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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>

存儲技術(shù)

提供全球最前沿存儲技術(shù),云存儲技術(shù)、快速存儲技術(shù)、虛擬存儲技術(shù)、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術(shù)等存儲技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點。
深度解讀ES+Redis+MySQL的高可用架構(gòu)設(shè)計

深度解讀ES+Redis+MySQL的高可用架構(gòu)設(shè)計

我們有兩個機房,分別是機房 A 和機房 B。我們把 ES 主集群部署在機房 A,把 ES 備集群部署在機房 B。會員系統(tǒng)的讀寫都在 ES 主集群,通過 MQ 將數(shù)據(jù)同步到 ES 備集群。...

2023-06-01 標(biāo)簽:MySQLRedis 1507

三種不同的存儲芯片性能比較

三種不同的存儲芯片性能比較

為了進(jìn)行性能比較,使用了三種不同的存儲芯片,即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。...

2023-05-31 標(biāo)簽:存儲器存儲芯片MRAM 2384

數(shù)據(jù)中心場景下的內(nèi)存交換技術(shù)TMO應(yīng)用研究

數(shù)據(jù)中心場景下的內(nèi)存交換技術(shù)TMO應(yīng)用研究

這篇文章提出的TMO引入了一種新型的Linux內(nèi)核機制來實時檢測由于CPU、內(nèi)存和IO的資源短缺導(dǎo)致的工作丟失。...

2023-05-31 標(biāo)簽:DRAMLinuxSSD數(shù)據(jù)中心 884

如何看待3D DRAM技術(shù)?

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知,因此只要不使用任何新材料,使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。...

2023-05-31 標(biāo)簽:DRAMNAND3d nand 1278

Verilog除法器設(shè)計

Verilog除法器設(shè)計

取被除數(shù)的高幾位數(shù)據(jù),位寬和除數(shù)相同(實例中是 3bit 數(shù)據(jù))。...

2023-05-30 標(biāo)簽:寄存器VerilogCLKCLKVerilog寄存器除法器 1965

英飛凌CALYPSO? move安全存儲器采用開放式標(biāo)準(zhǔn),有助于輕松打造可互操作的票務(wù)解決方案

英飛凌CALYPSO? move安全存儲器采用開放式標(biāo)準(zhǔn),有助于輕松打造可互操作的票務(wù)

【 2023 年 5 月 29 日,德國慕尼黑訊】 隨著城市的發(fā)展,公共交通運營商必須要應(yīng)對乘客數(shù)量日益增加所帶來的挑戰(zhàn),尤其是在足球比賽和奧運會等重大活動期間。這一因素的驅(qū)動疊加人們對可...

2023-05-30 標(biāo)簽:存儲器 636

東芝硬盤即將亮相北京安博會

由中國安全防范產(chǎn)品行業(yè)協(xié)會主辦并承辦的第十六屆(2023)中國國際社會公共安全產(chǎn)品博覽會(簡稱“北京安博會”),將于6月7日至10日在北京首鋼會展中心盛大啟幕。作為全球領(lǐng)先的數(shù)據(jù)存儲...

2023-05-30 標(biāo)簽:東芝硬盤數(shù)據(jù)存儲MAMR東芝安防數(shù)據(jù)存儲硬盤 505

隨機存取存儲器的誕生

無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲,還是單純地瀏覽數(shù)碼照片,你的電腦都會定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機存取存儲器(RAM),今天的計算機甚至無法啟動。...

2023-05-30 標(biāo)簽:DRAM存儲器RAM隨機存取存儲器 1350

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕...

2023-05-30 標(biāo)簽:晶體管3d nand3d nand晶體管蝕刻工藝 3286

倚天710性能監(jiān)控—DDR PMU子系統(tǒng)

倚天710性能監(jiān)控—DDR PMU子系統(tǒng)

倚天710支持支持最先進(jìn)的DDR5 DRAM,為云計算和HPC提供巨大的內(nèi)存帶寬。...

2023-05-30 標(biāo)簽:計數(shù)器DRAM芯片HPCPMUDDR5 4321

一文解析CPU處理器基礎(chǔ)知識

一文解析CPU處理器基礎(chǔ)知識

CPU(Central Processing Unit,中央處理器)是計算機的運算核心和控制核心,由運算器、控制器和寄存器及實現(xiàn)它們之間聯(lián)系的數(shù)據(jù)、控制及狀態(tài)的總線構(gòu)成。...

