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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>

存儲技術(shù)

提供全球最前沿存儲技術(shù),云存儲技術(shù)、快速存儲技術(shù)、虛擬存儲技術(shù)、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術(shù)等存儲技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
關(guān)于ClearNAND閃存的系統(tǒng)詳解

關(guān)于ClearNAND閃存的系統(tǒng)詳解

過去,ECC一直被用于提高NAND閃存子系統(tǒng)的整體數(shù)據(jù)可靠性。但是,隨著NAND單元不斷縮小,每個(gè)浮柵內(nèi)貯存的電子數(shù)量越來越少。因此,為彌補(bǔ)更小的存儲單元所產(chǎn)生的更高的位誤碼率,我們必...

2018-06-15 標(biāo)簽:閃存NAND 2605

架構(gòu)/顆粒/接口/可靠性全面解析:最全面的閃存技術(shù)大普及

架構(gòu)/顆粒/接口/可靠性全面解析:最全面的閃存技術(shù)大普及

閃存最明顯特點(diǎn)就是穩(wěn)定性能,低時(shí)延和高隨機(jī)IOPS。對于閃存,在評估性能時(shí),我們一般主要關(guān)注90% IO落入規(guī)定的時(shí)延范圍(性能是一個(gè)線性范圍,而不是某一個(gè)點(diǎn))。數(shù)據(jù)保護(hù)等追求所有軟...

2018-06-12 標(biāo)簽:閃存存儲技術(shù) 3960

存儲容量需求大增,推動(dòng)了3D NAND儲存的發(fā)展

存儲容量需求大增,推動(dòng)了3D NAND儲存的發(fā)展

以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機(jī)已無法滿足當(dāng)前由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的新興移動(dòng)應(yīng)用需求,從而為3D NAND快閃存儲器的進(jìn)展鋪路… 智能手機(jī)使用者不斷尋求更好的移動(dòng)體驗(yàn),除了提升裝置的處理性能...

2018-06-07 標(biāo)簽:NAND3D 1115

光纖通道方案遇上新型NVMe存儲技術(shù),會(huì)激發(fā)出什么火花呢?

光纖通道-NVMe型方案已經(jīng)以演示形式由博科與QLogic共同推出,這套系統(tǒng)在本質(zhì)上利用標(biāo)準(zhǔn)形式的PCIe總線協(xié)議為固態(tài)存儲以及NVMe提供傳輸通道,并可以作為網(wǎng)絡(luò)光纖外設(shè)通過光纖通道部署為服務(wù)...

2018-06-16 標(biāo)簽:存儲技術(shù) 1672

RAID技術(shù):面向安防應(yīng)用的新技術(shù)

RAID技術(shù):面向安防應(yīng)用的新技術(shù)

RAID技術(shù)已經(jīng)很熟悉,屬于磁盤陣列的基礎(chǔ)技術(shù),經(jīng)過不斷發(fā)展,現(xiàn)在已經(jīng)有了從RAID 0 到RAID7八種基本的RAID級別和類似RAID 10、RAID 50的二維RAID。不同的RAID級別可以為用戶提供相應(yīng)的RAID性能和數(shù)...

2018-06-16 標(biāo)簽:存儲技術(shù)RAID 2296

3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過它

3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過它

3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來,最具突破性的一項(xiàng)存儲技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢,3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者: (1)比NAND Flash快1000倍; (2)成本只有DRAM的一半; (3)使用壽...

2018-04-19 標(biāo)簽:DRAMNAND3DXPoint 52544

一文讀懂SSD硬盤

隨著人們對數(shù)據(jù)需求增多,存儲系統(tǒng)的瓶頸越來越明顯。而在嵌入式領(lǐng)域移動(dòng)設(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化控制等惡劣環(huán)境下,傳統(tǒng)硬盤機(jī)械結(jié)構(gòu)已經(jīng)無法滿足要求,而所有這一切隨著固態(tài)存儲(SSD)的到...

