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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時(shí)代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈円呀?jīng)被認(rèn)為具有較高的寄生電感。...

2024-05-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率模塊雜散電感漏極電流 2167

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體超高壓MOS系列:提升電焊機(jī)焊接效率與穩(wěn)定性

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體超高壓MOS系列:提升電焊機(jī)焊接效率與穩(wěn)定性

電焊機(jī)是一種用于焊接金屬材料的工具,可以將兩塊金屬材料熔合在一起。...

2024-05-08 標(biāo)簽:變壓器MOSFET電焊機(jī)MOS逆變電路 1954

模擬電子技術(shù)知識點(diǎn)問題總結(jié)概覽

模擬電子技術(shù)知識點(diǎn)問題總結(jié)概覽

給大家分享模擬電子技術(shù)知識點(diǎn)問題總結(jié)。...

2024-05-08 標(biāo)簽:模擬電子 2626

安建半導(dǎo)體推出針對大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件

近年來,工業(yè)及消費(fèi)市場對于系統(tǒng)的要求不斷提高,為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能,MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。...

2024-05-06 標(biāo)簽:MOSFET寄生電感柵極驅(qū)動器smd封裝 3049

PMOS基反接防護(hù)電路設(shè)計(jì)詳解

PMOS基反接防護(hù)電路設(shè)計(jì)詳解

將PMOS的G極接電阻到地(GND),當(dāng)輸入端連接正向電壓時(shí),電流流過PMOS的體二極管到負(fù)載端。...

2024-04-30 標(biāo)簽:保護(hù)電路PMOS體二極管 3860

淺談AD轉(zhuǎn)換的位數(shù)對測量誤差的影響

淺談AD轉(zhuǎn)換的位數(shù)對測量誤差的影響

設(shè)計(jì)測試電路,使用 F030單片機(jī)進(jìn)行測試。輸入的模擬信號經(jīng)過RC濾波之后,發(fā)送到 ADC的第0通道。使用兩個(gè)電阻將模擬地和電源分開。電路板上還設(shè)置了 3.3V的穩(wěn)壓芯片。設(shè)計(jì)電路PCB,使其能夠...

2024-04-30 標(biāo)簽:單片機(jī)adc模擬信號AD轉(zhuǎn)換器 2935

模擬芯片企業(yè)帝奧微亮相2024汽車智慧照明系統(tǒng)創(chuàng)新技術(shù)大會

模擬芯片企業(yè)帝奧微亮相2024汽車智慧照明系統(tǒng)創(chuàng)新技術(shù)大會

2024年4月19日,由鈦祺汽車主辦的“2024汽車智慧照明系統(tǒng)創(chuàng)新技術(shù)大會”在上海圓滿舉行。此次展會旨在為與行業(yè)機(jī)構(gòu)、汽車制造商、照明系統(tǒng)供應(yīng)商和技術(shù)研發(fā)人員等專業(yè)人士提供一個(gè)平臺,...

2024-04-30 標(biāo)簽:模擬芯片智慧照明帝奧微電子 3322

今日看點(diǎn)丨聯(lián)發(fā)科天璣 9300 + 旗艦芯片官宣;小米 SU7 第 10000 輛量產(chǎn)整車下線

1. 傳特斯拉將與百度合作 清除 FSD 關(guān)鍵障礙 ? 近日特斯拉CEO埃隆·馬斯克抵達(dá)中國,有消息稱其出行掃清了兩個(gè)關(guān)鍵障礙,有助于將其駕駛輔助系統(tǒng)(FSD)引入中國市場。知情人士透露,特斯拉...

2024-04-30 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科小米天璣小米SU7 1613

一鯨落萬物生,京元電退出,大陸廠吃飽

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日,總部位于中國臺灣的封測大廠京元電子宣布出售旗下京隆科技(蘇州)有限公司92.1619%股權(quán),預(yù)計(jì)交易金額為人民幣48.85億元。出售之后,京元電不再持有...

2024-04-30 標(biāo)簽:封測京元電 6596

功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計(jì)算新方案

功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計(jì)算新方案

柵極參數(shù)設(shè)計(jì)是通過理論計(jì)算或建模仿真,模擬器件的開關(guān)狀態(tài),掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計(jì)算。...

