賽普拉斯低引腳數(shù)HyperRAM?存儲器簡化嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計

賽普拉斯閃存事業(yè)部副總裁Rainer Hoehler表示：“隨著高分辨率圖形和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用在各類系統(tǒng)中日益普及，市場對簡約、高性能、可為配備有限板載RAM的控制器提供外置便箋式存儲器的DRAM的需...

2016-07-07 標(biāo)簽：賽普拉斯汽車電子 1649

企業(yè)級SSD儲存容量超越傳統(tǒng)硬盤 新局面到來

企業(yè)級SSD儲存容量正式超越傳統(tǒng)硬盤，10TB以上超大容量SSD時代已將到來，將給企業(yè)儲存應(yīng)用帶來新的局面。...

2016-07-06 標(biāo)簽：硬盤存儲設(shè)備 1939

Marvell/三星等固態(tài)硬盤主控芯片有何特點？

我們知道固態(tài)硬盤，其實就是由主控芯片、閃存顆粒和緩存單元組合起來的一塊電子集成板。在這三大件中，采購成本最高的無疑是閃存顆粒，大約占據(jù)了70%的份額，而最有技術(shù)含量以及核心技...

2016-06-28 標(biāo)簽：三星電子Marvell固態(tài)硬盤主控芯片 55026

西數(shù)/希捷/QLogic等廠商高管談存儲器未來發(fā)展

各位高管人員探討了磁盤驅(qū)動器市場需求、HAMR磁盤驅(qū)動器技術(shù)、NVMe over Fabrics、第六代光纖通道以及其它行業(yè)所關(guān)注的重要議題。...

2016-06-12 標(biāo)簽：存儲器希捷QLogic西數(shù) 1232

存儲器行業(yè)2016年發(fā)展趨勢預(yù)測

對未來的存儲市場做精準(zhǔn)的預(yù)測是很難的，但現(xiàn)在我依然要做這件事情。首先，我將先回顧我過去的預(yù)測，你看過我過去的預(yù)測之后你才會相信我。...

2016-06-11 標(biāo)簽：閃存存儲器服務(wù)器SSD 1810

SSD要取代HDD還需解決這三大問題

當(dāng)下的存儲領(lǐng)，SSD從一個概念的提出到產(chǎn)品化的完成，再到觸手可及的企業(yè)規(guī)?；瘧?yīng)用，到底距離這兩者完成歷史使命交接的時刻還有多遠(yuǎn)？...

2016-06-09 標(biāo)簽：硬盤SSD固態(tài)硬盤HDD 3003

從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點

為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失?。繛槭裁礋洺晒α?，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運行不起來？了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點就都有答案了。...

2016-06-08 標(biāo)簽：NAND燒錄NANDPartition燒錄 2306

Marvell、三星等市場主流SSD主控詳解

現(xiàn)在市場上所買的SSD有相當(dāng)多的主控與閃存的組合，提供SSD主控的廠家有很多，主控的規(guī)格各不相同，如果不是業(yè)內(nèi)人士的話很容易就被眾多的主控給弄糊涂了，我們現(xiàn)在就收集了市場上一些常...

2016-06-03 標(biāo)簽：三星電子MarvellSSD主控芯片 14761

中國“3+1”存儲器版圖初現(xiàn) 誰能走到最后？

對中國大陸來說，今年可算是真正意義上的存儲器元年。武漢存儲器基地項目啟動，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲器的合肥市和紫光。三個地方加一個...

2016-05-25 標(biāo)簽：存儲器聯(lián)電武漢新芯紫光 1155

一種嵌入式系統(tǒng)的內(nèi)存分配方案

嵌入式系統(tǒng)中對實時性的保證，要求內(nèi)存分配過程要盡可能地快。因此在嵌入式系統(tǒng)中，不可能采用通用操作系統(tǒng)中復(fù)雜而完善的內(nèi)存分配策略，一般都采用簡單、快速的內(nèi)存分配方案。...

2016-05-24 標(biāo)簽：嵌入式存儲技術(shù)內(nèi)存 2929

存儲新世紀(jì)，中國的主控短板誰來補？

　　全球半導(dǎo)體存儲行業(yè)的發(fā)展，注定在2016年會寫下屬于中國的濃墨重彩的一頁。進入2016年，特別是在進入三月份以來，中國企業(yè)先后宣布的幾筆巨額投資勢將影響未來全球存儲行業(yè)的格局—...

2016-05-23 標(biāo)簽：cpu固態(tài)硬盤賽迪 1847

核“芯”存儲技術(shù)彌補中國的主控短板

業(yè)界普遍擔(dān)心中國企業(yè)在核心技術(shù)上相對落后的局面，想在市場上突破面臨諸多困難。“Marvell在存儲控制芯片領(lǐng)域， 包括HDD和SSD， 擁有二十年以上的技術(shù)積累，并在市場上獲得了成功。...

2016-05-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體存儲技術(shù) 854

有趣的線性反饋移位寄存器(LFSR)

　　最近一直在研究信道編碼，發(fā)現(xiàn)在信道編碼里面有一個電路比較重要也比較有趣，那就是線性反饋移位寄存器 LFSR ，相信大家對 LFSR 電路也不陌生了，在通信領(lǐng)域lfsr有著很廣泛的應(yīng)用，比...

2016-05-20 標(biāo)簽：寄存器crcLFSR 9247

11年的積淀 華為閃存技術(shù)發(fā)展如何？

云計算、大數(shù)據(jù)、移動互聯(lián)正在改變世界。據(jù)預(yù)測，到2020年，全球移動寬帶用戶將從2016年的40億基礎(chǔ)上，增加20億移動寬帶用戶，全球大數(shù)據(jù)、大數(shù)據(jù)分析以及大數(shù)據(jù)技術(shù)市場規(guī)模將高達2000億...