2023-05-30 標(biāo)簽:處理器集成電路寄存器存儲器ARM架構(gòu) 6963

后摩爾定律時代局勢大變 臺積電公布2nm后的發(fā)展路徑圖

后摩爾定律時代局勢大變 臺積電公布2nm后的發(fā)展路徑圖

今年下半年,臺積電將開始用3nm制程為蘋果制造芯片,接下來2nm制程也將在2025年推出。但隨著半導(dǎo)體線寬微縮越來越逼進(jìn)物理極限,臺積電還能繼續(xù)維持高速成長,甩開對手嗎?...

2023-05-30 標(biāo)簽:臺積電存儲器摩爾定律封裝技術(shù) 2658

求一種基于ACM32 MCU的分體式水控方案

求一種基于ACM32 MCU的分體式水控方案

分體式水控是一種常見的水控系統(tǒng),它的工作原理是通過水的流動來控制水的供應(yīng)和排放,該系統(tǒng)一般由兩部分組成:控制器和水閥??刂破髫?fù)責(zé)監(jiān)測水的流量和壓力,根據(jù)設(shè)定的參數(shù)來控制水...

2023-05-30 標(biāo)簽:控制器OLED屏FPUMCU芯片sram存儲 1717

3D-NAND 閃存探索將超過300層

3D-NAND 閃存探索將超過300層

全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝,這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。...

2023-05-30 標(biāo)簽:DRAMNand flash 1107

MM32G0140 I2C驅(qū)動EEPROM

MM32G0140 I2C驅(qū)動EEPROM

EEPROM全稱為EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)是電可擦除可編程只讀存儲器。...

2023-05-30 標(biāo)簽:存儲器EEPROMI2C總線MCU芯片EEPROMI2C總線MCU芯片存儲器電路控制 1068

從SoC仿真驗證到FPGA原型驗證的時機

從SoC仿真驗證到FPGA原型驗證的時機

我們當(dāng)然希望在項目中盡快準(zhǔn)備好基于FPGA原型驗證的代碼,以便最大限度地為軟件團(tuán)隊和RTL驗證人員帶來更客觀的收益。...

2023-05-30 標(biāo)簽:驅(qū)動器存儲器SoC芯片RTLFPGA開發(fā)板 1448

C語言數(shù)組和指針的區(qū)別

C語言數(shù)組和指針的區(qū)別

指針是一個變量,它存儲了一個內(nèi)存地址,該地址指向一個變量的存儲位置。通過指針,可以訪問和修改指向的變量。...

2023-05-30 標(biāo)簽:存儲器C語言 1572

存儲器集成電路測試

存儲器集成電路測試

存儲器是集成電路領(lǐng)域的通用器件,其市場用量巨大,從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。...

2023-05-30 標(biāo)簽:FlaSh存儲器DRAM芯片DRAM芯片E2PROMFlaSh存儲器 1019

聊聊Spartan-7到底有哪些特色與優(yōu)勢

聊聊Spartan-7到底有哪些特色與優(yōu)勢

Spartan-7依然延續(xù)了28nm工藝,更加鞏固了Xilinx在28nm的領(lǐng)導(dǎo)地位...

2023-05-30 標(biāo)簽:dsp收發(fā)器RAMFPGA開發(fā)板 4125

AMBA向多芯片和CHI C2C進(jìn)發(fā)

AMBA向多芯片和CHI C2C進(jìn)發(fā)

Arm的Advanced Microcontroller Bus Architecture(AMBA)在與生態(tài)系統(tǒng)合作解決復(fù)雜的行業(yè)性問題方面有著悠久的歷史。...

2023-05-29 標(biāo)簽:控制器存儲器AMBA總線SoC設(shè)計ARM處理器 2822

Verilog最常用的2種數(shù)據(jù)類型

Verilog最常用的2種數(shù)據(jù)類型

Verilog 最常用的 2 種數(shù)據(jù)類型就是線網(wǎng)(wire)與寄存器(reg),其余類型可以理解為這兩種數(shù)據(jù)類型的擴展或輔助。...

