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16位ADC培訓(xùn) 模數(shù)轉(zhuǎn)換器LPC553x知識(shí)要點(diǎn)

16位ADC培訓(xùn) 模數(shù)轉(zhuǎn)換器LPC553x知識(shí)要點(diǎn)...

2022-07-07 關(guān)鍵字: adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器

常用的串口通信協(xié)議之SPI協(xié)議簡(jiǎn)析

SPI(serial peripheral interface)也是一種同步串行通信協(xié)議。這里為啥要說“也”呢,回想上一篇介紹的PS/2不也是同步串行通信協(xié)議嗎。SPI由一個(gè)主設(shè)備和 一個(gè)或多個(gè)從設(shè)備組成,主設(shè)備啟動(dòng)與從設(shè)備的同步通信,從而完成數(shù)據(jù)的交換。標(biāo)準(zhǔn)的SPI僅僅使用4個(gè)引腳,常用于主設(shè)備和外設(shè)(flash、實(shí)時(shí)時(shí)鐘、dsp等器件)的通信。

2022-07-07 關(guān)鍵字: 控制器SPI串口通信

基于CherryUSB調(diào)試dwc2 usb host筆記

關(guān)于 HCTSIZ_XFRSIZ 這個(gè)寄存器 bits,需要格外注意, in 和 out 的含義是不一樣的,并且數(shù)據(jù)發(fā)送接收完成以后,進(jìn)入中斷,再讀取這個(gè)值,也是不一樣的含義。

2022-07-06 關(guān)鍵字: usbHostdmaUSB調(diào)試RT-ThreadDWC2

分享一些單片機(jī)硬件電路的設(shè)計(jì)方案和心得

將不確定的信號(hào)通過一個(gè)電阻鉗位在高電平,維持在不被觸發(fā)的狀態(tài)或是觸發(fā)后回到原狀態(tài)。

半導(dǎo)體器件制造中的蝕刻工藝技術(shù)概述

在半導(dǎo)體器件制造中,蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù),該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定,其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述,一旦掩模就位,可以通過濕法化學(xué)或“干法”物理方法對(duì)不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻,圖1顯示了這一過程的示意圖。

2022-07-06 關(guān)鍵字: 集成電路半導(dǎo)體蝕刻

FPGA的Block RAM級(jí)聯(lián)架構(gòu)給AI/ML帶來超高數(shù)據(jù)...

隨著數(shù)據(jù)中心、人工智能、自動(dòng)駕駛、5G、計(jì)算存儲(chǔ)和先進(jìn)測(cè)試等應(yīng)用的數(shù)據(jù)量和數(shù)據(jù)流量不斷增大,不僅需要引入高性能、高密度FPGA來發(fā)揮其并行計(jì)算和可編程硬件加速功能,而且還對(duì)大量數(shù)據(jù)在FPGA芯片內(nèi)外流動(dòng)提出了更高的要求。于是,在FPGA芯片中集成包括片上二維網(wǎng)絡(luò)(2D NoC)和各種最新高速接口的新品類FPGA芯片應(yīng)運(yùn)而生,成為FPGA產(chǎn)業(yè)和相關(guān)應(yīng)用的新熱點(diǎn)。 拉開這場(chǎng)FPGA芯片創(chuàng)新大幕的是全球最大的獨(dú)立FPGA技術(shù)和產(chǎn)品提供商Achronix半導(dǎo)體公司,

2022-07-06 關(guān)鍵字: fpgaAIMLAchronix

RISC-V入門:模塊化開放式的ISA CISC和RISC...

