存儲技術(shù)
提供全球最前沿存儲技術(shù),云存儲技術(shù)、快速存儲技術(shù)、虛擬存儲技術(shù)、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術(shù)等存儲技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
消滅競爭對手！芯片并購大戰(zhàn)持續(xù)發(fā)酵，Marvell將以60億美元收購Cavium
本周一，路透社援引消息人士的話稱，芯片制造商Marvell Technology已同意以約60億美元收購其對手Cavium Inc。 這是本月以來，繼續(xù)博通打算強(qiáng)行收購高通之后，電子芯片領(lǐng)域的又一起并購案。 目前...
2017-11-21 標(biāo)簽：MarvellCavium半導(dǎo)體收購 13646
死磕Intel傲騰,三星發(fā)布基于SLC顆粒的SZ985固態(tài)盤
TheReg拿到了SZ985的相關(guān)參數(shù)，并與Optane P4800X進(jìn)行了對比，發(fā)現(xiàn)除了延遲略高點(diǎn)，隨機(jī)/連續(xù)讀寫都能蓋過Intel一頭。因?yàn)椴捎玫氖荢LC閃存和定制的主控，隨機(jī)讀取高達(dá)750K、寫入170K，連續(xù)讀取3.2...
存儲市場形勢突變,兆易創(chuàng)新押注36億元搶占市場份額
事實(shí)上，兆易創(chuàng)新謀求進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)的野心早已有之。記者注意到，早在今年4月，兆易創(chuàng)新曾準(zhǔn)備增發(fā)約3128萬股以購買北京矽成半導(dǎo)體有限公司100%股權(quán)，以謀求在DRAM內(nèi)存顆粒業(yè)務(wù)方面有所作為...
2017-11-20 標(biāo)簽：DRAM兆易創(chuàng)新NORFlash 2032
東芝欲售西屋電氣,增發(fā)54億美元新股躲避退市
由于西屋電氣遭受數(shù)十億美元虧損，導(dǎo)致東芝陷入了難以擺脫的困境。該公司同意通過銷售芯片存儲業(yè)務(wù)來融資，但卻擔(dān)心這項(xiàng)交易難以在3月底之前完成，因?yàn)榇伺e需要獲得不同國家反壟斷部...
2017-11-20 標(biāo)簽：東芝西部數(shù)據(jù)西屋電氣貝恩資本 1073
內(nèi)存瘋狂漲價背后的原因,擴(kuò)產(chǎn)后漲勢繼續(xù)
我們看過很多關(guān)于存儲器價格暴漲的新聞，三家DRAM供應(yīng)商也都曾明確表示自己的態(tài)度。三星表示2018年DRAM產(chǎn)能增長不會超過20%，需求量卻要增長25%。關(guān)于NAND，三星表示：“供應(yīng)方面，雖說6...
基于FPGA的高速采集和深存儲的模塊設(shè)計
為了實(shí)現(xiàn)飛行器在飛行試驗(yàn)狀態(tài)下對空間噪聲信號的記錄，設(shè)計了一個基于FPGA的超聲數(shù)據(jù)采集與存儲模塊。該模塊以FPGA芯片XC3S400作為主控制器，使用THS1408芯片作為模/數(shù)轉(zhuǎn)換器，將采集到的模...
DDR3的工作原理及DDR3 SDRAM控制器設(shè)計與結(jié)果分析
ＤＤＲ３ ＳＤＲＡＭ 是第二代雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器， 以其大容量、 高速率和良好的兼容性得到了廣泛應(yīng)用。 文中介紹了 ＤＤＲ３ 的特點(diǎn)和操作原理， 以及利用 ＭＩＧ 軟...
基于FPGA 的嵌入式系統(tǒng)程序開發(fā)實(shí)現(xiàn)對AＲM 接口通信控制模塊、芯片驅(qū)動模塊的
數(shù)字存儲示波器采用AＲM 與FPGA 雙處理器結(jié)合的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計方案，重點(diǎn)介紹在FPGA 中如何實(shí)現(xiàn)對外圍芯片的通信與驅(qū)動，采用VHDL 語言，以逐層描述的設(shè)計模式，分成AＲM 接口通信控制模塊和...
基于FPGA并以Flash為存儲介質(zhì)的高速圖像數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)設(shè)計
針對某系統(tǒng)圖像數(shù)據(jù)量大、傳輸速率快的特點(diǎn)，提出了采用PCI總線協(xié)議完成PC與高速數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)之間的通信，利用LVDS總線協(xié)議傳輸數(shù)據(jù)并進(jìn)行混合編幀的解決方案。為提高數(shù)據(jù)存儲速率，使用...
2017-11-18 標(biāo)簽：存儲技術(shù)PCIlvds存儲系統(tǒng) 4709
東芝計劃明年3月底完成芯片業(yè)務(wù)出售,并稱不接受貝恩財團(tuán)單一成員投資
東芝的閃存產(chǎn)品品質(zhì)和穩(wěn)定性高于海力士、美光等同類產(chǎn)品，但由于日本企業(yè)經(jīng)營保守，市場反應(yīng)的速度和彈性都不如海力士，美光等韓美企業(yè)，企業(yè)經(jīng)營的策略調(diào)整較慢。由于東芝公司陷入財...
