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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>

存儲(chǔ)技術(shù)

提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
DFI 5.0如何確保DDR5/LPDDR5系統(tǒng)的更高性能

DFI 5.0如何確保DDR5/LPDDR5系統(tǒng)的更高性能

數(shù)據(jù)中心、存儲(chǔ)、汽車(chē)和其他新興市場(chǎng)應(yīng)用的增長(zhǎng)正在推動(dòng)下一代內(nèi)存技術(shù)(DDR5、LPDDR5)的發(fā)展。與其前輩一樣,最新的內(nèi)存技術(shù)也使用內(nèi)存控制器和PHY之間的標(biāo)準(zhǔn)接口DFI,以降低集成成本并...

2023-05-26 標(biāo)簽:控制器內(nèi)存數(shù)據(jù)中心 5164

計(jì)算機(jī)的內(nèi)存和外存別再分不清了

計(jì)算機(jī)的內(nèi)存和外存別再分不清了

內(nèi)存,是大家對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱(chēng),當(dāng)然,我們也可以叫內(nèi)部存儲(chǔ)器為主存。它是計(jì)算機(jī)中最重要的部件之一。** 內(nèi)存是計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中存放需要運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)的地方。計(jì)算機(jī)工作時(shí),是...

2023-05-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器cpu計(jì)算機(jī)內(nèi)存 14143

它居然是決定存儲(chǔ)要不要分層的關(guān)鍵

它居然是決定存儲(chǔ)要不要分層的關(guān)鍵

現(xiàn)有的計(jì)算機(jī)體系架構(gòu)中通常采用層級(jí)緩存來(lái)彌補(bǔ)外存和內(nèi)存之間的性能差距。但是,層緩存都有極限帶寬和有限的命中率,在層級(jí)緩存下數(shù)據(jù)需要頻繁的在各個(gè)層級(jí)緩存之前遷移,造成過(guò)高的...

2023-05-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)分層緩存管理存儲(chǔ)計(jì)算機(jī) 800

Android(Q)10 上的分區(qū)外部存儲(chǔ)訪問(wèn)

Android(Q)10 上的分區(qū)外部存儲(chǔ)訪問(wèn)

Android(API 29)10 發(fā)布至今已經(jīng)有不少設(shè)備完成升級(jí),如:***小米9、Redmi K20pro、華為 P30pro/Mate30pro 、榮耀 v30/v20、Oppo Reno、ONnePlus 7T、谷歌 Pixel ***等都已經(jīng)升級(jí)到 Android 10 的支持,不少應(yīng)用市場(chǎng)也要...

2023-05-26 標(biāo)簽:Android華為API 1418

聊聊計(jì)算機(jī)的部分構(gòu)成

計(jì)算機(jī), 是最聰明的人做出的最偉大的發(fā)明之一。 絕大多數(shù)人的能力, 終身無(wú)法超越計(jì)算機(jī)了。 類(lèi)比一下 計(jì)算機(jī)的cpu,...

2023-05-26 標(biāo)簽:cpu存儲(chǔ)計(jì)算機(jī) 1196

Kioxia將在臺(tái)北國(guó)際電腦展上展示提供PCIe? 4.0性能的新款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)

全球內(nèi)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者Kioxia Corporation今日宣布,該公司計(jì)劃于2023年第三季度發(fā)布新的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。EXCERIA PLUS G3系列將運(yùn)用PCIe?4.0技術(shù),并提供高達(dá)2TB的容量。新系列產(chǎn)品非常適合高性...

2023-05-26 標(biāo)簽:SSDPCIe固態(tài)硬盤(pán) 1467

創(chuàng)新存儲(chǔ)賦能智慧安防——佰維邀您蒞臨2023北京安博會(huì)

創(chuàng)新存儲(chǔ)賦能智慧安防——佰維邀您蒞臨2023北京安博會(huì)

6月7日-10日,為期4天的 第十六屆(2023)中國(guó)國(guó)際社會(huì)公共安全產(chǎn)品博覽會(huì) (簡(jiǎn)稱(chēng):安博會(huì))將在北京首鋼會(huì)展中心隆重舉行,佰維將亮相安博會(huì)并重點(diǎn)展示 數(shù)據(jù)采集盤(pán)、軌道交通存儲(chǔ)、移動(dòng)...