本文是RISC-V基礎(chǔ)知識(shí)的入門篇。介紹了開放式架構(gòu)理念,模塊化ISA的技術(shù)描述,以及一些商業(yè)RISC-V微處理器實(shí)現(xiàn)。 RISC-V開放式指令集架構(gòu)是當(dāng)今專有架構(gòu)(如ARM架構(gòu))的流行替代方案。自誕生以來,RISC-V在學(xué)術(shù)和商業(yè)上穩(wěn)步普及。 了解 RISC 與 CISC RISC是1980年代提出的一種計(jì)算機(jī)架構(gòu)理念,,作為英特爾、摩托羅拉和幾乎所有其他公司提供的商業(yè)體系結(jié)構(gòu)的替代方案。這種架構(gòu)最初被稱為“復(fù)雜指令集計(jì)算機(jī)”或CISC,它依賴于密集的指令集來實(shí)現(xiàn)各種被

2022-07-06 關(guān)鍵字: ISA代碼CISCRISCRISC-V

相控陣?yán)走_(dá)射頻TR組件功率模塊故障分析及改進(jìn)策略

摘 要:產(chǎn)品,從該產(chǎn)品在分系統(tǒng)調(diào)試交驗(yàn)、整機(jī)調(diào)試交驗(yàn)、用戶使用過程中反饋的信息可以看出, T/R組件中的微波功率模塊發(fā)生故障的可能性較大,給分系統(tǒng)調(diào)試交驗(yàn)、整機(jī)調(diào)試交驗(yàn)以及售后維修等工作造成了很大困難,直接影響到雷達(dá)整機(jī)工作的穩(wěn)定性和可靠性,同時(shí)也給本單位帶來了不小的經(jīng)濟(jì)損失。分析了造成 T/R組件微波功率模塊損壞的主要原因,提出了降低 T/R組件故障率的相應(yīng)方法,并固化形成了中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)公司標(biāo)準(zhǔn) Q/CNG

從4680電池的體積成組率計(jì)算中看特斯拉4680電池能量密度

千葉給我一些信息,用于計(jì)算4680的成組率的過程,我覺得很有意義,結(jié)合特斯拉4680的電池公開專利《INTEGRATED ENERGY STORAGE SYSTEM》(專利號(hào):WO/2021/102340),做一些探討。 我們發(fā)現(xiàn)這么幾個(gè)問題:在電池設(shè)計(jì)中,由于圓柱也是Z向高度敏感型,所以如果考慮電池包的厚度、內(nèi)部間距和排煙通道等設(shè)計(jì)考慮,圓柱的體積成組率大約在下圖1的范圍。 隨著7月4680的穩(wěn)定發(fā)展,對(duì)于材料段需求也在逐步往上拉,預(yù)估從Q3開始4680相關(guān)的產(chǎn)業(yè)鏈的拉動(dòng)效果開始了。 ▲圖

2022-07-05 關(guān)鍵字: 特斯拉能量密度電池4680電池

總結(jié)STM32控制中常見的PID算法 理解萬能的PID算法

總結(jié)萬能的PID算法: PID的數(shù)學(xué)模型 在工業(yè)應(yīng)用中PID及其衍生算法是應(yīng)用最廣泛的算法之一,是當(dāng)之無愧的萬能算法,如果能夠熟練掌握PID算法的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)過程,對(duì)于一般的研發(fā)人員來講,應(yīng)該是足夠應(yīng)對(duì)一般研發(fā)問題了,而難能可貴的是,在很多控制算法當(dāng)中,PID控制算法又是最簡(jiǎn)單,最能體現(xiàn)反饋思想的控制算法,可謂經(jīng)典中的經(jīng)典。經(jīng)典的未必是復(fù)雜的,經(jīng)典的東西常常是簡(jiǎn)單的,而且是最簡(jiǎn)單的。 PID算法的一般形式 PID算法通過誤差信號(hào)控制被

2022-07-05 關(guān)鍵字: STM32PID算法PID

激活S7-300 Master CPU的系統(tǒng)診斷并在HMI上...