2018-04-19 標(biāo)簽:DRAM三星電子SSD固態(tài)硬盤 4712

硬盤為什么要分區(qū) 怎么分區(qū)

硬盤為什么要分區(qū) 怎么分區(qū)

磁盤的分區(qū) 裝過系統(tǒng)的人都知道必須要分區(qū)后才能安裝系統(tǒng),形象點(diǎn)的說比如windows里C:,D:之類的東西;如果你要問硬盤為什么要分區(qū),我也說不上來很嚴(yán)格的原因,首先從使用習(xí)慣上來講,我...

2018-04-19 標(biāo)簽:硬盤DPT硬盤 8376

關(guān)于硬盤物理結(jié)構(gòu)和扇區(qū)的基本介紹

首先簡單認(rèn)識一下硬盤的物理結(jié)構(gòu),硬盤內(nèi)部的物理結(jié)構(gòu)很復(fù)雜,只能從大的顆粒度去看內(nèi)部的結(jié)構(gòu) 總體來說,硬盤結(jié)構(gòu)包括:盤片、磁頭、盤片主軸、控制電機(jī)、磁頭控制器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、...

2018-04-19 標(biāo)簽:硬盤 6480

列式存儲是數(shù)據(jù)分析性能殺手锏

列式存儲是數(shù)據(jù)分析性能殺手锏

Columnar Storage Layout 就是列式存儲, 每一個(gè)列的數(shù)據(jù)都被存在一個(gè)數(shù)據(jù)文件中,比如date_key 按照順序存儲在 date_key file 中,Product_sk 也一樣,按照二維表中的順序,存儲在 product_sk 文件中。每個(gè)...

2018-04-19 標(biāo)簽:存儲技術(shù)數(shù)據(jù)分析 1617

硬盤數(shù)據(jù)丟失了怎么辦 如何恢復(fù)

對于FAT格式的文件結(jié)構(gòu),文件刪除僅僅是把文件的首字節(jié)改為E5H,其余的內(nèi)容并不沒有被修改,因此可以比較容易恢復(fù)。我們可以使用后面介紹的數(shù)據(jù)恢復(fù)軟件輕松的把我們誤刪除或意外丟失的...

2018-04-19 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)丟失機(jī)械硬盤 17175

次世代嵌入式內(nèi)存十年沉潛 終于到了大放異彩之時(shí)

臺積電的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存)和eRRAM(嵌入式電阻式內(nèi)存)技術(shù)計(jì)劃將在2018和2019年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),號稱次世代內(nèi)存的產(chǎn)品,終于在十多年的沉潛后大放異彩,物聯(lián)網(wǎng)與AI將再次...

2018-01-26 標(biāo)簽:臺積電物聯(lián)網(wǎng)內(nèi)存AI 1900

全球首個(gè)柔性系統(tǒng)級芯片(SoC)是其它柔性器件的7000倍

據(jù)報(bào)道,AFRL和美國半導(dǎo)體公司利用3D打印領(lǐng)域的創(chuàng)新共同研發(fā)出全球首個(gè)柔性系統(tǒng)級芯片(SoC),這是史上最復(fù)雜的柔性集成電路,存儲能力是其他柔性器件的7000倍。...

2018-01-26 標(biāo)簽:微控制器存儲器soc 3992

英特爾和美光攜手推面向突破性存儲技術(shù)的架構(gòu)

互聯(lián)設(shè)備和數(shù)字服務(wù)的爆炸式增長產(chǎn)生了大量的新數(shù)據(jù)。為了讓這些數(shù)據(jù)變得更有價(jià)值,必須對這些數(shù)據(jù)進(jìn)行非??焖俚卮鎯头治?,而這也為設(shè)計(jì)內(nèi)存和存儲解決方案時(shí)必須權(quán)衡成本、功耗和...

2018-03-12 標(biāo)簽:英特爾存儲技術(shù)美光科技3DXPoint 1230

基于SST39VF160芯片的Nor Flash操作

基于SST39VF160芯片的Nor Flash操作

NOR Flash存儲器 SST39VF160芯片介紹 SST39VF160是一個(gè)1M16的CMOS多功能FlashMPF器件,由SST特有的高性能SuperFlash技術(shù)制造而成(SuperFlash技術(shù)的分裂閘split-gate單元結(jié)構(gòu)和厚氧化物制成的)。 SST39VF160具有高性能...

