電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>
存儲(chǔ)技術(shù)
提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
移動(dòng)硬盤和固態(tài)硬盤的區(qū)別？
移動(dòng)硬盤和固態(tài)硬盤的區(qū)別？ 移動(dòng)硬盤和固態(tài)硬盤（SSD）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中常見的存儲(chǔ)設(shè)備。雖然它們都可用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在其內(nèi)部構(gòu)造和性能方面存在很大區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹移動(dòng)硬...
2023-12-11 標(biāo)簽：SSD移動(dòng)硬盤固態(tài)硬盤 9301
dram和nand的區(qū)別
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯門。盡管它們都是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，但在構(gòu)造、功能、性能...
全面解讀電阻式內(nèi)存的技術(shù)架構(gòu)及其應(yīng)用
電阻式內(nèi)存 (Resistive Random Access Memory, RRAM) 結(jié)構(gòu)為簡單的金屬-絕緣層-金屬 (Metal-Insulator-Metal, MIM)，其原理為施予電壓或電流操作，利用物質(zhì)電阻改變組件的高低電阻狀態(tài)，達(dá)成數(shù)字訊號(hào)儲(chǔ)存效果...
2023-12-07 標(biāo)簽：電阻存儲(chǔ)器物聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)技術(shù)RRAM 2771
關(guān)于靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的簡單介紹
SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。...
2023-12-06 標(biāo)簽：CMOSsram靜態(tài)存儲(chǔ)器反向器半導(dǎo)體存儲(chǔ) 3237
閃存資源超競品百倍、支持運(yùn)行安全！看萊迪思FPGA新品如何引領(lǐng)FPGA行業(yè)
為了應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的系統(tǒng)管理設(shè)計(jì)，萊迪思在今年4月份推出先進(jìn)的系統(tǒng)控制FPGA——Lattice MachXO5T-NX?系列。憑借優(yōu)益的性能，該產(chǎn)品在電子發(fā)燒友網(wǎng)舉辦的第十屆IoT大會(huì)上，獲得2023年IoT技術(shù)創(chuàng)...
深度解析數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展趨勢
開源數(shù)據(jù)庫MySQL和PostgreSQL占據(jù)全球數(shù)據(jù)庫市場格局TOP2。開源數(shù)據(jù)庫正在重構(gòu)企業(yè)核心系統(tǒng)。同時(shí)為確保業(yè)務(wù)平穩(wěn)運(yùn)行，分布式數(shù)據(jù)庫存算分離架構(gòu)正在成為事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)。...
2023-12-06 標(biāo)簽：SSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)AI機(jī)械硬盤大模型 1795
減產(chǎn)效應(yīng)下原廠業(yè)績?nèi)绾危?Q23 NAND Flash / DRAM市場營收排名出爐
全球存儲(chǔ)市場規(guī)模成功實(shí)現(xiàn)在二季度和三季度連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比回升，今年一季度將成為市場規(guī)模的事實(shí)底點(diǎn)。正如我們在《CFM Report_2023Q3全球存儲(chǔ)市場報(bào)告與Q4展望》中提到的，在原廠放棄爭...
2023-12-06 標(biāo)簽：DRAM 981
NVSRAM在通信設(shè)備中的性能和可靠性方面的考慮因素
NVSRAM在通信設(shè)備中具有良好的性能和可靠性，使其成為一種受歡迎的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。...
2023-12-05 標(biāo)簽：電磁干擾nvSRAM非易失性存儲(chǔ)器斷電保護(hù)sram存儲(chǔ) 1585
Nor Flash與NAND Flash閃存技術(shù)的關(guān)鍵特點(diǎn)區(qū)分
Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)存儲(chǔ)單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實(shí)現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。...
2023-12-05 標(biāo)簽：控制器NAND嵌入式系統(tǒng)NAND閃存NANDNAND閃存嵌入式系統(tǒng)控制器控制器 1962
Nor Flash作為存儲(chǔ)解決方案的優(yōu)勢與限制
選擇Nor Flash作為存儲(chǔ)解決方案的一個(gè)主要原因就是Nor Flash的并行訪問結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)快速讀取速度和低讀取延遲。...
