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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>SK海力士推出新款DRAM 將實(shí)現(xiàn)單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)世界最大容量

SK海力士推出新款DRAM 將實(shí)現(xiàn)單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)世界最大容量

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專業(yè)回收海力士HYNIX字庫(kù) 收購(gòu)海力士字庫(kù)

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2021-04-27 16:10:09

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2021-01-29 17:52:55

海力士反行業(yè)主流看法:今年DRAM芯片恐將過(guò)剩

海力士反行業(yè)主流看法:今年DRAM芯片恐將過(guò)剩  2月9日消息,據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,在DRAM芯片行業(yè)多數(shù)企業(yè)普遍看好今年市況之際,全球第二大DRAM芯片海力士卻發(fā)
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全球DRAM二哥海力士(Hynix)認(rèn)為,DRAM產(chǎn)業(yè)下半年起開(kāi)始復(fù)蘇。
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SK海力士將在中國(guó)投資8億美元提高內(nèi)存芯片產(chǎn)能

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2016-12-23 09:38:001056

韓國(guó)SK海力士斥巨資推進(jìn)移動(dòng)芯片 約55億人民幣在華投資

世界第二大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士公司花費(fèi)31.6萬(wàn)億韓元(約合1826.35億人民幣)提高產(chǎn)量,以滿足不斷增長(zhǎng)的手機(jī)和計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)需求。作為蘋果和索尼的供應(yīng)商,SK海力士公司星期四表示,投資
2016-12-24 01:07:11981

SK 海力士發(fā)布全球最高密度移動(dòng) 8GB DRAM

SK 海力士發(fā)布全球最高密度、低耗能移動(dòng) DRAM,應(yīng)用于未來(lái)智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動(dòng) DRAM容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言,SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高,功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941

SK海力士計(jì)劃在中國(guó)設(shè)立合資工廠,擴(kuò)展芯片代工業(yè)務(wù)

受益于DRMA和NAND市場(chǎng)需求,SK海力士在存儲(chǔ)領(lǐng)域的地位大幅提升。據(jù)報(bào)道,SK海力士將會(huì)考慮在中國(guó)涉足芯片代工業(yè)務(wù),設(shè)立家合資工廠,為沒(méi)有半導(dǎo)體制造工廠的公司制造芯片
2017-12-20 15:40:481711

2018年用繪圖DRAM市場(chǎng)銷量上揚(yáng) 三星與SK海力士相繼推出HBM2

據(jù)市場(chǎng)分析,GPU業(yè)者對(duì)繪圖DRAM需求料將有增無(wú)減,2018年繪圖DRAM銷量會(huì)持續(xù)上揚(yáng),三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價(jià)格比DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952

傳三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術(shù) 未來(lái)有機(jī)會(huì)藉此生產(chǎn)DRAM的成本降低

家存儲(chǔ)器大廠SK海力士(Hynix)也傳出消息,正在研發(fā)EUV技術(shù)來(lái)生產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器,未來(lái)有機(jī)會(huì)藉此生產(chǎn)DRAM的成本降低。
2018-10-29 17:03:244026

10納米DRAM制程競(jìng)爭(zhēng)升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

)制程DRAM,目前傳出進(jìn)入第三代10納米(1z)制程開(kāi)發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進(jìn)制程研發(fā)速度,追趕三星,預(yù) ... 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)
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SK海力士研發(fā)完成基于1Ynm工藝的DDR4 DRAM芯片

11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片
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SK海力士發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒 并擁有最多32個(gè)Bank

SK海力士官方宣布,公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒,且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:495462

SK海力士受惠于DRAM價(jià)格大漲 凈利潤(rùn)持續(xù)翻倍

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2019-01-22 15:35:131058

SK海力士著手DDR6的研發(fā) DRAM技術(shù)再實(shí)現(xiàn)突破

據(jù)外媒消息,第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā),預(yù)期速率12Gb/s,也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:561098

SK海力士無(wú)錫二工廠項(xiàng)目竣工 確保中長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力

4月18日,SK海力士半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司(下簡(jiǎn)稱“SK海力士”)舉行主題為“芯的飛躍、芯的未來(lái)”的竣工儀式,宣布SK海力士二工廠項(xiàng)目竣工。
2019-04-19 16:30:373771

SK海力士跨向1ynm內(nèi)存時(shí)代 提高DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能