存儲器尋址方式有哪些？
存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器尋址是數(shù)據(jù)恢復(fù)技術(shù)的基礎(chǔ)，是定位數(shù)據(jù)和扇區(qū)的關(guān)鍵。...
SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR1的區(qū)別對比及其特點(diǎn)分析
DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。 DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)...
受內(nèi)存需求,第三季度三星季增28.4%,SK海力士增30.1%,美光增13%
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查顯示，在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁，以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下，并不能滿足整體服務(wù)器內(nèi)存市場需求，Server DRAM供不應(yīng)求的情形在第...
什么是分布式存儲技術(shù)？有哪些應(yīng)用？
分布式存儲概念 與目前常見的集中式存儲技術(shù)不同，分布式存儲技術(shù)并不是將數(shù)據(jù)存儲在某個或多個特定的節(jié)點(diǎn)上，而是通過網(wǎng)絡(luò)使用企業(yè)中的每臺機(jī)器上的磁盤空間，并將這些分散的存儲資...
2017-11-17 標(biāo)簽：分布式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù) 24580
UltraRAM是存儲技術(shù)方面的一項(xiàng)突破
傳統(tǒng)的 FPGA 和 SoC 包含的片上存儲器以 block RAM 和分布式 RAM 的形式存在。由于器件能以更高數(shù)據(jù)速率處理更多數(shù)據(jù)，因此越發(fā)需要將數(shù)據(jù)緩沖或存儲在靠近處理器的位置。UltraScale+ 系列中的新產(chǎn)...
新型存儲器材料“鈧銻碲”,低功耗,循環(huán)壽命大于1000萬次
存儲器是集成電路最重要的技術(shù)之一，能否開發(fā)自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲器芯片事關(guān)國家信息安全。目前，國際上通用的存儲器材料是“鍺銻碲”。近年來，消費(fèi)電子產(chǎn)品的普及對存儲器芯片的功耗...
存儲器競技場,DRAM、NAND量產(chǎn)大PK
中國半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)起云涌，購并、建廠消息不斷，在市場、國安等考量下，存儲器更是中國重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目，成為多方人馬競逐的主戰(zhàn)場。中國存儲器后進(jìn)廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，目前狀況...
美光科技32GB NVDIMM離久性存儲更進(jìn)一步
通過以超快的 DRAM 速度處理關(guān)鍵數(shù)據(jù)，持久存儲器在延遲、帶寬、容量和成本之間實(shí)現(xiàn)了獨(dú)有的平衡。而讓其在普通服務(wù)器 DRAM 中獨(dú)樹一幟的原因在于，它能夠在斷電的情況下保存信息。美光科...
三種主流內(nèi)存技術(shù)（DDR、GDDR、LPDDR）的速度對比與應(yīng)用和DDR5芯片的設(shè)計
您可能剛把計算機(jī)升級到DDR4的內(nèi)存，也有可能仍然在使用DDR3的內(nèi)存。不過不管怎樣，DDR5內(nèi)存要來了。 2017年3月，JEDEC協(xié)會宣布將在2018年正式發(fā)布DDR5的技術(shù)規(guī)范。目前，DDR5的規(guī)范制定已經(jīng)到...
2017-11-15 標(biāo)簽：DDR 48735
存儲器的種類及各種性能參數(shù)
存儲器（Memory）是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實(shí)物形式的具有存儲...
2017-11-15 標(biāo)簽：存儲器 55299
三星巨額投資3D NAND閃存,占據(jù)整個半導(dǎo)體行業(yè)的33%
三星的開支計劃到底有多么兇猛？IC Insights預(yù)計，三星2017年第四季度的半導(dǎo)體資本支出為86億美元，將占到整個半導(dǎo)體行業(yè)的33%（整個行業(yè)第四季度支出預(yù)計達(dá)到262億美元）。同時，三星在第四...
s8254芯片各腳位功能
8254芯片是一款使用十分廣泛的可編程定時，計數(shù)芯片，其主要功能是定時和計數(shù)的功能。我們的微機(jī)內(nèi)的動態(tài)存儲器刷新電路，系統(tǒng)日時鐘的技術(shù)以及發(fā)聲系統(tǒng)的聲源都是由8254芯片來完成的。...
ram與rom的主要區(qū)別
ROM是ROMimage（只讀內(nèi)存鏡像）的簡稱，常用于手機(jī)定制系統(tǒng)玩家的圈子中。一般手機(jī)刷機(jī)的過程，就是將只讀內(nèi)存鏡像（ROM image）寫入只讀內(nèi)存（ROM）的過程。常見的ROMimage有img、zip等格式，前...
靜態(tài)ram和動態(tài)ram的區(qū)別是什么
隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中...
四種存儲器的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用
RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的...
兩類存儲器的工作原理及其特征比較
內(nèi)存工作原理： 內(nèi)存是用來存放當(dāng)前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，我們平常所提到的計算機(jī)的內(nèi)存指的是動態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動態(tài)內(nèi)存中所謂的"動態(tài)"，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入D...
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