2023-12-05 標(biāo)簽：NOR閃存NAND嵌入式系統(tǒng)NANDNOR閃存嵌入式系統(tǒng) 1821
嵌入式系統(tǒng)Nor Flash引導(dǎo)存儲(chǔ)器和固件存儲(chǔ)有何關(guān)系？
嵌入式系統(tǒng)需要可靠且快速的引導(dǎo)存儲(chǔ)器來在系統(tǒng)啟動(dòng)期間加載初始引導(dǎo)代碼和操作系統(tǒng)。...
2023-12-05 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng) 1513
Nor Flash編程和擦除操作實(shí)踐與指南
閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元，為確保準(zhǔn)確編程，Nor Flash 支持字節(jié)級(jí)編程，允許寫入或修改單個(gè)字節(jié)，而無需擦除整個(gè)塊。...
Nor Flash的基本概念 Nor Flash的內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析
Nor Flash是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲(chǔ)器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場景。...
2023-12-05 標(biāo)簽：嵌入式系統(tǒng)晶體管路由器閃存存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)晶體管路由器閃存存儲(chǔ)器 5585
NVRAM與NVSRAM的共性跟區(qū)別簡析
NVSRAM和NVRAM都涉及非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，但它們在實(shí)現(xiàn)方式和應(yīng)用方面有一些區(qū)別。...
2023-12-05 標(biāo)簽：PCM存儲(chǔ)器NVRAMnvSRAMsram存儲(chǔ) 3128
NOR FLASH對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)有何作用？
NOR FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)具有重大影響，閃存其獨(dú)特的特性和功能影響著計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的各個(gè)方面...
2023-12-05 標(biāo)簽：處理器存儲(chǔ)器NAND閃存計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)NAND閃存處理器存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)存儲(chǔ) 2105
NVSRAM在掉電瞬間的保護(hù)機(jī)制操作方法
非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，提供非易失性存儲(chǔ)。...
2023-12-05 標(biāo)簽：超級(jí)電容器存儲(chǔ)器EEPROMnvSRAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1926
DDR仿真和測試完美對(duì)應(yīng)的經(jīng)典案例
不知道現(xiàn)在大家做的DDR4系統(tǒng)的指標(biāo)是怎么樣了？從高速先生和最近眾多客戶的配合來看，從一個(gè)通道的總?cè)萘亢退俾噬隙蓟旧侠搅藰O限，從單個(gè)顆粒的容量，很多已經(jīng)從8Gb提升到了16Gb，運(yùn)...
江波龍與金士頓將成立合資公司，深耕國內(nèi)高品質(zhì)與高附加值的嵌入式存儲(chǔ)市場
2023年11月27日， 深圳市江波龍電子股份有限公司（以下簡稱“江波龍”）與金士頓科技公司（Kingston Technology Corporation) 共同簽署了意向性備忘錄，宣布發(fā)揮各自優(yōu)勢，將共同出資設(shè)立合資公司，...
2023-12-04 標(biāo)簽：江波龍 839
淺談DDR SDRAM的Timing具體時(shí)序參數(shù)
通過 SDRAM 的 7 個(gè)模式寄存器，可以對(duì) SDRAM 的特性，功能以及設(shè)置進(jìn)行編程。這些寄存器本身通過 MRS 命令編輯。模式寄存器一般在初始化期間進(jìn)行設(shè)定，但也可以在后續(xù)正常工作期間進(jìn)行修改...
2023-12-02 標(biāo)簽：SDRAM寄存器DDR時(shí)鐘信號(hào) 8142
SSD和HDD的具體對(duì)比
SSD廠商早就預(yù)測NAND閃存的價(jià)格會(huì)隨著時(shí)間的推移而下降，讓SSD能夠在單價(jià)上與HDD競爭。事實(shí)上，NAND閃存的價(jià)格一直在下降。...
2023-12-01 標(biāo)簽：閃存NANDSSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)HDD 2984
ESP32應(yīng)用教程— SD NAND（記錄飛控LOG）
文章目錄前言1SDNAND概述2代碼說明3記錄Log前言本文基于ESP32芯片作為主控制器，測試SDNAND記錄飛控Log功能。關(guān)于MCU的存儲(chǔ)方面，以前基本上用內(nèi)置的E2PROM，或者是外置的NORFlash就可以。隨著物聯(lián)...
ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢
隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到D...
2023-11-30 標(biāo)簽：DRAM振蕩器數(shù)據(jù)信號(hào)內(nèi)存控制器DDR5 1508
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