2024-04-29 標(biāo)簽:MOSFETIGBTemcSiC變流器 2708

差分運(yùn)放與PT100傳感器采集處理電路設(shè)計(jì)

差分運(yùn)放與PT100傳感器采集處理電路設(shè)計(jì)

PT100是正溫度系數(shù)的熱敏電阻,顧名思義,隨著溫度的升高,電阻的阻值變大;相反,如果隨著溫度的升高,電阻的阻值變小,就是負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。...

2024-04-29 標(biāo)簽:電阻單片機(jī)熱敏電阻處理電路Pt100 7164

深入解析三極管工作原理

深入解析三極管工作原理

統(tǒng)講法一般分三步,以NPN型為例(以下所有討論皆以NPN型硅管為例),如示意圖A。1.發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子;2.電子在基區(qū)的擴(kuò)散與復(fù)合;3.集電區(qū)收集由基區(qū)擴(kuò)散過來的電子?!?注1)...

2024-04-29 標(biāo)簽:三極管二極管集電極光敏二極管NPN 2938

碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

在現(xiàn)代電子行業(yè),隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多,傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。...

2024-04-29 標(biāo)簽:電動汽車功率器件SiC碳化硅 1350

比亞迪e5高壓電控總成內(nèi)IGBT模塊技術(shù)分析

比亞迪e5高壓電控總成內(nèi)IGBT模塊技術(shù)分析

用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號IGBT,用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“~”之間的導(dǎo)通性,顯示導(dǎo)通,壓降為0.379 V。...

2024-04-28 標(biāo)簽:二極管原理圖萬用表比亞迪IGBT 2566

純真如信號放大器,簡單又深情

純真如信號放大器,簡單又深情

 暗戀就像根二極管,總是單向的電流。除非你運(yùn)氣好,表白時(shí)二極管反向擊穿了,否則你就一直這樣毫無回報(bào)的付出吧,別抱怨,誰讓你選二極管呢。...

2024-04-28 標(biāo)簽:三極管功率放大器信號放大器差動放大器共模信號 1200

MOS管為什么還要考慮電流大小呢?

MOS管為什么還要考慮電流大小呢?

當(dāng)MOS管驅(qū)動能力不足時(shí),我們會使用推挽電路來放大電流,但是MOS管明明是壓控型器件,為什么要去考慮電流大小呢?...

2024-04-28 標(biāo)簽:三極管電流MOS管驅(qū)動電路電源IC 3363

深入解讀DGND與AGND的奧秘

深入解讀DGND與AGND的奧秘

低阻抗、大面積接地層對于模擬電路和數(shù)字電路都是至關(guān)重要的。接地層不僅為了給高頻電流(高速數(shù)字邏輯產(chǎn)生的)一個(gè)低阻抗返回路徑,而且最大限度地減少EMI / RFI輻射。...

2024-04-28 標(biāo)簽:pcbadc模擬信號數(shù)字電路信號處理系統(tǒng) 2849

Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用有哪些呢?

Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用有哪些呢?

像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件,常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。...

2024-04-28 標(biāo)簽:CMOS晶圓大電流功率器件 1643

探究內(nèi)阻較小的MOS管發(fā)熱之謎

探究內(nèi)阻較小的MOS管發(fā)熱之謎

這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展,當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時(shí)候,那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路,所以叫做穿通(punch through)。...

2024-04-28 標(biāo)簽:二極管電源反接MOS管漏極電壓內(nèi)阻 1917

淺談高頻電阻的射頻阻抗響應(yīng)

淺談高頻電阻的射頻阻抗響應(yīng)

在高頻信號電路中,電阻不是單純的只有電阻R,而是還有電感,電感L模擬引線,電容Ca用于模擬電荷的分離效應(yīng),電容Cb用于模擬內(nèi)部引線電容。...