激活 CPU? 的系統(tǒng)診斷? 這里將激活“S7-300 Master”CPU ?的系統(tǒng)診斷。? 如果激活了系統(tǒng)診斷,則在下一次編譯硬件時(shí)將自動(dòng)生成診斷所需的所有報(bào)警和塊。? 在設(shè)備組態(tài)中選擇 CPU ?并在巡視窗口中打開“屬性”選項(xiàng)卡。? 在“系統(tǒng)診斷”“常規(guī)”下,激活對(duì)該 CPU ?的系統(tǒng)診斷。? 3. ??檢查在激活系統(tǒng)診斷(默認(rèn)設(shè)置)期間是否啟用了“發(fā)送報(bào)警”和“裝載硬件組態(tài)時(shí),將裝載系統(tǒng)診斷塊”功能。? 必要時(shí),需啟用這兩個(gè)功能。? 4. ??打開診斷支持。?

2022-07-05 關(guān)鍵字: cpuHMIS7-300

行車記錄儀傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試EMC整改實(shí)例

傳導(dǎo)發(fā)射(Conducted Emission)測(cè)試,簡(jiǎn)稱CE,通常也會(huì)被稱為騷擾電壓測(cè)試,是指系統(tǒng)內(nèi)部的電壓或電流通過信號(hào)電纜、電源線或地線傳輸出去而成為其他系統(tǒng)或設(shè)備干擾源的一種電磁現(xiàn)象。只要有電源線的產(chǎn)品都會(huì)涉及到,包括許多直流供電產(chǎn)品,另外,信號(hào)/控制線在不少標(biāo)準(zhǔn)中也有傳導(dǎo)發(fā)射的要求,通常用騷擾電壓或騷擾電流的限值(兩者有相互轉(zhuǎn)換關(guān)系)來表示。

2022-07-05 關(guān)鍵字: LC濾波器傳導(dǎo)發(fā)射行車記錄儀

ATE系統(tǒng)助力多維度打造穩(wěn)定高效的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備

多維度入手打造穩(wěn)定高效的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備,迎接集成電路融合時(shí)代的機(jī)遇與挑戰(zhàn) 5G、人工智能、新能源等新技術(shù)的成熟驅(qū)動(dòng)各行業(yè)加速數(shù)字化轉(zhuǎn)型落地,從而持續(xù)推動(dòng)全球半導(dǎo)體行業(yè)穩(wěn)步增長(zhǎng)。根據(jù)IC Insights半導(dǎo)體行業(yè)報(bào)告,預(yù)計(jì)2022年全球半導(dǎo)體總銷售額將再增長(zhǎng)11%,達(dá)到6806億美元的新紀(jì)錄。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)繁榮也讓半導(dǎo)體自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)的市場(chǎng)規(guī)模隨之水漲船高,預(yù)計(jì)2028年將達(dá)到72億美元。 ADI中國(guó)區(qū)工業(yè)市場(chǎng)總監(jiān)蔡振宇 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵

2022-07-04 關(guān)鍵字: 集成電路自動(dòng)測(cè)試ATE

DC-DC芯片的應(yīng)用設(shè)計(jì)中PCB布板需要注意的問題

????在DC-DC芯片的應(yīng)用設(shè)計(jì)中,PCB布板是否合理對(duì)于芯片能否表現(xiàn)出其最優(yōu)性能有著至關(guān)重要的影響。不合理的PCB布板會(huì)造成芯片性能變差如線性度下降(包括輸入線性度以及輸出線性度)、帶載能力下降、工作不穩(wěn)定、EMI輻射增加、輸出噪聲增加等,更嚴(yán)重的可能會(huì)直接造成芯片損壞。 ????一般DC-DC芯片的使用手冊(cè)中都會(huì)有其對(duì)應(yīng)的PCB布板設(shè)計(jì)要求以及布板示意圖,本次我們就以同步BUCK芯片為例簡(jiǎn)單講一講關(guān)于DC-DC芯片應(yīng)用設(shè)計(jì)中的PCB Layout設(shè)計(jì)要點(diǎn)

2022-07-01 關(guān)鍵字: pcbBUCKDC-DCPCB設(shè)計(jì)

基于RX13T電機(jī)控制MCU方案

MTU3支持多種控制方式,有助于減少電機(jī)控制的軟件負(fù)擔(dān),延續(xù)了RX電機(jī)控制MCU同樣的IP系列,優(yōu)化軟件開發(fā)。