2018-07-15 標(biāo)簽:NORFlashNORFlashSST39VF160 6530

2018年存儲技術(shù)發(fā)展新趨勢 依然閃亮的對象存儲

基于高可擴(kuò)展性和高耐久性的功能,對象存儲讓用戶能夠以低于主磁盤存儲的價(jià)位來訪問海量數(shù)據(jù),同時(shí)避免增加與高容量磁盤相關(guān)的RAID重建時(shí)間。...

2018-03-12 標(biāo)簽:存儲技術(shù)人工智能無人駕駛 4521

國產(chǎn)內(nèi)存進(jìn)展緩慢,打破DRAM的價(jià)格壟斷還有待期望

在中國的進(jìn)口貿(mào)易中,僅2016年1月份到10月份,中國在進(jìn)口芯片上就花費(fèi)了1.2萬億人民幣,是花費(fèi)在原油進(jìn)口上的兩倍。好在現(xiàn)在中國正在加大在芯片領(lǐng)域的投資,進(jìn)展尚佳。人們希冀國產(chǎn)內(nèi)存...

2018-06-21 標(biāo)簽:DRAM紫光 5625

SSD固態(tài)硬盤測試:壽命比機(jī)械硬盤還可靠

SSD固態(tài)硬件正在取代傳統(tǒng)機(jī)械硬盤成為主流的存儲媒介,其存取速度快、容量也在不斷增加,小巧的體積更是超薄電腦設(shè)備的首選。不過,SSD的使用壽命一直是令人擔(dān)心的,常見的認(rèn)知錯(cuò)誤是...

2018-06-12 標(biāo)簽:SSD固態(tài)硬盤 6967

詳解各種多階光存儲的方案原理,展望多階光存儲技術(shù)研究進(jìn)展

詳解各種多階光存儲的方案原理,展望多階光存儲技術(shù)研究進(jìn)展

在傳統(tǒng)的光存儲系統(tǒng)中,二元數(shù)據(jù)序列存儲在記錄介質(zhì)中,記錄符只有兩種不同的物理狀態(tài),例如只讀光盤中交替變化的坑岸形貌。光盤信號讀出時(shí),通過檢測坑岸邊沿從而恢復(fù)所記錄的數(shù)據(jù)...

2018-06-21 標(biāo)簽:存儲技術(shù) 4280

3D NAND與2D NAND之間的區(qū)別聯(lián)系對比

3D NAND與2D NAND之間的區(qū)別聯(lián)系對比

如果用一個(gè)詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話,那么閃存顆粒絕對是會(huì)被提及的一個(gè)關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價(jià),閃存...

2018-06-06 標(biāo)簽:NAND3D2D 4460

SK Hynix的72L NAND快閃存儲器與各家64L的對比分析詳解

SK Hynix的72L NAND快閃存儲器與各家64L的對比分析詳解

在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND快閃存儲器中,所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元,是利用管線式(pipe)閘極連結(jié)每一個(gè)NAND字串(NAND string);從其布局可見,該芯片包含4個(gè)平面(plan...

2018-06-21 標(biāo)簽:NAND存儲器 2904

WD Black 3D NVMe SSD ;西部數(shù)據(jù)自主研發(fā),體積小而性能強(qiáng)的硬盤

昨天,西部數(shù)據(jù)在北京正式發(fā)布了旗下最新的旗艦級 NVMe 固態(tài)硬盤 WD Black 3D NVMe SSD,與以往的產(chǎn)品相比,這一代固態(tài)硬盤的最大特點(diǎn)是由西部數(shù)據(jù)完全自主研發(fā)。發(fā)布會(huì)后,西部數(shù)據(jù)集團(tuán)大中...