2023-05-26 標(biāo)簽:佰維佰維智慧安防 540

DDR5/4/3/2:每一代 DDR 如何提高內(nèi)存密度和速度

DDR5/4/3/2:每一代 DDR 如何提高內(nèi)存密度和速度

SDRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,與CPU的時(shí)鐘速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM(單數(shù)據(jù)速率SDRAM)。單數(shù)據(jù)速率意味著SDR SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只能讀/寫(xiě)一拍數(shù)據(jù)。在傳輸下一個(gè)讀/寫(xiě)操作之前,需要等...

2023-05-26 標(biāo)簽:DRAMSDRAM存儲(chǔ)器 4129

LPDDR5:滿(mǎn)足應(yīng)用的功耗、性能、帶寬和可靠性要求

LPDDR5:滿(mǎn)足應(yīng)用的功耗、性能、帶寬和可靠性要求

半導(dǎo)體行業(yè)正在嗡嗡作響的新技術(shù)——人工智能 (AI)、機(jī)器學(xué)習(xí) (ML)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)等。– 通過(guò)簡(jiǎn)化我們的日常生活并顯著提高性能、帶寬以及可靠的數(shù)據(jù)處理和傳輸來(lái)帶來(lái)一場(chǎng)革命???..

2023-05-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體AIAIML半導(dǎo)體 7803

GDDR6超越圖形:用于AI、VR和自動(dòng)駕駛的內(nèi)存

GDDR6超越圖形:用于AI、VR和自動(dòng)駕駛的內(nèi)存

現(xiàn)代計(jì)算機(jī)應(yīng)用程序嚴(yán)重依賴(lài)圖形處理和渲染,這涉及大量同步數(shù)學(xué)計(jì)算。典型的 CPU 不適合需要同時(shí)處理的作業(yè),這就是引入專(zhuān)用圖形處理單元 (GPU) 概念的原因。GPU 不僅在圖形處理中發(fā)現(xiàn)...

2023-05-26 標(biāo)簽:cpugpu計(jì)算機(jī) 1787

NVDIMM – 內(nèi)存和存儲(chǔ)的完美結(jié)合

NVDIMM – 內(nèi)存和存儲(chǔ)的完美結(jié)合

與 DDR-DIMM 相比,SSD/HDD 提供對(duì)服務(wù)器的訪問(wèn)速度要慢得多,并且會(huì)造成性能差距。為了克服固態(tài)硬盤(pán)/硬盤(pán)和 DDR-DIMM 之間的這種性能差距,市場(chǎng)上正在發(fā)展一種稱(chēng)為 NVDIMM 的新技術(shù)。這項(xiàng)新技術(shù)...

2023-05-26 標(biāo)簽:DDR服務(wù)器SSD 4652

HBM性能驗(yàn)證變得簡(jiǎn)單

HBM性能驗(yàn)證變得簡(jiǎn)單

HBM2E(高帶寬內(nèi)存)是一種高性能 3D 堆疊 DRAM,用于高性能計(jì)算和圖形加速器。它使用更少的功率,但比依賴(lài)DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)(如內(nèi)存子系統(tǒng)、互...

2023-05-26 標(biāo)簽:處理器DRAM內(nèi)存 1589

STC89C52+AT24C02實(shí)現(xiàn)設(shè)備開(kāi)機(jī)次數(shù)記錄

STC89C52+AT24C02實(shí)現(xiàn)設(shè)備開(kāi)機(jī)次數(shù)記錄

在一些設(shè)備的使用過(guò)程中,需要對(duì)設(shè)備的使用次數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)和記錄。這可以用于評(píng)估設(shè)備的實(shí)際使用壽命、確定維護(hù)周期、預(yù)測(cè)故障風(fēng)險(xiǎn)等方面,對(duì)于提高設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性具有重要意義。...

