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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>

存儲(chǔ)技術(shù)

提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。

HP存儲(chǔ)虛擬化存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)解決方案帶來(lái)的好處及未來(lái)發(fā)展

存儲(chǔ)虛擬化是提高存儲(chǔ)可用性的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),不會(huì)增加任何管理工作量?;萜沾鎯?chǔ)虛擬化產(chǎn)品家族提供全面的存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)解決方案,滿(mǎn)足企業(yè)對(duì)可靠、可擴(kuò)展的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)不斷增長(zhǎng)的需要。 ...

2016-10-09 標(biāo)簽:虛擬化存儲(chǔ)HP存儲(chǔ)虛擬化存儲(chǔ) 1640

FinFET存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)以及測(cè)試和修復(fù)方法

FinFET存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)以及測(cè)試和修復(fù)方法

現(xiàn)在,隨著FinFET存儲(chǔ)器的出現(xiàn),需要克服更多的挑戰(zhàn)。這份白皮書(shū)涵蓋:FinFET存儲(chǔ)器帶來(lái)的新的設(shè)計(jì)復(fù)雜性、缺陷覆蓋和良率挑戰(zhàn);怎樣綜合測(cè)試算法以檢測(cè)和診斷FinFET存儲(chǔ)器具體缺陷;如何通...

2016-09-30 標(biāo)簽:socFinFET存儲(chǔ)器STAR存儲(chǔ)器 4324

北美筆記本電腦需求回溫 DRAM價(jià)格漲勢(shì)延續(xù)

在全球存儲(chǔ)器芯片龍頭三星拉抬報(bào)價(jià)帶動(dòng)下,dram漲勢(shì)延續(xù),9月以來(lái)已連續(xù)三周上漲,漲勢(shì)明確,伴隨追價(jià)買(mǎi)盤(pán)進(jìn)場(chǎng),漲勢(shì)加大。...

2016-09-30 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器 615

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)撬開(kāi)芯片國(guó)產(chǎn)化第一站!

存儲(chǔ)器的發(fā)展幾乎是伴隨著電子計(jì)算機(jī)的發(fā)展歷程而來(lái)的。在發(fā)展之初,采用汞線(xiàn)延遲線(xiàn)來(lái)進(jìn)行信息的存儲(chǔ)和讀寫(xiě),之后采用磁性材料,再到光學(xué)材料等存儲(chǔ)器設(shè)備,盡管獲得了較大的改善,但...

2016-09-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器soc半導(dǎo)體芯片 2510

打造一個(gè)好的存儲(chǔ)產(chǎn)品,真“芯”不改!

做存儲(chǔ)將近17年歷史江波龍電子,一直堅(jiān)持對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)品的耕耘,目前產(chǎn)品包含U盤(pán)、卡類(lèi)、SSD以及eMMC,公司秉持DMS的服務(wù)理念,不斷創(chuàng)新存儲(chǔ)產(chǎn)品設(shè)計(jì)與研發(fā),一直為消費(fèi)者、客戶(hù)以及合作伙伴...

2016-09-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)SSDemmc 1214

k9f1208完整手冊(cè) k9f1208數(shù)據(jù)表Datasheet資料下載

k9f1208完整手冊(cè) k9f1208數(shù)據(jù)表Datasheet資料下載

Flash NAND型號(hào) K9F1208完整手冊(cè)內(nèi)容,包括K9F1208B0B、K9F1208B0C、K9F1208B0C-P、K9F1208D0A、K9F1208D0A-P、K9F1208D0A-Y、K9F1208D0B、K9F1208D0B-D、K9F1208D0B-Y等型號(hào)。...

2016-09-19 標(biāo)簽:K9F1208 3542

美光3D NAND低成本制程分析 海力士/東芝能否趕上?

目前,我們還無(wú)法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢(shì),但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問(wèn)題在于,海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)兩大市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手能否...