2018-06-12 標(biāo)簽:硬盤SSDnvme 3529

存儲芯片需求推動(dòng)SK海力士2017年業(yè)績增長創(chuàng)新高

2017年第四季度SK海力士利潤達(dá)到4.5萬億韓元,運(yùn)營利潤同比增長近兩倍,是逼近三年來的最高值。主要源頭是受存儲芯片價(jià)格上漲和需求旺盛的推動(dòng),甚至?xí)诮衲昀麧櫾俅蝿?chuàng)出新高。...

2018-01-25 標(biāo)簽:存儲芯片SK海力士 1597

內(nèi)存需求降至冰點(diǎn)價(jià)格暴跌 回暖只能等2月份

內(nèi)存需求降至冰點(diǎn)價(jià)格暴跌 回暖只能等2月份

內(nèi)存現(xiàn)在是經(jīng)歷了價(jià)格瘋漲又暴跌的局勢,未來前景充滿了不確定性。據(jù)報(bào)道,內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)連續(xù)四個(gè)月走低,渠道需求和出貨量越來越差,基本上都陷入了虧損狀態(tài)。...

2018-01-25 標(biāo)簽:DRAM三星電子內(nèi)存 1328

2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)兩極分化 DRAM無新增產(chǎn)能 NAND需求極增

2017年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一場大動(dòng)亂,2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)向也會(huì)有所變化,據(jù)悉,DRAM熱度可望延續(xù)依然存在,但是2018年DRAM并無新增產(chǎn)能,同時(shí)服務(wù)器內(nèi)存合約價(jià)續(xù)漲。...

2018-01-25 標(biāo)簽:DRAMNAND內(nèi)存 1812

升級Ballistix存儲器以增加多工游戲效能

隨著游戲技術(shù)進(jìn)步,對存儲器的需求也更加嚴(yán)苛,但是現(xiàn)在很多的游戲都會(huì)出現(xiàn)延遲問題,我們知道延遲往往歸因與于存儲器的不足,而美光旗下游戲存儲器品牌Ballistix專為游戲與超頻設(shè)計(jì),低...

2018-01-25 標(biāo)簽:存儲器美光 1198

什么是列式存儲 與OLTP對比有什么優(yōu)勢?

什么是列式存儲 與OLTP對比有什么優(yōu)勢?

總的來說,列式存儲的優(yōu)勢一方面體現(xiàn)在存儲上能節(jié)約空間、減少 IO,另一方面依靠列式數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)做了計(jì)算上的優(yōu)化。本文將著重介紹列式存儲的數(shù)據(jù)組織方式,包括數(shù)據(jù)的布局、編碼、壓縮等...

2018-05-01 標(biāo)簽:存儲技術(shù)DSM大數(shù)據(jù) 10260

如何正確找到你想要的數(shù)據(jù)集成工具

如何正確找到你想要的數(shù)據(jù)集成工具

數(shù)據(jù)不在一個(gè)數(shù)據(jù)庫,文件系統(tǒng),數(shù)據(jù)庫或存儲庫中。為了滿足許多業(yè)務(wù)需求,必須將數(shù)據(jù)與其他數(shù)據(jù)源的記錄系統(tǒng)集成,然后用于分析,面向客戶的應(yīng)用程序或內(nèi)部工作流程。...

2018-04-30 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)存儲數(shù)據(jù)存儲數(shù)據(jù)集成 2183

關(guān)于云存儲應(yīng)該關(guān)注的8個(gè)問題

云存儲網(wǎng)關(guān)和其他廣域網(wǎng)優(yōu)化設(shè)備可以幫助緩解這個(gè)問題,但是如果與云存儲提供商的連接性不足,那么企業(yè)遷移到云存儲,不太可能實(shí)現(xiàn)足夠高的存儲性能來獲得許多潛在的好處。...

2018-05-03 標(biāo)簽:云存儲 2208

內(nèi)存條買單條跟雙條的區(qū)別解析

買過內(nèi)存條的用戶一定都有過這樣的糾結(jié):在限定容量下,是該買一根足量的內(nèi)存條還是買雙根內(nèi)存條進(jìn)行組合?今天,我們就來聊聊這個(gè)問題。...

2018-06-11 標(biāo)簽:內(nèi)存條 39818

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