2023-05-26 標(biāo)簽:單片機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)芯片AT24C02AT24C02STC89C52單片機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)芯片 3014

YB時(shí)代,正尋找新的數(shù)據(jù)支點(diǎn)

YB時(shí)代,正尋找新的數(shù)據(jù)支點(diǎn)

YB時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)走向何方?...

2023-05-26 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)華為存儲(chǔ)ICT技術(shù)ICT技術(shù)華為華為存儲(chǔ)存儲(chǔ)數(shù)據(jù) 2216

DDR5 – 關(guān)閉并運(yùn)行

DDR5 – 關(guān)閉并運(yùn)行

DDR5 具有更高的速度和更小的占用空間。由于電壓要求從1.2V降低到1.1V,它還有望提高電源效率。電壓要求的降低給DIMM供應(yīng)商帶來(lái)了額外的抗噪性復(fù)雜性。它將需要額外的功能,例如決策反饋均...

2023-05-25 標(biāo)簽:電源服務(wù)器DDR5 1468

訪問(wèn)CXL 2.0設(shè)備中的內(nèi)存映射寄存器

訪問(wèn)CXL 2.0設(shè)備中的內(nèi)存映射寄存器

計(jì)算快速鏈接 (CXL) 1.1 和 CXL 2.0 規(guī)范在內(nèi)存映射寄存器的放置和訪問(wèn)方式上有所不同。CXL 1.1 規(guī)范將內(nèi)存映射寄存器放置在 RCRB(根復(fù)合寄存器塊)中,而 CXL 2.0 規(guī)范將內(nèi)存映射寄存器鏈接在...

2023-05-25 標(biāo)簽:寄存器交換機(jī)交換機(jī)定位器寄存器 3738

LPDDR5X – LPDDR5面向未來(lái)移動(dòng)系統(tǒng)的擴(kuò)展

物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、5G、汽車(chē)、人工智能 (AI) 和高性能計(jì)算等新興技術(shù)催生了潛在的變革趨勢(shì),需要更快的內(nèi)存訪問(wèn)。5G本身帶來(lái)了更快的下載和上傳速度的能力,使高速實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)傳輸成為可能。...

2023-05-25 標(biāo)簽:5GIOTLPDDR5 2616

HBM3:用于解決高密度和復(fù)雜計(jì)算問(wèn)題的下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)

HBM3:用于解決高密度和復(fù)雜計(jì)算問(wèn)題的下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)

在這個(gè)技術(shù)革命的時(shí)代,人工智能應(yīng)用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應(yīng)用需要快速處理和高密度來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),其中高帶寬內(nèi)存 (HBM) 提供了最可行的內(nèi)存技術(shù)解決方案。...

2023-05-25 標(biāo)簽:服務(wù)器人工智能HBMHBM3 7633

覆蓋模型 – 填補(bǔ)內(nèi)存VIP的漏洞

覆蓋模型 – 填補(bǔ)內(nèi)存VIP的漏洞

Synopsys 內(nèi)存模型 (VIP) 具有內(nèi)置的驗(yàn)證計(jì)劃、功能和定時(shí)覆蓋模型,可加速覆蓋收斂。提供覆蓋模型是為了幫助跨配置設(shè)置、模式寄存器設(shè)置、功能和時(shí)序參數(shù)的多種組合運(yùn)行完整的驗(yàn)證方案...

2023-05-25 標(biāo)簽:控制器寄存器PHY 1767

計(jì)算機(jī)組成原理—校驗(yàn)碼

計(jì)算機(jī)組成原理—校驗(yàn)碼

為減少和避免數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤,一方面從電路、電源和布線等方面采取措施,提高抗干擾能力。...

2023-05-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器狀態(tài)機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器CRC效驗(yàn) 8447

利用高級(jí)RPMB實(shí)現(xiàn)更快、更安全的UFS 4.0身份驗(yàn)證

利用高級(jí)RPMB實(shí)現(xiàn)更快、更安全的UFS 4.0身份驗(yàn)證

在 5G 世界中,快速安全的連接非常重要。JEDEC 通用閃存 (UFS) 4.0 版有助于確保在我們的日常設(shè)備中實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。作為附加的安全元素,UFS 設(shè)備中包含重放保護(hù)內(nèi)存塊 (RPMB),作為安全存儲(chǔ)...