2023-05-29 標(biāo)簽:寄存器ROMRAMVerilog觸發(fā)器 3778

一文詳解Verilog表達(dá)式

一文詳解Verilog表達(dá)式

表達(dá)式由操作符和操作數(shù)構(gòu)成,其目的是根據(jù)操作符的意義得到一個計算結(jié)果。表達(dá)式可以在出現(xiàn)數(shù)值的任何地方使用。...

2023-05-29 標(biāo)簽:寄存器存儲器VerilogC語言 4148

FIFO相關(guān)信號及空滿狀態(tài)的原理說明

FIFO相關(guān)信號及空滿狀態(tài)的原理說明

FIFO(First In First Out)是異步數(shù)據(jù)傳輸時經(jīng)常使用的存儲器。該存儲器的特點是數(shù)據(jù)先進(jìn)先出(后進(jìn)后出)。...

2023-05-29 標(biāo)簽:存儲器RAM狀態(tài)機FIFO存儲 10195

聊聊消息中心的設(shè)計與實現(xiàn)

聊聊消息中心的設(shè)計與實現(xiàn)

微服務(wù)的架構(gòu)體系中,會存在很多基礎(chǔ)服務(wù),提供一些大部分服務(wù)都可能需要的能力,比如文件管理、MQ隊列、緩存機制、消息中心等等...

2023-05-29 標(biāo)簽:存儲器狀態(tài)機 2149

硅控整流器(SCR)

硅控整流器(SCR)

本實驗活動的目的是檢查硅控整流器(SCR)的結(jié)構(gòu)和操作。SCR主要用在需要(在高電壓下)控制更高功率的器件中。SCR能夠開啟和關(guān)斷大電流,所以適合用于中高壓AC電源控制應(yīng)用中,例如燈光調(diào)...

2023-05-29 標(biāo)簽:電機控制穩(wěn)壓器SCR 11029

COMPUTEX 2023:Supermicro展示全新服務(wù)器及存儲解決方案強大陣容

COMPUTEX 2023:Supermicro展示全新服務(wù)器及存儲解決方案強大陣容

針對數(shù)據(jù)中心到邊緣應(yīng)用,Supermicro從設(shè)計到制造提供全方位機架級解決方案,提供卓越性能、靈活性和能源效率,并實現(xiàn)快速部署 【2023年5月29日,臺北訊】 Supermicro , Inc. ( NASDAQ : SMCI )...

2023-05-29 標(biāo)簽:服務(wù)器 872

RTOS消息隊列的應(yīng)用

RTOS消息隊列的應(yīng)用

基于RTOS的應(yīng)用中,通常使用隊列機制實現(xiàn)任務(wù)間的數(shù)據(jù)交互,一個應(yīng)用程序可以有任意數(shù)量的消息隊列,每個消息隊列都有自己的用途。...

2023-05-29 標(biāo)簽:adcRTOSISRFIFO存儲 1212

什么是先進(jìn)存力?曙光存儲共探存力發(fā)展未來

“基于全棧技術(shù)研制、優(yōu)化和創(chuàng)新能力,先進(jìn)存力應(yīng)具備優(yōu)秀實踐能力,洞悉產(chǎn)業(yè)應(yīng)用場景需求,并以存算一體化服務(wù)能力,讓算力、存儲、網(wǎng)絡(luò)以及數(shù)據(jù)等分布資源優(yōu)化整合,最終以全維領(lǐng)先...

2023-05-29 標(biāo)簽:存儲系統(tǒng)分布式存儲系統(tǒng)存力 737

verilog基礎(chǔ)知識介紹

verilog基礎(chǔ)知識介紹

組合邏輯:任何時刻電路的穩(wěn)定輸出,僅僅取決于該時刻各個輸入變量的取值。...

2023-05-29 標(biāo)簽:寄存器Verilog觸發(fā)器FIFO存儲 1631

DDR VIP模型的無縫快速初始化

DDR VIP模型的無縫快速初始化

DDR 驗證是任何 SoC 中最關(guān)鍵和最復(fù)雜的任務(wù)之一,因為它涉及位于 DUT 內(nèi)部的控制器和位于板載 DUT 外部的外部 DDR 存儲器。在這里,我們將討論 DDR VIP 模型的快速初始化。...

2023-05-29 標(biāo)簽:控制器存儲器DDR 2950

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