模擬技術(shù)
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什么是SiC boat？SiC boat有幾種不同的制作工藝？
SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進(jìn)行高溫處理的耐高溫配件。...
IGBT器件失效模式的影響分析
功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中，IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在 多個(gè)影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條 件等。...
SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢(shì)！
在追求能源效率和對(duì)高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng)的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性，正在變革傳統(tǒng)功率電子技術(shù)。...
2024-04-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2446
SiC器件工作原理與優(yōu)勢(shì)
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具備高電子遷移率、高熱導(dǎo)率以及高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩(wěn)定工作，同時(shí)比傳統(tǒng)硅基器件體積更小，...
2024-04-18 標(biāo)簽：電機(jī)控制器功率器件SiC太陽(yáng)能逆變器SiC功率器件太陽(yáng)能逆變器電機(jī)控制器輸電系統(tǒng) 1879
納芯微發(fā)布首款車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET
為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試，100%抗雪崩能力測(cè)試。...
2024-04-18 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅納芯微熱管理系統(tǒng) 1097
一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別
在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。...
2024-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體cpugpu半導(dǎo)體材料氮化鎵 5075
三極管小電流如何駕馭大電流
三極管有兩種基本類型，即NPN型和PNP型。在這兩種類型中，NPN型的三極管更為常用，所以我們將主要討論NPN型的三極管。...
頗有前景的半導(dǎo)體替代材料：SiC和GaN適用范圍及優(yōu)缺點(diǎn)介紹
自1954年以來(lái)，硅一直是先進(jìn)技術(shù)發(fā)展的重要基石。人們普遍認(rèn)為，硅作為電子元件基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)核心材料的地位不可動(dòng)搖。...
2024-04-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiCGaN 3819
一個(gè)模電電路圖分享
有兩個(gè)晶體管(transistor)，一個(gè)NPN和一個(gè)PNP，連接方式下圖所示。假設(shè)此晶體管是硅(Si)，并顯示0.6伏特(V)基極至發(fā)射極電壓，且兩個(gè)晶體管的?值非常高，使得基極電流幾乎為零。求電壓V？？...
SiC MOSFET短路失效的兩種典型現(xiàn)象
短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用，其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。...
2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)晶體管SiC 5387
圣邦微電子Σ-Δ模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）技術(shù)一覽
Σ-Δ 模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的文獻(xiàn)最早出現(xiàn)于 1962 年，早期的原理討論淹沒在了深化研究之下，本文試圖鉤沉這些早期原理討論，為理解 Σ-Δ 型 ADC 做入門鋪墊。...
2024-04-17 標(biāo)簽：模數(shù)轉(zhuǎn)換器脈寬調(diào)制器圣邦微電子ADC采樣 2656
電阻不同顏色的色環(huán)代表什么意思
電阻器顏色代碼是一種標(biāo)準(zhǔn)化系統(tǒng)，用于表示電阻器的電阻值、容差，有時(shí)甚至表示電阻器的溫度系數(shù)。它們由涂在電阻器主體上的彩色帶組成，每個(gè)彩色帶代表電阻器值中的特定數(shù)字或乘數(shù)。...
MOS管柵極前加100Ω電阻的作用是什么
功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會(huì)形成諧振電路：對(duì)開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振，進(jìn)而引起功率管輸出電壓的波動(dòng)。...
2024-04-16 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻電阻MOSFETMOS管 1799
碳化硅器件的類型及應(yīng)用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導(dǎo)體器件的材料，具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導(dǎo)率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時(shí)保持穩(wěn)定性和效率。...
2024-04-16 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 1457
碳化硅在新型電力體系中的應(yīng)用
目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作為開關(guān)。如IGCT其耐壓可達(dá)6.5kV，通斷電流可達(dá)4000A。但在輸電系統(tǒng)中，其電壓電流等級(jí)仍然偏小，需要依靠多電平拓?fù)浠蚱骷?lián)，來(lái)提高耐壓能力...
2024-04-16 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)IGBT配電系統(tǒng)碳化硅穩(wěn)壓控制器 2114
射頻功率放大器功能介紹
PA應(yīng)用極為廣泛，在無(wú)線通信系統(tǒng)中，如手機(jī)、衛(wèi)星通信、Wi-Fi、蜂窩網(wǎng)絡(luò)等都需要射頻功率放大器來(lái)提供足夠的信號(hào)強(qiáng)度和覆蓋范圍。...
2024-04-16 標(biāo)簽：射頻功率放大器無(wú)線通信低噪聲放大器雷達(dá)系統(tǒng) 1393
深度解析TVS關(guān)鍵參數(shù)及選型技巧
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個(gè) PN 結(jié)或多個(gè) PN 結(jié)集成的器件。...
有源晶振和無(wú)源晶振的區(qū)別
有源晶振和無(wú)源晶振的區(qū)別，有什么方法能快速辨別兩者之間的不同;下面揚(yáng)興科技簡(jiǎn)單地介紹有源晶振和無(wú)源晶振定義，從定義中找到您想要的答案。...
2024-04-15 標(biāo)簽：有源晶振無(wú)源晶振揚(yáng)興科技 2936
碳化硅（SiC）功率器件探討：未來(lái)的能源解決方案
隨著全球?qū)Ω咝?、更可持續(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。...
2024-04-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件SiC碳化硅太陽(yáng)能逆變器 1757
ADCs和DACs的性能指標(biāo)、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
討論了不同的ADC和DAC架構(gòu)，包括Flash型、逐次逼近寄存器（SAR）型、Pipelining型和時(shí)間交錯(cuò)型等。...
2024-04-15 標(biāo)簽：dac模數(shù)轉(zhuǎn)換器逐次逼近寄存器ADCsdacDACs模數(shù)轉(zhuǎn)換器逐次逼近寄存器 1401
IGBT無(wú)損緩沖吸收電路設(shè)計(jì)原理
電磁干擾嚴(yán)重。隨著頻率提高，電路中的di/dt和du/dt增大，從而使電磁干擾增大，影響變換器和周圍電子設(shè)備的工作。...
2024-04-12 標(biāo)簽：二極管IGBT電磁干擾吸收電路開關(guān)器件 5644
合科泰生產(chǎn)的高壓MOS產(chǎn)品有哪些？
MOS管根據(jù)其耐壓值可分為中低壓MOS和高壓MOS管，高壓MOS也是基于場(chǎng)效應(yīng)管的原理工作，通過控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流。與普通MOS管相比，高壓MOS管能承受更高的電壓和電流。...
2024-04-12 標(biāo)簽：開關(guān)電源電機(jī)控制MOS管電壓電流伺服驅(qū)動(dòng)器 1639
探討氮化鎵在汽車動(dòng)力系統(tǒng)和激光雷達(dá)的應(yīng)用
氮化鎵（GaN）作為一種新興的半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的電子特性和潛在的系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì)，在汽車和移動(dòng)手機(jī)市場(chǎng)中展現(xiàn)出巨大的商業(yè)潛力。...
2024-04-12 標(biāo)簽：氮化鎵GaN激光雷達(dá)汽車動(dòng)力系統(tǒng) 1689
合科泰半導(dǎo)體推出一款N溝道MOS管HKTQ80N03
MOS管有N溝道MOS和 P溝道MOS等，N溝道MOS是在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極D和源極S。...
2024-04-12 標(biāo)簽：鋰電池電機(jī)驅(qū)動(dòng)DFN封裝閾值電壓NMOS管 2443
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