2016-05-17 標(biāo)簽：SSDIOPs閃存技術(shù) 6799

中國搶進DRAM存儲器 海力士恐成最大潛在受害者

工研院 IEK認(rèn)為，為替代進口，中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。...

2016-05-16 標(biāo)簽：DRAM存儲器海力士 1061

更深存儲器應(yīng)用如何實現(xiàn)？IDT技術(shù)白皮書為你解惑

LRDIMM（低負(fù)載雙列直插存儲器模塊） 和 RDIMM（雙列直插存儲器模塊） 為數(shù)據(jù)中心企業(yè)服務(wù)器提供補充解決方案——LRDIMM 針對需要更深存儲器的應(yīng)用，而 RDIMM 則針對需要更高數(shù)據(jù)帶寬的應(yīng)用。...

2016-05-13 標(biāo)簽：DRAM存儲器IDT 5328

三個HDD新技術(shù)能夠回應(yīng)未來嚴(yán)苛資料儲存需求

在新興的HDD技術(shù)中，能夠回應(yīng)未來嚴(yán)苛資料儲存需求的儲存技術(shù)包括疊瓦式磁記錄 （Shingled Magnetic Recording， SMR）、氦氣以及熱輔助磁記錄技術(shù)（Heat-Assisted Magnetic Recording， HAMR）。...

2016-05-13 標(biāo)簽：存儲技術(shù)SSDHDD 1801

DRAM存儲器面臨的商業(yè)及四大技術(shù)問題

DRAM一直是一個具有挑戰(zhàn)性的行業(yè)。多年來，在競爭環(huán)境下DRAM供應(yīng)商已經(jīng)經(jīng)歷了多次繁榮和蕭條的循環(huán)。但是現(xiàn)在，該行業(yè)面對著一個陰晴不定，甚至可以說是無法確定的未來。...

2016-05-06 標(biāo)簽：DRAM存儲器DDR4 4530

DNA存儲技術(shù)優(yōu)劣解析 微軟為何深耕？

DNA存儲技術(shù)究竟是什么？與傳統(tǒng)的存儲技術(shù)相比，它具備哪些優(yōu)勢，存在哪些缺點？未來DNA存儲技術(shù)又是否能夠引領(lǐng)新的存儲時代的到來呢？...

2016-04-29 標(biāo)簽：微軟存儲技術(shù)DNA存儲 5905

8G的芯片我們究竟能用多少？

　　存儲技術(shù)飛速發(fā)展，存儲成本越來越低，但是我們買到的U盤，硬盤容量卻仍然總是會比標(biāo)稱值少很多，是廠商為了節(jié)約成本還是有其他苦衷？今天，就讓我們從芯片角度，了解一下存儲設(shè)...

2016-04-28 標(biāo)簽：芯片U盤固態(tài)硬盤 3987

紫光/武漢新芯布局NAND Flash 中國存儲器產(chǎn)能閃耀

中國大陸廠商在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯（原同方國芯）投資、...

2016-04-26 標(biāo)簽：存儲器Nand flash武漢新芯紫光 1753

誰能打破DRAM存儲器的三足鼎立格局？

　　本月，三星電子宣布實現(xiàn)10nm級別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國殺”剩下兩個玩家——SK海力士和美光的差距。...

2016-04-25 標(biāo)簽：三星電子儲存器ARAM 1426

新一代存儲技術(shù)特點、比較和研發(fā)進展介紹

目前具有突破性的存儲技術(shù)有鐵電RAM（FRAM）、磁性RAM（MRAM）、相變RAM（PRAM）或其他相變技術(shù)。本文將分別介紹這些技術(shù)的特點、比較和研發(fā)進展。...

2016-04-22 標(biāo)簽：存儲技術(shù)framMRAMPRAM 2132

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。...

2016-04-21 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲器 16720

武漢新芯能拯救國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)？沒那么簡單！

武漢新芯記憶體基地在3 月28 日正式啟動，瞄準(zhǔn)記憶體，目標(biāo)在2030 年成為月產(chǎn)能100 萬片的半導(dǎo)體巨人，而一開始武漢新芯鎖定的目標(biāo)是NAND Flash，對武漢新芯而言，要用3D NAND Flash 圓夢，一個躋...

2016-04-18 標(biāo)簽：存儲Nand flash武漢新芯 5110

順應(yīng)大數(shù)據(jù)浪潮 美光強攻汽車存儲

美光嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部高級市場總監(jiān)Kris Baxter表示：“整個汽車產(chǎn)業(yè)嵌入式存儲產(chǎn)品的設(shè)計是要具有超前的眼光的，我們今天所設(shè)計的產(chǎn)品其實都已經(jīng)為2020年之后的汽車產(chǎn)業(yè)更新做足準(zhǔn)備，我們...

2016-04-15 標(biāo)簽：美光車聯(lián)網(wǎng) 947

從半導(dǎo)體并購風(fēng)潮管窺未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展樣貌

在終端應(yīng)用市場趨于成熟下，半導(dǎo)體市場的成長性恐將逐年減低。根據(jù)資策會MIC估計，2015年全球半導(dǎo)體市場成長幅度將低于3%，遠(yuǎn)低于2014年的10%。往后三年半導(dǎo)體市場之年成長率亦難有起色，...

2016-04-13 標(biāo)簽：AvagoNXPQualcomm 1059

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