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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>

電源/新能源

提供權(quán)威的電源和新能源設(shè)計及電源管理資訊,內(nèi)容有醫(yī)療/工業(yè)電源、LED驅(qū)動、數(shù)字電源、電池技術(shù)、太陽能光伏等電源技術(shù)方案,包括電源測試/仿真/認證、便攜電源、電動車/新能源、AC-DC與DC-DC轉(zhuǎn)換、基準/監(jiān)控/保護電路等專業(yè)領(lǐng)域。

電力電子產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇:國產(chǎn)SiC模塊取代進口IGBT模塊

國產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢,既是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,也是中國電力電子產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇。...

2025-03-01 標簽:模塊IGBTSiC 1509

SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS 測試等特性,符合 RoHS標準。適用...

2025-02-25 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊碳化硅 1074

PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計

PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計

此高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計使用諧振頻率為 500kHz 的諧振電路,在 380V 至 400V 輸入電壓范圍內(nèi)調(diào)節(jié) 12V 輸出。使用我們的高壓 GaN 器件以及 UCD3138A 和 UCD7138 來優(yōu)化死區(qū)時間和同步整流器 (SR) 導(dǎo)...

2025-02-25 標簽:諧振轉(zhuǎn)換器偏置電源同步整流器GaN器件GaN FET 1154

基于極海G32R501 MCU的800W雙路MPPT微型逆變器參考方案

基于極海G32R501 MCU的800W雙路MPPT微型逆變器參考方案

近年來,全球可再生能源需求持續(xù)增長,尤其是分布式發(fā)電和戶儲光伏系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用,推動了微型逆變器市場規(guī)模的迅速擴張,目前已達百億級別。微型逆變器作為連接太陽能與電網(wǎng)的關(guān)鍵設(shè)...

2025-02-25 標簽:mcu逆變器光伏系統(tǒng)MPPT 1571

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。適...

2025-02-25 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊碳化硅 1104

恒流恒壓開關(guān)電源芯片U6773H的工作原理

恒流恒壓開關(guān)電源芯片U6773H的工作原理

電源恒壓控制主要通過反饋控制模塊來實現(xiàn)。該模塊將輸出電壓與設(shè)定值進行比較,計算誤差電壓,并通過比較器、錯誤放大器和輸出級等模塊來調(diào)整輸出電壓,以確保其恒定不變。這種技術(shù)常...

2025-02-25 標簽:開關(guān)電源充電器功率開關(guān)電源芯片 2065

技術(shù)資料#TLV9001 單通道、1MHz 軌到軌輸入和輸出 1.8V 至 5.5V運算放大器

技術(shù)資料#TLV9001 單通道、1MHz 軌到軌輸入和輸出 1.8V 至 5.5V運算放大器

TLV900x 系列包括單通道 (TLV9001)、雙通道 (TLV9002) 和四通道 (TLV9004) 低壓(1.8 V 至 5.5 V)運算放大器,具有軌到軌輸入和輸出擺幅功能。這些運算放大器為空間受限的應(yīng)用(如煙霧探測器...

2025-02-25 標簽:電容探測器運算放大器電子設(shè)備 1733

SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,符合 AEC - Q101 標準,采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測試...

2025-02-25 標簽:二極管肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊碳化硅二極管數(shù)據(jù)手冊碳化硅肖特基肖特基二極管 1051

SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標準,具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% UIS 測試等特點,有助于提高...

2025-02-25 標簽:肖特基二極管SBDSiC數(shù)據(jù)手冊碳化硅 1162

技術(shù)資料#TMCS1100 ±600V 基本隔離,20Arms 80kHz 霍爾效應(yīng)電流傳感器,帶外部參考

技術(shù)資料#TMCS1100 ±600V 基本隔離,20Arms 80kHz 霍爾效應(yīng)電流傳感器,帶外部參考

TMCS1100 是一款電流隔離霍爾效應(yīng)電流傳感器,能夠進行直流或交流電流測量,具有高精度、出色的線性度和溫度穩(wěn)定性。低漂移、溫度補償信號鏈在整個器件溫度范圍內(nèi)提供 < 1% 的滿量程誤差...

2025-02-25 標簽:磁場霍爾效應(yīng)電流傳感器電流測量 1631

HDMI1.4靜電保護方案

HDMI1.4靜電保護方案

HDMI(高清多媒體接口)是一種全數(shù)字化視頻和聲音發(fā)送接口,可以發(fā)送未壓縮的音頻及視頻信號,廣泛應(yīng)用如消費類產(chǎn)品上,如機頂盒、DVD播放器、個人計算機、電視、游戲主機、綜合擴大機、數(shù)...