SK海力士近日宣布,將在提高第代10nm級(jí)工藝(1xnm) DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能的同時(shí),今年下半年開(kāi)始銷售基于第二代10nm級(jí)工藝(1ynm)的內(nèi)存芯片,并為下代內(nèi)存做好準(zhǔn)備。SK海力士首款
2019-05-14 10:40:003315

SK海力士推出新一代企業(yè)級(jí)SSD硬盤 最高容量可達(dá)8TB正常應(yīng)用時(shí)功耗低于14W

SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級(jí)SSD硬盤,不過(guò)官方并沒(méi)有公布SSD硬盤的名稱,只知道是NVMe標(biāo)準(zhǔn)的,基于72層堆棧的3D TLC閃存,M.2版容量最大4TB,U.2容量可達(dá)8TB。
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受華為事件影響,SK海力士無(wú)錫二工廠推遲投產(chǎn)計(jì)劃

對(duì)于SK海力士而言,無(wú)錫工廠承擔(dān)SK海力士存儲(chǔ)半導(dǎo)體生產(chǎn)總量的半份額。
2019-06-21 08:44:404775

DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格不斷下跌 海力士推遲無(wú)錫新廠投產(chǎn)計(jì)劃

據(jù)外媒報(bào)道,由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格不斷下跌,近期又有華為事件的影響,SK海力士正在計(jì)劃推遲位于中國(guó)無(wú)錫的全球最先進(jìn)內(nèi)存芯片工廠的投產(chǎn)計(jì)劃。
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受中美貿(mào)易和DRAM跌價(jià)影響 SK海力士放緩?fù)懂a(chǎn)計(jì)劃

據(jù)報(bào)道,由于中美貿(mào)易摩擦愈演愈烈,韓國(guó)內(nèi)存芯片大廠SK海力士有意放緩在中國(guó)工廠的投產(chǎn)計(jì)劃。
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SK 海力士推出新NAND Flash 產(chǎn)品

海力士日前在場(chǎng)會(huì)議上就公布了公司的規(guī)劃,預(yù)計(jì)在2030 年推出800+ 層的NAND Flash,屆時(shí)將可輕松打造出100 到200TB 容量的SSD。
2019-08-15 09:05:123089

SK海力士重回零售SSD市場(chǎng) 新款SSD標(biāo)稱持續(xù)讀取速度高達(dá)560MB/s

說(shuō)起韓國(guó)巨頭SK海力士,大家肯定都知道他家的NAND閃存、DRAM內(nèi)存芯片,不過(guò)其實(shí)在早些年,SK海力士還做過(guò)零售SSD產(chǎn)品的,只不過(guò)直沒(méi)有什么突破,就悄悄退出了,專心經(jīng)營(yíng)上游芯片
2019-08-16 09:03:223985

SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲(chǔ)器

雖然封裝不易,但 HBM 存儲(chǔ)器依舊會(huì)被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器,而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322

SK海力士詳細(xì)介紹16Gb DDR5 新DRAM重振內(nèi)存市場(chǎng)

SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內(nèi)首個(gè)五代雙倍速率(DDR5) DRAM, 達(dá)到了電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)(Joint Ele ctron Device Engineering Council,簡(jiǎn)稱JEDEC) 標(biāo)準(zhǔn), 這項(xiàng)技術(shù)正在DRAM市場(chǎng)開(kāi)拓片新天地。
2019-10-29 16:16:374434

SK海力士推出新DRAM 號(hào)稱創(chuàng)下業(yè)內(nèi)單芯最大密度記錄

SK 海力士公司宣布,其已成功開(kāi)發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),創(chuàng)下了業(yè)內(nèi)單芯最大密度的紀(jì)錄。與上代 1Y nm 產(chǎn)品相比,其產(chǎn)能提升約 27%,因其無(wú)需昂貴的極紫外(EUV)光刻加持,因此更具成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2019-11-19 11:08:21941

SK海力士推出SSD新品,72層3D且TLC最大8TB

SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤,不過(guò)并沒(méi)有公布新品SSD的名稱,有限的信息為支持NVMe協(xié)議,采用72層堆棧的3D TLC閃存,M.2版容量最大容量4 TB,U.2版最大容量可達(dá)8 TB。
2019-12-09 11:43:572304