2016-09-12 標(biāo)簽:東芝存儲(chǔ)器海力士美光3d nand 2348

富士通FRAM“上天入地” 拓展更多低功耗、高可靠性應(yīng)用空間

據(jù)富士通展臺(tái)工程師介紹,從要抗宇宙輻射的衛(wèi)星裝置,到頗接地氣的無(wú)電池舒適智能家居設(shè)備,已處處可見(jiàn)這種先進(jìn)非易失性嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)的身影。除FRAM外,在本次展會(huì)上富士通還展示了...

2016-09-05 標(biāo)簽:RFID醫(yī)療電子fram 1732

重拳出擊,江波龍推出一體化模塊產(chǎn)品SDP

江波龍SSD產(chǎn)品總監(jiān)鐘孟辰表示,SDP?就是SATA Disk in Package,是將SSD主控芯片、Flash芯片在封裝廠封裝成一體化模塊,經(jīng)過(guò)開(kāi)卡量產(chǎn)、測(cè)試后出廠,這種產(chǎn)品形態(tài)相當(dāng)于SSD的半成品,只需要加上外...

2016-09-02 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)SSDSDP江波龍 2237

SSD與HDD價(jià)格已持平!再也不用擔(dān)心買(mǎi)不起固態(tài)硬盤(pán)了

SSD與HDD價(jià)格已持平!再也不用擔(dān)心買(mǎi)不起固態(tài)硬盤(pán)了

據(jù)最新報(bào)告稱(chēng),SSD固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格已經(jīng)降至非常合理的位置,預(yù)計(jì)2018年將有超過(guò)一半的筆記本電腦標(biāo)配SSD,使得筆記本速度大幅提升。...

2016-09-01 標(biāo)簽:SSD固態(tài)硬盤(pán) 2355

深入讀懂半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)及市場(chǎng),鄙文即可!

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng),其三大主流產(chǎn)品DRAM,NAND Flash,NOR Flash更是如此,尤其是前兩者,全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù),且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲(chǔ)...

2016-08-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù) 84095

公有云和私有云的區(qū)別 如何搭建云存儲(chǔ)

名字的改變不會(huì)改變其本質(zhì),它仍然是一種能提供更好服務(wù)的存儲(chǔ)架構(gòu)技術(shù)。我們不得不承認(rèn)的是,不管選擇的是哪個(gè)品牌的產(chǎn)品,企業(yè)都會(huì)受益于所選擇的私有云架構(gòu)。...

2016-08-22 標(biāo)簽:云存儲(chǔ) 2380

西部數(shù)據(jù)表示:電阻式內(nèi)存技術(shù)并非徒勞一場(chǎng)

在完成對(duì)SanDisk公司的收購(gòu)之后,西部數(shù)據(jù)正積極利用ReRAM——即電阻式RAM技術(shù)——對(duì)英特爾與美光打造的XPoint發(fā)起沖擊。...

2016-08-22 標(biāo)簽:DRAM西部數(shù)據(jù) 973

新研究成果相變內(nèi)存 比傳統(tǒng)DRAM快1000倍

下一代內(nèi)存的讀取速度會(huì)比現(xiàn)在快多少?來(lái)自美國(guó)斯坦福大學(xué)的研究人員認(rèn)為,相變內(nèi)存(Phase-Change Memory,PCM)很可能是現(xiàn)在DRAM內(nèi)存性能的1000倍。...

2016-08-18 標(biāo)簽:相變內(nèi)存 1361

英特爾牽手大連市政府生產(chǎn)Nand flash芯片

英特爾投資 55 億美元轉(zhuǎn)型建造的大連 NAND Flash 廠房已完工,并于 25 日正式投產(chǎn)。報(bào)導(dǎo)指稱(chēng),位于遼寧省大連市金普新區(qū)的該廠區(qū),為全球首座以 12 寸(300mm)晶圓生產(chǎn) NAND Flash 的制造中心,目...

