是否從同一點(diǎn)輸入），兩者同相則為串聯(lián)反饋，若兩者吧同相（不從同一點(diǎn)輸入），則為并聯(lián)反饋。...
2024-07-18 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器運(yùn)放負(fù)反饋運(yùn)放運(yùn)算放大器 5942
憑借80,000+模擬IC與嵌入式處理器，德州儀器賦能汽車(chē)、機(jī)器人和能源系統(tǒng)創(chuàng)新
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）芯片，?作為電子產(chǎn)業(yè)鏈的上游，?是整個(gè)科技創(chuàng)新的基石。為了滿(mǎn)足終端設(shè)備對(duì)多功能、高性能的需求，芯片逐漸朝著更高集成度方向發(fā)展，融合更多的功能...
2024-07-18 標(biāo)簽：處理器機(jī)器人模擬IC德州儀器能源系統(tǒng) 5271
逆變器IGBT模塊的主要作用
逆變器中的IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）模塊在電力電子領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。其作用不僅限于簡(jiǎn)單的電能轉(zhuǎn)換，還涉及到功率控制、保護(hù)、效率提升等多個(gè)方...
今日看點(diǎn)丨高通在印度起訴傳音專(zhuān)利侵權(quán)，傳音回應(yīng)
1. 大型液晶面板停產(chǎn) 夏普500 名員工將提前退休 ? 近日夏普宣布，由于位于大阪堺市的子公司SDP（Sakai Display Products）工廠將于9月底之前停產(chǎn)大型液晶面板（LCD），公司將尋求約500名工廠員工提...
AC-DC控制器PCB布局要點(diǎn)
在65W~150W輸出功率范圍應(yīng)用下，CrMPFC + QR Flyback 拓樸是非常普遍被選用的架構(gòu)，在小型化集成線(xiàn)路驅(qū)勢(shì)下，QRcombo 控制芯片應(yīng)運(yùn)而生。另外對(duì)于消費(fèi)型電子產(chǎn)品，不僅能效需要符合法規(guī)的要求，其...
2024-07-14 標(biāo)簽：pcb控制器電源轉(zhuǎn)換器 3121
英飛凌重磅發(fā)布多款CoolGaN系列新品
在全球矚目的慕尼黑電子展（Electronica）上，半導(dǎo)體巨頭英飛凌再次展現(xiàn)了其創(chuàng)新實(shí)力，通過(guò)一場(chǎng)盛大的媒體發(fā)布會(huì)，隆重推出了多款CoolGaN?系列新品，這些創(chuàng)新產(chǎn)品不僅拓寬了氮化鎵（GaN）技...
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