DRAM價(jià)格上漲,三星和SK海力士營(yíng)收或改善

本月DRAM現(xiàn)貨價(jià)格急漲,以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營(yíng)收。
2019-12-18 16:36:543205

SK海力士新款LPDDR5內(nèi)存解決方案亮相,頻率速度進(jìn)步提高

根據(jù)TPU的報(bào)道,SK 海力士展示了LPDDR5原型內(nèi)存解決方案,旨在為下代5G智能手機(jī)和超便攜電腦提供更快的訪問(wèn)速度。SK海力士表示,新款的LPDDR4X已經(jīng)速度提高到4667MHz,LPDDR5進(jìn)步提高,頻率從5500MHz起步。
2020-01-10 14:46:124525

SK海力士新款4D閃存有什么新的特點(diǎn)

在最近舉辦的CES 2020展會(huì)上,SK海力士展出了兩款新的高端SSD,分別是Gold P31、Platinum P31,最大特點(diǎn)采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:553583

SK海力士采用1.0微米像素技術(shù)的新款CMOS傳感器

SK海力士表示,為了應(yīng)對(duì)以更小模塊尺寸實(shí)現(xiàn)較高分辨率的競(jìng)爭(zhēng),SK海力士旗下的“黑珍珠(Black Pearl)”系列新推出的4款1.0μm(微米)級(jí)圖像傳感器產(chǎn)品像素尺寸從原來(lái)的1.12μm降低到1.0μm。
2020-03-30 14:21:235200

SK海力士推出128層1Tb TLC 4D NAND SSD高容量存儲(chǔ)解決方案

4月8日消息,近日,SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111,是針對(duì)讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商,其產(chǎn)品組合中包括 DRAM,NAND 閃存和控制器,以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:194475

DRAM價(jià)格預(yù)測(cè)在下半年下跌 SK海力士下調(diào)目標(biāo)股價(jià)

據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,投資機(jī)構(gòu)Eugene預(yù)測(cè),由于受到新冠肺炎的影響,DRAM價(jià)格將在今年下半年下跌,且下修了SK海力士的目標(biāo)股價(jià)。
2020-04-14 16:12:362860

DRAM價(jià)格今年下半年下跌,SK海力士營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)測(cè)下調(diào)至4.5萬(wàn)億韓元

據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,投資機(jī)構(gòu)Eugene預(yù)測(cè),由于受到新冠肺炎的影響,DRAM價(jià)格將在今年下半年下跌,且下修了SK海力士的目標(biāo)股價(jià)。
2020-04-14 16:05:002999

三星和 SK 海力士停止向華為出售零部件

這兩家韓國(guó)公司將于 9 月 15 日終止與華為的交易。 根據(jù)美國(guó)商務(wù)部的制裁方案,三星電子和 SK 海力士將從 15 日開(kāi)始停止向華為供應(yīng)半導(dǎo)體。不僅是存儲(chǔ)芯片,連 5G、移動(dòng)通信 (AP)等系統(tǒng)芯片無(wú)法供應(yīng),華為的存儲(chǔ)芯片獲取十分艱難。 不僅是手機(jī)
2020-09-15 16:41:402822

英特爾正準(zhǔn)備NAND芯片業(yè)務(wù)出售給SK海力士

據(jù)路透社當(dāng)?shù)貢r(shí)間19日?qǐng)?bào)道援引知情人士稱,英特爾正準(zhǔn)備NAND芯片業(yè)務(wù),以近100億美元的價(jià)格,出售給SK海力士。若交易達(dá)成,將使得SK海力士超越日本Kioxia,成為NAND內(nèi)存市場(chǎng)的全球第二大廠商,并進(jìn)步縮小與行業(yè)領(lǐng)頭羊三星之間的差距。
2020-10-20 14:10:142309

Intel閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士

雖然已經(jīng)閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士,但是Intel還會(huì)繼續(xù)發(fā)展存儲(chǔ)芯片。日前的存儲(chǔ)峰會(huì)上,Intel推出系列SSD硬盤,包括670P、傲騰H20等,首發(fā)了144層TLC、QLC閃存,涵蓋消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)等多個(gè)市場(chǎng)。
2020-12-17 10:11:282736

SK海力士已開(kāi)始安裝EUV光刻機(jī),以量產(chǎn)10nm 1a DRAM

據(jù)etnews報(bào)道,SK海力士已開(kāi)始在其位于韓國(guó)利川的M16工廠安裝EUV光刻機(jī),以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下DRAM,不過(guò)并未透露
2021-01-20 18:19:202943