2025-03-01 標簽:ESD接口TVS靜電保護ESDHDMI1.4TVS接口靜電保護 2327

TIDA-010059 適用于使用霍爾效應(yīng)電流傳感器的230VAC電機驅(qū)動器的同相電流感應(yīng)參考設(shè)計

TIDA-010059 適用于使用霍爾效應(yīng)電流傳感器的230VAC電機驅(qū)動器的同相電流感應(yīng)參考

此參考設(shè)計采用霍爾效應(yīng)電流傳感器 TMCS1100,可測量絕對誤差< 1%(–40°C 至 125°C)的電流,并提供高達 600 V 的工作隔離電壓。低電阻封裝內(nèi)電流傳感元件無需高側(cè)電源,為精確的電機扭矩、...

2025-02-25 標簽:元件霍爾效應(yīng)電機驅(qū)動器電流傳感器 1209

SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標準,無鹵。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、...

2025-02-25 標簽:肖特基二極管SBDSiC第三代半導(dǎo)體 1215

SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準,無鹵且符合RoHS標準。產(chǎn)品具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作等特性,有助于提升系統(tǒng)效率,降...

2025-02-25 標簽:肖特基二極管SBDSiC數(shù)據(jù)手冊 1117

一文詳解USB Type-C接口的水汽檢測技術(shù)

一文詳解USB Type-C接口的水汽檢測技術(shù)

本文將探討針對 USB Type-C 接口的水汽檢測技術(shù),分析其工作原理、實現(xiàn)方式及艾為的對應(yīng)產(chǎn)品。...

2025-02-25 標簽:接口usb電子設(shè)備type-cLPDtype-cusb接口電子設(shè)備 3010

技術(shù)資料#LMG3411R050 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 50mΩ GaN

技術(shù)資料#LMG3411R050 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 50mΩ GaN

LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,LMG341x 的固有優(yōu)勢包括:超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)...

2025-02-25 標簽:電子系統(tǒng)PFCGaN輸出電容集成驅(qū)動器 1286

適用于集成驅(qū)動器的三相1.25kW、200VAC 小型 GaN逆變器參考設(shè)計

適用于集成驅(qū)動器的三相1.25kW、200VAC 小型 GaN逆變器參考設(shè)計

此參考設(shè)計是一款三相逆變器,在 50°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 1.25 kW,在 85°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 550 W,用于驅(qū)動 200 V 交流伺服電機。它采用 600V LMG3411R150氮化鎵 (GaN) 電源模...

2025-02-25 標簽:伺服電機FET電源模塊GaN三相逆變器 1456

LMG3410R150-031 EVM用戶指南

LMG3410R150-031 EVM用戶指南

LMG3410EVM-031具有兩個LMG3410R150600VGaN功率晶體管,帶有集成驅(qū)動器,這些驅(qū)動器配置在-個半橋中,具有所有必需的偏置電路和邏輯/功率電平轉(zhuǎn)換?;竟β始壓蜄艠O驅(qū)動高頻電流環(huán)路完全封閉在...

2025-02-25 標簽:電感GaN功率晶體管功率電平集成驅(qū)動器 1179

泰克科技AI芯片電源紋波測試解決方案

泰克科技AI芯片電源紋波測試解決方案

在2025年的CES(國際消費類電子產(chǎn)品展覽會)上,人工智能(AI)技術(shù)再次成為焦點,各種創(chuàng)新的AI應(yīng)用和產(chǎn)品層出不窮。從智能家居到自動駕駛,從智能穿戴到醫(yī)療健康,AI正在以前所未有的速...

2025-02-25 標簽:變壓器電源紋波泰克科技AI芯片 1377

技術(shù)資料#LMG3422R030 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告的 600V 30mΩ GaN FET

技術(shù)資料#LMG3422R030 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告的 600V 30mΩ GaN FET

LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG342xR030 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關(guān)速度。與...

2025-02-25 標簽:tiGaN開關(guān)模式電源集成驅(qū)動器 1401

電力電子半實物仿真(HIL)原理及應(yīng)用

電力電子半實物仿真(HIL)原理及應(yīng)用

在電力電子及新能源領(lǐng)域,隨著系統(tǒng)復(fù)雜度的提升,傳統(tǒng)的純軟件仿真和實物測試已難以滿足高效、低成本的研發(fā)需求。電力電子半實物仿真技術(shù)(HardwareintheLoop,HIL)應(yīng)運而生,它通過將實際硬...