2016-08-17 標(biāo)簽:Nand flash 1355

手機(jī)需要多大RAM才夠用?看完結(jié)果恍然大悟

RAM對(duì)性能的影響是非常巨大的,包括標(biāo)準(zhǔn)(DDR3或DDR4)容量、帶寬等等,目前至少8GB RAM對(duì)PC來(lái)說(shuō)是非常基礎(chǔ)的。雖然硬件結(jié)構(gòu)并不完全相同,但智能手機(jī)RAM也越來(lái)越大,甚至達(dá)到了6GB,那么這究...

2016-08-17 標(biāo)簽:RAM 6417

希捷推出60TB固態(tài)硬盤(pán) 直接碾壓三星15TB世界紀(jì)錄

基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)開(kāi)始取代古老的機(jī)械硬盤(pán),而幾家固態(tài)硬盤(pán)制造商,似乎展開(kāi)了一場(chǎng)“存儲(chǔ)容量軍備競(jìng)賽”。日前,希捷公司宣布推出60TB固態(tài)硬盤(pán),這創(chuàng)造了新的固態(tài)硬盤(pán)容量世界...

2016-08-12 標(biāo)簽:SSD固態(tài)硬盤(pán) 1492

入門(mén)級(jí)SSD井噴在即,Marvell加強(qiáng)與中國(guó)廠商合作

“Marvell是獨(dú)立SSD控制器廠商的NO.1,是行業(yè)創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者,Marvell選擇與longsys合作是對(duì)我們實(shí)力的肯定,固件和封裝是longsys的強(qiáng)項(xiàng),我們相信結(jié)合雙方優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品必將在未來(lái)的市場(chǎng)中取得更大的...

2016-08-11 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)MarvellSSD 3304

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)迎歷史性發(fā)展機(jī)遇,紫光被寄予厚望

據(jù)了解,存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片,亦是最大宗的集成電路產(chǎn)品,同時(shí)還是我國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。...

2016-08-11 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器紫光 891

DRAM壟斷化加劇,臺(tái)灣存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)下滑

過(guò)去三、四年來(lái),DRAM市場(chǎng)主要由三星電子、SK海力士與美光所壟斷,三巨頭在全球的合并市占率達(dá)90%,但情勢(shì)可能改變。在DRAM市場(chǎng)景氣不佳的局面下,市場(chǎng)龍頭三星電子的營(yíng)業(yè)利益仍達(dá)數(shù)十兆...

2016-08-09 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體行業(yè) 2754

用SSD只是提升了讀寫(xiě)速度?這才是真相!

也許是SSD(固態(tài)硬盤(pán))對(duì)比起機(jī)械硬盤(pán),速度提升實(shí)在猛烈,把電腦開(kāi)機(jī)至進(jìn)入系統(tǒng)從按分鐘計(jì)時(shí)全面轉(zhuǎn)變?yōu)橐悦胱x數(shù)的時(shí)代。...

2016-08-04 標(biāo)簽:SSD 1315

英特爾大連項(xiàng)目提前實(shí)現(xiàn)投產(chǎn) 帶動(dòng)新項(xiàng)目投資

去年10月,英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)器制造工廠。該項(xiàng)目是迄今為止英特爾在中國(guó)的最大一筆投資,也是大連市乃至遼寧省改革開(kāi)放以來(lái)最大...

2016-07-26 標(biāo)簽:英特爾 1110

打造先進(jìn)存儲(chǔ)芯片 紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯多數(shù)股權(quán)

紫光集團(tuán)已收購(gòu)武漢新芯集成電路制造有限公司多數(shù)股權(quán)。之前,武漢新芯曾打造規(guī)模為240億美元的存儲(chǔ)芯片制造中心。現(xiàn)在中國(guó)建造先進(jìn)存儲(chǔ)芯片工廠的兩大主要項(xiàng)目已進(jìn)行了合并。...