2022-07-01 關(guān)鍵字: mcu電機(jī)控制

基于低壓晶體管的高壓電流感應(yīng)方案

消除偏移,將輸出縮放到所需范圍,并且可以過濾輸出以處理電源紋波或負(fù)載尖峰。如果使用帶有 ADC 的微控制器,該電路可以簡(jiǎn)化為僅反轉(zhuǎn) Vout-。

基于分流電阻的無橋圖騰柱PFC電流感應(yīng)方案

在大多數(shù)雙向傳感器中,V Offset通常設(shè)置為 V CC的二分之一,因此輸入電流的最大允許范圍為 V CC /2×S。更高的 V CC將允許更寬的敏感電流范圍。例如,具有 3.3 V V CC的霍爾效應(yīng)電流傳感器將允許 1.65-V/S 的顯電流范圍,而具有 5 V V CC的霍爾效應(yīng)電流傳感器將允許 2.5-V/S 的顯電流范圍。

2022-06-29 關(guān)鍵字: 傳感器服務(wù)器電流傳感器

先進(jìn)FPGA開發(fā)工具中的時(shí)序分析

1. 概述 對(duì)于現(xiàn)今的FPGA芯片供應(yīng)商,在提供高性能和高集成度獨(dú)立FPGA芯片和半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品的同時(shí),還需要提供性能卓越且便捷易用的開發(fā)工具。本文將以一家領(lǐng)先的FPGA解決方案提供商Achronix為例,來分析FPGA開發(fā)工具套件如何與其先進(jìn)的硬件結(jié)合,幫助客戶創(chuàng)建完美的、可在包括獨(dú)立FPGA芯片和帶有嵌入式FPGA(eFPGA)IP的ASIC或者SoC之間移植的開發(fā)成果。 隨著人工智能、云計(jì)算、邊緣計(jì)算、智能駕駛和5G等新技術(shù)在近幾年異軍突起,也推動(dòng)了FPG

2022-06-28 關(guān)鍵字: fpga開發(fā)工具時(shí)序分析

單晶片背面和斜面清潔(上)

介紹 在IC制造中,從晶圓背面(BS)去除顆粒變得與從正面(FS)去除顆粒一樣重要。例如,在光刻過程中,; BS顆粒會(huì)導(dǎo)致頂側(cè)表面形貌的變化。由于焦深(DOF)的處理窗口減小,這可能導(dǎo)致焦點(diǎn)故障,如圖1所J 示。隨著特征尺寸的減小,這個(gè)問題變得更加嚴(yán)重。BS顆粒可能在濕工作臺(tái)引起其他問題,其中BS顆; 粒可能轉(zhuǎn)移到鄰近的晶片前側(cè)。圖2顯示了這些FS顆 BS顆粒的典型來源是利用靜電或真空吸盤進(jìn)行的晶片 處理,或者來自真空室中的板和工作臺(tái),這導(dǎo)致如

2022-06-27 關(guān)鍵字: 晶圓單晶片

應(yīng)用5G TDD網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵傳感器方案

在測(cè)試裝置中具有同步能力的傳感器為VNA提供了一個(gè)經(jīng)濟(jì)的替代方案,同時(shí)還提供了一種監(jiān)測(cè)眾多TDD信號(hào)的定時(shí)、完整性和累積延遲的方法。通過使用在多個(gè)同步或異步通道上共享一個(gè)共同時(shí)基的傳感器,可以實(shí)現(xiàn)時(shí)間對(duì)齊的測(cè)量。通過這種技術(shù),共享時(shí)基通過電纜連接分布在每個(gè)傳感器的多功能輸入輸出端口之間。

2022-06-27 關(guān)鍵字: LNATDD功率傳感器時(shí)分雙工5G

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在上一期內(nèi)容中,格羅方德超低功耗產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Ed Kaste 與大家分享了面向特定應(yīng)用場(chǎng)景定制的半導(dǎo)體平臺(tái), 如何為物理 AI 從早期探索走向規(guī)?;渴?..

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