2024-04-28 標(biāo)簽:微波電路電阻器貼片電阻寄生電容信號電路寄生電容微波電路電阻器貼片電阻 2035

IGBT并聯(lián)技術(shù)驅(qū)動配置的優(yōu)化策略與實(shí)踐

IGBT并聯(lián)技術(shù)驅(qū)動配置的優(yōu)化策略與實(shí)踐

1. 每個(gè)IGBT有獨(dú)立的驅(qū)動器; 2. IGBT的連接形式接近于硬并聯(lián),兩橋臂交流輸出端通過銅排直接相連; 3. 可能存在發(fā)射極環(huán)流,但不同的IGBT門極回路間不存在耦合,IGBT的開關(guān)行為很獨(dú)立...

2024-04-26 標(biāo)簽:驅(qū)動器IGBT電流探頭 2835

碳化硅功率器件:革新電力電子的未來龍頭

在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越性能,成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品,它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來。...

2024-04-26 標(biāo)簽:逆變器功率器件SiC碳化硅車載充電器 1289

基于FPGA的內(nèi)部LVDS接收器設(shè)計(jì)

基于FPGA的內(nèi)部LVDS接收器設(shè)計(jì)

LVDS是一種低壓低功耗的高速串行差分?jǐn)?shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn),在高速數(shù)據(jù)互聯(lián)和數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用,主流的FPGA器件都集成了高速的LVDS收發(fā)器。...

2024-04-26 標(biāo)簽:FPGA模擬電路adclvds模數(shù)轉(zhuǎn)換器 3283

MOSFET在開關(guān)電源中的作用

MOSFET在開關(guān)電源中的作用

MOSFET作為開關(guān)元件,在開關(guān)電源中需要頻繁地切換兩種狀態(tài):導(dǎo)通和截止,以控制電流的通斷。這種切換過程對于電源的穩(wěn)定輸出至關(guān)重要。...

2024-04-25 標(biāo)簽:集成電路MOSFET開關(guān)電源穩(wěn)壓電源電壓電源 3765

如何選擇開關(guān)電源的MOSFET

如何選擇開關(guān)電源的MOSFET

DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。...

2024-04-25 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源控制電路DCDC開關(guān)控制器 9287

普通三極管電路的步驟

普通三極管電路的步驟

三極管是晶體管的一種,三極管的三個(gè)極分別是基極(Base)、發(fā)射極(Emitter)、集電極(Collector)。...

2024-04-25 標(biāo)簽:三極管MOS管晶體管數(shù)字電路 1720

6月5-7日,南京見!2024南京國際半導(dǎo)體博覽會邀您共赴盛會

6月5-7日,南京見!2024南京國際半導(dǎo)體博覽會邀您共赴盛會

2024南京國際半導(dǎo)體博覽會將于2024年6月5-7日,在南京國際博覽中心舉辦。 南京國際半導(dǎo)體博覽會是中國半導(dǎo)體領(lǐng)域極具影響力和標(biāo)志性的行業(yè)龍頭展會,自2019年起已連續(xù)在南京舉辦5屆,每年舉...

2024-04-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體 509

高效大電流穩(wěn)壓器電路設(shè)計(jì)方案

高效大電流穩(wěn)壓器電路設(shè)計(jì)方案

LT1083穩(wěn)壓器(參見圖1中的符號和引腳排列)允許調(diào)整正電壓,并能高效地提供高達(dá)7.5 A的電流。內(nèi)部電路設(shè)計(jì)用于輸入和輸出之間以高達(dá)1 V的壓差工作。...

2024-04-25 標(biāo)簽:二極管負(fù)載電流穩(wěn)壓器低電流穩(wěn)壓器 2063

深入淺出TVS二極管的工作原理和特性

深入淺出TVS二極管的工作原理和特性

ESD保護(hù)二極管設(shè)計(jì)在信號線與GND之間,保護(hù)DUP器件免受浪涌電壓的沖擊。在正常工作模式下,ESD保護(hù)二極管幾乎沒有電流經(jīng)過,只會有少量電流使反向擊穿電壓高于信號線電壓。...

2024-04-25 標(biāo)簽:二極管ESDTVSTVS二極管GND 1634

常用的MOS做電源開關(guān)的電路分享

常用的MOS做電源開關(guān)的電路分享

由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS,所以設(shè)計(jì)中盡量優(yōu)先選擇NMOS。...

2024-04-25 標(biāo)簽:電機(jī)控制導(dǎo)通電阻電源開關(guān)MOS低導(dǎo)通電阻 6550

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