2016-07-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)芯片 1598

儲(chǔ)存新技術(shù):原子儲(chǔ)存信息正在變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)

現(xiàn)在,原子儲(chǔ)存信息的技術(shù)正在變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。荷蘭代爾夫特理工大學(xué)科維理納米科學(xué)研究所桑德·奧特領(lǐng)導(dǎo)的研究小組,證明利用原子儲(chǔ)存大量信息是可行的。...

2016-07-25 標(biāo)簽:IBM 1643

TI推出首款適用空間受限應(yīng)用的DDR內(nèi)存終止線(xiàn)性穩(wěn)壓器

德州儀器 (TI) 近日推出業(yè)內(nèi)首款適合空間應(yīng)用的雙數(shù)據(jù)速率 (DDR)內(nèi)存線(xiàn)性穩(wěn)壓器。TPS7H3301-SP是唯一一款不受每平方厘米高達(dá)65兆電子伏(MeV-cm2)單粒子效應(yīng)影響的DDR穩(wěn)壓器,可為航天衛(wèi)星有效...

2016-07-20 標(biāo)簽:tiDDR線(xiàn)性穩(wěn)壓器晶體管 1516

智能化與物聯(lián)網(wǎng)的大潮中,F(xiàn)RAM助力三表設(shè)計(jì)新突破

“富士通全球FRAM存儲(chǔ)器銷(xiāo)量在2015年就已經(jīng)累計(jì)超過(guò)25億片,而這其中很大部分是應(yīng)用于電表中的,而中國(guó)是全球電表制造的中心。”王鈺指出。然而,水表/氣表的電氣化能力和電表相比還有相...

2016-07-19 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)智能化智能計(jì)量 1844

RRAM:走向新型嵌入式存儲(chǔ)之路

據(jù)Web-Feet Research等分析公司預(yù)測(cè),到2018年,消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備的嵌入式內(nèi)存市場(chǎng)將突破28.8億美元,現(xiàn)在是我們?yōu)檫@一問(wèn)題想出解決方案的時(shí)候了。如果傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)無(wú)法滿(mǎn)足未來(lái)需求,那么哪種...

2016-07-19 標(biāo)簽:RRAMCrossbarCrossbarRRAM電阻式RAM 2376

SST推出通過(guò)認(rèn)證的基于GLOBALFOUNDRIES BCDLite?工藝的 嵌入式SuperFlash?技術(shù)

SST全球市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)及業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)Vipin Tiwari表示:“低掩膜次的嵌入式SuperFlash技術(shù)與先進(jìn)130 nm BCDLite工藝節(jié)點(diǎn)的結(jié)合,開(kāi)辟了產(chǎn)品全新的應(yīng)用潛力,尤其是對(duì)于電源管理市場(chǎng)而言,令人倍感振奮。...

2016-07-13 標(biāo)簽:嵌入式技術(shù)SST微芯科技非易失性存儲(chǔ)器 2019

三星48層3D V-NAND閃存技術(shù)揭秘

三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存,分別有24層、32層,并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品,2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)(SSD)中的48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前...

2016-07-13 標(biāo)簽:三星電子SSD閃存技術(shù)3D V-NANDSSD三星電子三星電子閃存技術(shù) 7758

三星發(fā)布UFS存儲(chǔ)卡 速度比肩SSD是microSD卡五倍

UFS存儲(chǔ)卡在多媒體資料傳輸上具有優(yōu)勢(shì),其連續(xù)讀取速度可達(dá)每秒530MB,與SATA固態(tài)硬碟相當(dāng),是一般microSD卡的5倍,連續(xù)寫(xiě)入速度則是高階microSD卡的2倍。以讀取5GB的Full HD電影時(shí),UFS卡只要10秒...

2016-07-11 標(biāo)簽:三星電子SSDmicroSDmicroSDSSDUFS存儲(chǔ)卡三星電子三星電子 2090

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