SK海力士首次使用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)芯片

31億美元)建成了這座芯片工廠,工廠長(zhǎng)336米,寬163米,高105米,相當(dāng)于座37層公寓的高度,是SK海力士目前最大芯片工廠。
2021-02-02 15:00:152767

SK海力士M16新廠竣工 首次使用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)

美元)建成了這座芯片工廠,工廠長(zhǎng)336米,寬163米,高105米,相當(dāng)于座37層公寓的高度,是SK海力士目前最大芯片工廠。 SK集團(tuán)董事長(zhǎng)崔泰源在頒獎(jiǎng)典禮上稱,建造新工廠的決定在兩年前是十分大膽的,因?yàn)楫?dāng)時(shí)整個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正處于低迷,如今
2021-02-03 17:23:412264

SK海力士與ASML簽合同:SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻機(jī)

。 據(jù)報(bào)道,SK海力士與ASML公司簽訂了個(gè)超級(jí)大單,未來(lái)5年內(nèi)斥資4.8萬(wàn)億韓元,約合43.4億美元購(gòu)買EUV光刻機(jī)。 SK海力士份監(jiān)管文件中稱,這筆交易是為了實(shí)現(xiàn)下一代工藝芯片量產(chǎn)的目標(biāo)。 ASML及SK海力士都沒(méi)有透露這么多資金到底購(gòu)買了多少臺(tái)EUV光刻機(jī),不過(guò)從之
2021-02-25 09:30:232709

SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)DDR5移動(dòng)內(nèi)存

SK海力士今天宣布,已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動(dòng)版內(nèi)存,存儲(chǔ)密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203

制造商SK海力士新建工廠的規(guī)劃獲得韓國(guó)政府批準(zhǔn)

達(dá)到 415 萬(wàn)平方米,計(jì)劃主要生產(chǎn) DRAM 芯片,定于 2021 年第四季度開(kāi)工,2025 年建成投產(chǎn)。這大型工廠包含四個(gè)晶圓加工廠,每個(gè)月產(chǎn)量為 80 萬(wàn)片。 IT之家此前報(bào)道,SK 海力士近日表示,將在未來(lái) 10 年內(nèi)開(kāi)發(fā) 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片,以及 600 層堆疊的
2021-04-13 11:29:492778

SK海力士成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界第款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國(guó)SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界第款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來(lái)了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672

SK海力士向英偉達(dá)系統(tǒng)供應(yīng)HBM3

SK海力士在業(yè)界率先開(kāi)發(fā)出最新高帶寬存儲(chǔ)器(HBM, High Bandwidth Memory)產(chǎn)品HBM31,公司不僅又次創(chuàng)造歷史,更進(jìn)步鞏固了SK海力士DRAM市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219

SK海力士推出全球最快移動(dòng)DRAM——LPDDR5T

SK海力士在去年11月推出的移動(dòng)DRAM LPDDR5X*,將其性能提升成功開(kāi)發(fā)出了LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%,運(yùn)行速度高達(dá)9.6Gbps(Gb/s)。公司為了強(qiáng)調(diào)其超高速度特性,命名時(shí)在規(guī)格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo(渦輪增壓)”作為了后綴。
2023-01-30 11:21:332449

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財(cái)報(bào)難看

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財(cái)報(bào)難看 前一兩年還直聽(tīng)說(shuō)內(nèi)存條在不斷漲價(jià)的消息,現(xiàn)在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄,看來(lái)大伙的日子都不太好過(guò)。 宏觀經(jīng)濟(jì)的下滑導(dǎo)致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954

反超SK海力士,美光躍居第二大DRAM供應(yīng)商

Corp. 周四的數(shù)據(jù),美光科技在 1 月至 3 月期間獲得了了 27.2 億美元的 DRAM 銷售額,比上季度的 28.3 億美元下降了 8%。這家美國(guó)芯片制造商擊敗了 SK 海力士,后者的銷售額
2023-06-01 08:46:061184

SK海力士將為蘋果Vision Pro MR設(shè)備提供專用DRAM

為了實(shí)現(xiàn)功能,還必須適合用于輔助計(jì)算的dram。現(xiàn)有智能手機(jī)使用的移動(dòng)dram的速度是有限的。sk海力士根據(jù)蘋果公司的要求,提供了最適合操作r1芯片dram。大幅增加了輸入/輸出(i/o)頻道的數(shù)量,可以數(shù)據(jù)迅速傳送到存儲(chǔ)器內(nèi)外。
2023-07-12 09:39:561019