2023-05-25 標(biāo)簽:閃存5GUFS 5649

計(jì)算機(jī)組成原理筆記(一)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的概論

計(jì)算機(jī)組成原理筆記(一)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的概論

一種可以進(jìn)行算術(shù)和邏輯運(yùn)算,具有存儲(chǔ)記憶功能,并能夠按照程序自動(dòng)、高速處理信息的智能電子設(shè)備。...

2023-05-25 標(biāo)簽: 2356

存儲(chǔ)器系統(tǒng)的非對(duì)齊訪問(wèn)

存儲(chǔ)器系統(tǒng)的非對(duì)齊訪問(wèn)

我是之前在試驗(yàn)STM32G031G8U6單片機(jī)內(nèi)部FLASH讀操作時(shí)候發(fā)現(xiàn)的這個(gè)問(wèn)題:STM32F103的flash數(shù)據(jù)可以從任意地址讀,而STM32G031G8U6就不行...

2023-05-25 標(biāo)簽:FlaSh存儲(chǔ)器STM32F103STM32單片機(jī)裸機(jī) 1590

適合單片機(jī)的幾款開(kāi)源Bootloader

適合單片機(jī)的幾款開(kāi)源Bootloader

如果日常工作中經(jīng)常使用linux,那么對(duì)U-Boot,LILO,GRUB等常用Bootloader一定不陌生。但是這些Bootloader主要用于引導(dǎo)linux啟動(dòng),不太適合單片機(jī)產(chǎn)品。...

2023-05-25 標(biāo)簽:單片機(jī)存儲(chǔ)器Linux系統(tǒng)計(jì)時(shí)器OTA 11116

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位,因此位密度...

2023-05-25 標(biāo)簽:NANDMLCslc 3457

機(jī)器學(xué)習(xí)讓存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)提速N個(gè)數(shù)量級(jí)

機(jī)器學(xué)習(xí)讓存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)提速N個(gè)數(shù)量級(jí)

因此,存儲(chǔ)器件變得容量越來(lái)越大,設(shè)計(jì)越來(lái)越復(fù)雜。在開(kāi)發(fā)存儲(chǔ)器件時(shí),怎樣做才能既滿(mǎn)足嚴(yán)苛的性能、功耗、面積(PPA)目標(biāo),又能確保產(chǎn)品按時(shí)上市呢?...

2023-05-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器人工智能ML 1224

LED顯示屏控制卡故障的原因和解決方法

LED顯示屏控制卡是LED圖文顯示屏的核心部件,主要負(fù)責(zé)接收來(lái)自計(jì)算機(jī)串行口的畫(huà)面顯示信息,置入幀存儲(chǔ)器...

2023-05-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器LED顯示屏接收機(jī)GSM 5935

結(jié)構(gòu)體成員初始化不完整從而受到棧污染導(dǎo)致奇怪bug

原因源于大家平時(shí)對(duì)網(wǎng)上大量不規(guī)范的例程的拷貝使用...

2023-05-25 標(biāo)簽:寄存器PWM定時(shí)器STM32單片機(jī) 1528

32位架構(gòu)要退出歷史舞臺(tái)了嗎?

1978年,英特爾8086 16位CPU首次推出x86指令集,現(xiàn)在英特爾正計(jì)劃用一個(gè)僅有64位模式的架構(gòu)最終將其計(jì)算機(jī)處理器帶入未來(lái)。...

2023-05-25 標(biāo)簽:處理器RAMCPLDoSRAM處理器 2501

2M大容量鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC性能參數(shù)

2M大容量鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC性能參數(shù)

PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安(待機(jī)),工作電壓2.7伏至3.6伏,可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作,芯片的數(shù)據(jù)在85℃工作環(huán)境下可以保存10年,在25℃工作環(huán)境下可以保存200年,且...

2023-05-25 標(biāo)簽:處理器CMOS鐵電存儲(chǔ)器CMOS處理器處理系統(tǒng)鐵電存儲(chǔ)器 1786

編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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