2025-02-25 標簽:電力電子技術(shù)仿真HIL測試HIL仿真 2583

基于廣芯微電子自研芯片UM3506的PD3.1雙向140W 2C+1A彩屏充電寶軟硬件開發(fā)平臺,最大支持300W輸出功率

基于廣芯微電子自研芯片UM3506的PD3.1雙向140W 2C+1A彩屏充電寶軟硬件開發(fā)平臺,最

廣芯微電子推出基于自研SoC的PD3.1雙向140W 2C+1A彩屏充電寶軟硬件開發(fā)平臺,最大支持300W輸出功率。 近年來,在“雙碳”戰(zhàn)略目標的推動下,移動電源(Power Bank,又稱充電寶)行業(yè)迎來了快速發(fā)...

2025-02-25 標簽:PD移動電源充電寶廣芯微電子 2260

PMP41017 采用 GaN 和 C2000? MCU 的 3kW 兩相交錯式半橋LLC參考設(shè)計

PMP41017 采用 GaN 和 C2000? MCU 的 3kW 兩相交錯式半橋LLC參考設(shè)計

此參考設(shè)計是一款使用 LMG3422 和 F280039C 器件的 3kW 兩相交錯式半橋電感器-電感器-電容器 (LLC)。這種設(shè)計可以實現(xiàn) 98.1% 的峰值效率和 313 W / in3 的功率密度,并可用作公共冗余電源 (CRPS)...

2025-02-25 標簽:電容器電感器服務(wù)器LLC冗余電源 2060

設(shè)計指南#具有LFU的1kW、80+ 鈦、GaN CCM 圖騰柱無橋 PFC 和半橋 LLC 參考設(shè)計

設(shè)計指南#具有LFU的1kW、80+ 鈦、GaN CCM 圖騰柱無橋 PFC 和半橋 LLC 參考設(shè)計

此參考設(shè)計是一種數(shù)字控制的緊湊型 1kW AC/DC 電源設(shè)計,適用于服務(wù)器電源單元 (PSU) 和電信整流器應(yīng)用。這種高效的設(shè)計支持兩個主要功率級,包括前端連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱無橋功率...

2025-02-25 標簽:電源電感器PFCLLCac/dc 2081

Pico示波器在電力設(shè)備檢測中的應(yīng)用

Pico示波器在電力設(shè)備檢測中的應(yīng)用

某大型發(fā)電廠擁有多臺不同型號的汽輪發(fā)電機,這些大型發(fā)電機長期高負荷運行,轉(zhuǎn)子繞組面臨著熱應(yīng)力、電磁力等多種復(fù)雜因素的影響,容易出現(xiàn)匝間短路故障。一旦發(fā)生此類故障,不僅會降...

2025-02-25 標簽:示波器電力系統(tǒng)電力設(shè)備發(fā)電機 1229

36V/600mA一體式同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器介紹

36V/600mA一體式同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器介紹

這次介紹即將量產(chǎn)的新產(chǎn)品,36V 600mA 線圈一體型降壓 "micro DC/DC" 轉(zhuǎn)換器。...

2025-02-25 標簽:線圈轉(zhuǎn)換器DCDC 1394

應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結(jié)

應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結(jié)

德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x 12mm。這種擴大的QFN封裝可以從GaN的快速轉(zhuǎn)...

2025-02-25 標簽:驅(qū)動器封裝功率器件氮化鎵GaN 1417

小功率電源管理充電器芯片U65133介紹

聲波電動牙刷產(chǎn)品配備高刷動力和專業(yè)級震動頻率,清潔效果顯著,適合人群廣泛。而且易于清洗,便于攜帶,是許多家庭必備的個人護理用品之一。聲波電動牙刷的充電器電源管理一直都是深...

2025-02-25 標簽:充電器電源管理電動牙刷 1417

使用集成GaN技術(shù)實現(xiàn)小尺寸ACDC適配器應(yīng)用資料

使用集成GaN技術(shù)實現(xiàn)小尺寸ACDC適配器應(yīng)用資料

隨著快速充電系統(tǒng)的趨勢和不斷增長的電力需求,迫切需要創(chuàng)建占地面積小、方便、便攜的設(shè)計。小型化、高功率密度的電源設(shè)計在消費類AC/DC市場中占據(jù)了迫在眉睫的份額,重點是高效可靠的...

2025-02-25 標簽:適配器充電系統(tǒng)開關(guān)頻率GaN技術(shù)ac/dc 1045

突發(fā)脈沖磁場對IGBT模塊的干擾效應(yīng)研究

突發(fā)脈沖磁場對IGBT模塊的干擾效應(yīng)研究

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)通常在復(fù)雜的電磁環(huán)境中運行,然而,關(guān)于磁場干擾(MFI)對其性能和可靠性的影響的研究較少,尤其是在高功率應(yīng)用中。本文提出了一種結(jié)合計算磁學(xué)方法和電路建...

2025-02-25 標簽:開關(guān)電路IGBT晶體管電磁干擾IGBT開關(guān)電路晶體管電磁干擾 2088

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