Meta、英偉達(dá)相繼拜訪SK海力士,要求額外供應(yīng)DDR5/HBM

meta是SK海力士的主要顧客之,正在購(gòu)買為構(gòu)建和擴(kuò)張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務(wù)器dram。據(jù)悉,對(duì)ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:331393

SK海力士官宣終止與華為的合作

近期,有關(guān)韓國(guó)SK海力士為華為提供關(guān)鍵芯片的消息引起了廣泛關(guān)注。據(jù)某拆解視頻顯示,華為最新款手機(jī)Mate60 Pro的存儲(chǔ)芯片上顯示著“SK海力士”標(biāo)識(shí),但未能獲取到有關(guān)存儲(chǔ)芯片核心信息的詳細(xì)資料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工藝目前還沒(méi)有定論。
2023-09-18 16:58:033085

SK海力士資本支出大增,HBM是重點(diǎn)

SK海力士明年計(jì)劃的設(shè)施投資為10萬(wàn)億韓元(76.2億美元),超出了市場(chǎng)預(yù)期。證券界最初預(yù)測(cè)“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬(wàn)億至7萬(wàn)億韓元”。鑒于經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn),觀察人士預(yù)計(jì)嚴(yán)格的管理措施延續(xù)到明年。由于存儲(chǔ)半導(dǎo)體價(jià)格大幅下跌,SK海力士預(yù)計(jì)今年赤字超過(guò)8萬(wàn)億韓元。
2023-11-22 17:28:051540

傳三星/SK海力士已開(kāi)始訂購(gòu)DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開(kāi)始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購(gòu);此外,三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進(jìn)步加大對(duì)DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

SK海力士計(jì)劃提升中國(guó)無(wú)錫工廠技術(shù)水平,推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

隨著全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇,SK海力士認(rèn)識(shí)到,為了保持市場(chǎng)地位,推出更高性能的DRAM產(chǎn)品是必要的。
2024-01-15 15:53:082080

SK海力士持續(xù)投資無(wú)錫的原因

無(wú)錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無(wú)錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539

SK海力士擴(kuò)大對(duì)芯片投資

SK海力士正積極應(yīng)對(duì)AI開(kāi)發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)日益增長(zhǎng)的需求,為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開(kāi)發(fā)的李康旭副社長(zhǎng)明確指出,公司正在韓國(guó)投入超過(guò)10億美元,以擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441798

SK海力士重組中國(guó)業(yè)務(wù)

SK海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體公司,近期在中國(guó)業(yè)務(wù)方面進(jìn)行了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)相關(guān)報(bào)道,SK海力士正在全面重組其在中國(guó)的業(yè)務(wù)布局,計(jì)劃關(guān)閉運(yùn)營(yíng)了長(zhǎng)達(dá)17年的上海銷售公司,并將其業(yè)務(wù)重心全面轉(zhuǎn)移到無(wú)錫。這決策的背后,反映了SK海力士對(duì)于中國(guó)市場(chǎng)發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲(chǔ)器HBM3E

HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破,現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844

剛剛!SK海力士出局!

在基礎(chǔ)晶圓上通過(guò)硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款,供應(yīng)下代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進(jìn)12層
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士聯(lián)手臺(tái)積電推出HBM4,引領(lǐng)下DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示,憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲(chǔ)器發(fā)展的領(lǐng)先地位,以及與臺(tái)積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ),該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過(guò)整合IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠及存儲(chǔ)器廠的技術(shù)資源,SK海力士進(jìn)步提升存儲(chǔ)器產(chǎn)品性能,實(shí)現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041153

SK海力士:預(yù)計(jì)其HBM銷售額今年有望超過(guò)20億美元!

