存儲技術(shù)
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DDR5重新下跌 內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見回暖
業(yè)界對DDR5 DRAM的市場預(yù)期不太樂觀。...
2023-06-05 標(biāo)簽：處理器DRAMTLCNand flashDDR5 785
西部數(shù)據(jù)擴(kuò)展閃迪移動(dòng)microSDXC? Nintendo Switch?專用存儲卡系列
更廣泛的容量型號助力Switch玩家暢享探險(xiǎn)之旅 2023年6月1日，上海– 西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ：WDC）近日宣布，旗下閃迪?（SanDisk?）品牌新增閃迪移動(dòng)microSDXC? Nintendo Switch?專用存儲卡64GB和512...
2023-06-05 標(biāo)簽：存儲卡閃迪西部數(shù)據(jù) 2077
NAND閃存特點(diǎn)及決定因素
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512字節(jié)...
內(nèi)存與外存的關(guān)鍵區(qū)別
內(nèi)存和外存是計(jì)算機(jī)存儲的兩種不同形式，兩者雖然都是存儲數(shù)據(jù)的方式，但是卻有許多區(qū)別。本文將從定義、結(jié)構(gòu)、速度、容量、使用、價(jià)格等方面探討內(nèi)存與外存的關(guān)鍵區(qū)別。...
電路原理圖電子信號常見的專業(yè)術(shù)語縮寫
芯片的選擇。通常用于發(fā)數(shù)據(jù)的時(shí)候選擇哪個(gè)芯片接收。例如一根SPI總線可以掛載多個(gè)設(shè)備，DDR總線上也會掛載多顆DDR內(nèi)存芯片，此時(shí)就需要CS來控制把數(shù)據(jù)發(fā)給哪個(gè)設(shè)備，一般為低電平有效，...
2023-06-03 標(biāo)簽：元器件元器件基帶處理器電路原理圖脈寬調(diào)制 12491
缺失DQS信號的FlexSPI連接Flash有何不同？
我們翻開 i.MXRT1170 的數(shù)據(jù)手冊（Data Sheet）找到 FlexSPI parameters 小節(jié)里的如下內(nèi)容，就很清楚了。...
驗(yàn)證不同F(xiàn)lash對微控制器執(zhí)行程序性能的影響
在進(jìn)行 Flash 速度驗(yàn)證前，我們需要知道如何獲取各 Flash 的速度...
2023-06-02 標(biāo)簽：微控制器FPUQSPISRAM芯片Flash單片機(jī) 2637
數(shù)字設(shè)計(jì)筆試Verilog手撕代碼—累加器
實(shí)現(xiàn)累加器的加法器例化的個(gè)數(shù)。按照原文大佬的設(shè)計(jì)方法，因?yàn)閿?shù)據(jù)連續(xù)且加法器的延遲周期是2，使用使用一個(gè)實(shí)現(xiàn)累加，會有一半的數(shù)據(jù)丟失。...
存儲行業(yè)復(fù)蘇，得一微SSD主控走向全球
2023年5月30日-6月2日，得一微電子（YEESTOR）應(yīng)邀參加全球科技業(yè)年度盛會——COMPUTEX2023臺北電腦展，作為亞洲規(guī)模最大的信息、通信和技術(shù)展覽會，COMPUTEX2023匯集來自全球ICT產(chǎn)業(yè)的相關(guān)企業(yè)、專...
在Verilog中利用函數(shù)將重復(fù)性的行為級設(shè)計(jì)進(jìn)行提取
在 Verilog 中，可以利用任務(wù)（關(guān)鍵字為 task）或函數(shù)（關(guān)鍵字為 function），將重復(fù)性的行為級設(shè)計(jì)進(jìn)行提取，并在多個(gè)地方調(diào)用，來避免重復(fù)代碼的多次編寫，使代碼更加的簡潔、易懂。...
設(shè)計(jì)Verilog時(shí)為什么要避免Latch的產(chǎn)生呢？
鎖存器（Latch），是電平觸發(fā)的存儲單元，數(shù)據(jù)存儲的動(dòng)作取決于輸入時(shí)鐘（或者使能）信號的電平值。僅當(dāng)鎖存器處于使能狀態(tài)時(shí)，輸出才會隨著數(shù)據(jù)輸入發(fā)生變化。...
2023-06-02 標(biāo)簽：FPGA設(shè)計(jì)寄存器Verilog鎖存器觸發(fā)器 3481
全面解讀2023年一季度半導(dǎo)體市場現(xiàn)狀（PC、存儲、AP）
三星憑借著 Galaxy A 系列和最新推出的 Galaxy S23 系列，在本季度超過蘋果成為最暢銷智能手機(jī)廠商。...
2023-06-02 標(biāo)簽：處理器智能手機(jī)cpu服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 3044
存儲芯片的原理_分類及應(yīng)用
存儲芯片是指集成電路中用來存儲數(shù)據(jù)的芯片，它可以存儲數(shù)字信號，包括二進(jìn)制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲芯片廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、音響、電視等。...
存儲芯片拐點(diǎn)何時(shí)到來？DRAM價(jià)格已連續(xù)12個(gè)月下跌
市場上，DRAM價(jià)格已連續(xù)12個(gè)月下跌，4月份DDR4 8Gb批發(fā)價(jià)為每個(gè)1.48美元左右，環(huán)比下跌1%。...
服務(wù)器可靠性設(shè)計(jì)原理及方法
關(guān)于錯(cuò)誤error.故障fa ult和失效failure的定義及其相互關(guān)系,業(yè)界存在一些差異。 當(dāng)這些術(shù)語單獨(dú)出現(xiàn)時(shí)，我們不做嚴(yán)格區(qū)分。...
2023-06-01 標(biāo)簽：服務(wù)器 1148
Crucial英睿達(dá)T700第五代SSD，采用232層TLC NAND
Crucial 英睿達(dá) T700 第五代 SSD 采用 232 層 TLC NAND，順序讀取速度高達(dá) 12,400MB/s，速度幾乎是先前第四代高性能 SSD2 的兩倍，專為 Intel 第 13 代和 AMD Ryzen 7000 系列 CPU 以及 PCIe 5.0 桌面電腦和主板而設(shè)...
比特錯(cuò)誤模式對DRAM故障預(yù)測有何影響？
DRAM錯(cuò)誤數(shù)據(jù)主要通過Linux檢錯(cuò)糾錯(cuò)驅(qū)動(dòng)程序采集。同時(shí)獲取每個(gè)CE的微觀地址信息，即channel、rank、bank、row和column。...
什么是電池的老化？電池的年紀(jì)大了會怎樣？
鋰離子電池由正極、負(fù)極、電解質(zhì)、隔膜、集流體組成。正極和負(fù)極是鋰離子的主要存儲位置，在充放電過程中發(fā)生可逆的鋰的脫出與嵌入反應(yīng)。...
淺談PB85RS2MC在工業(yè)記錄儀器中的應(yīng)用
使用國產(chǎn)鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)性能是其它存儲器都無法達(dá)到的。...
鐵電存儲器PB85RS2MC在RFID中的應(yīng)用
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用...
2023-06-01 標(biāo)簽：RFID物聯(lián)網(wǎng)EEPROM鐵電存儲器 717
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