SK海力士最近透露,預(yù)計(jì)其HBM銷售額今年“占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比”。
2024-04-29 10:50:411195

SK海力士考慮新建DRAM工廠

SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正在積極考慮建設(shè)家新的DRAM工廠。這決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計(jì)劃的推遲,以及對(duì)今年內(nèi)存芯片需求大幅增長(zhǎng)的預(yù)測(cè)。
2024-05-06 10:52:02982

SK海力士推出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了項(xiàng)革命性的技術(shù)突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動(dòng)端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175

SK海力士推出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案

在智能手機(jī)技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,成功推出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案——ZUFS 4.0。這款專為端側(cè)AI手機(jī)優(yōu)化的閃存產(chǎn)品,無(wú)疑將為用戶帶來(lái)前所未有的使用體驗(yàn)。
2024-05-11 10:14:191068

SK海力士與臺(tái)積電攜手量產(chǎn)下代HBM

近日,SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作,計(jì)劃量產(chǎn)下代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項(xiàng)合作中,臺(tái)積電主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確保基礎(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負(fù)責(zé)晶圓測(cè)試和HBM的堆疊工作,確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055

三星、SK海力士對(duì)DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲,這上漲主要?dú)w因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進(jìn)而推動(dòng)了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起,每年貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)

SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐,計(jì)劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產(chǎn)中,首次采用Inpria的下代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這突破性的應(yīng)用標(biāo)志著MOR技術(shù)正式進(jìn)入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:581506

SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產(chǎn)良率達(dá)到56.1%

)提交了份關(guān)于3D DRAM(三維動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的詳細(xì)研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領(lǐng)域取得的顯著進(jìn)展,更向世界展示了其在這未來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)上的堅(jiān)定決心與卓越實(shí)力。
2024-06-24 15:35:291746

SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達(dá)56.1%

在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實(shí)力與創(chuàng)新能力。近日,在美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這突破性的進(jìn)展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:221473

SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資

據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀項(xiàng)重要財(cái)務(wù)戰(zhàn)略,考慮推動(dòng)其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國(guó)進(jìn)行首次公開(kāi)募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過(guò)收購(gòu)英特爾相應(yīng)業(yè)務(wù)后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司,承載著SK海力士在存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332

SK海力士DDR5芯片價(jià)格或大幅上漲

近日,據(jù)外媒報(bào)道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價(jià)格上調(diào)15%至20%,這舉動(dòng)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露,此次漲價(jià)的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張,對(duì)DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516

SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了項(xiàng)重要計(jì)劃,即開(kāi)發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這決策緊跟其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

SK海力士M16晶圓廠擴(kuò)產(chǎn),DRAM產(chǎn)能將增18%

SK 海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭,近期宣布了項(xiàng)重要的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,旨在通過(guò)擴(kuò)大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報(bào)道,SK 海力士已積極與上游設(shè)備供應(yīng)商合作,訂購(gòu)了關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備,以加速提升M16晶圓廠在HBM(高帶寬內(nèi)存)及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:241920

SK海力士開(kāi)發(fā)出第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

SK海力士宣布了項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功開(kāi)發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(jí)(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255

SK海力士開(kāi)始先進(jìn)人工智能芯片生產(chǎn)

SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄,為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。
2024-09-26 14:24:41878

SK海力士引領(lǐng)未來(lái):全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲(chǔ)技術(shù)格局

今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅HBM存儲(chǔ)器的最大容量推升至史無(wú)前例的36GB新高度,更進(jìn)步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311987

SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略,聚焦高端存儲(chǔ)技術(shù)

限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲(chǔ)器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這決策可能與其重點(diǎn)發(fā)展高端存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對(duì)外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達(dá)到了業(yè)界最高水平。這成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277

三星與SK海力士攜手推進(jìn)LPDDR6-PIM產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)

據(jù)外媒最新報(bào)道,韓國(guó)兩大存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結(jié)盟,共同致力于推動(dòng)LPDDR6的存內(nèi)計(jì)算(Processing In Memory,簡(jiǎn)稱PIM)產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。此舉旨在加速人工智能
2024-12-03 10:42:501350

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬(wàn)片

存儲(chǔ)芯片,并將其應(yīng)用到家大型科技公司的 AI 計(jì)算芯片上。SK 海力士預(yù)計(jì)將在明年下半年供應(yīng)該芯片。 ? 由于需要同時(shí)向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM,SK 海力士肯定會(huì)調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測(cè)。這家公司計(jì)劃
2024-12-21 15:16:46915

SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對(duì)AI芯片市場(chǎng)旺盛需求

SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標(biāo)是每月產(chǎn)能從去年的10萬(wàn)片增加至17萬(wàn)片,這增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對(duì)除最大客戶英偉達(dá)外,其他領(lǐng)先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091310

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